ZnO薄膜的椭圆偏振光谱研究

采用椭圆偏振光谱法,在1.50～4.50eV光谱范围内,研究了在蓝宝石衬底上使用分子束外延方法制备的纤锌矿结构ZnO薄膜的光学性质.对椭圆偏振光谱拟合结果表明,坦吉扩展(Tanguy extend)色散公式能更准确、方便地描述ZnO薄膜带边附近的折射率和消光系数的色散关系.提供了ZnO薄膜在1.50～4.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析ZnO薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据.     

热处理温度对溶胶-凝胶法制备的Ce_(0.97)Co_(0.03)O_2薄膜结构和光学性能的影响

采用溶胶-凝胶法,在Si(100)衬底上制备了3%Co掺杂CeO2薄膜,研究了不同热处理温度对Ce0.97Co0.03O2薄膜结构和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)表明,3%Co掺杂CeO2薄膜为多晶薄膜,且未破坏CeO2原有的结构,随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。椭偏光谱法研究表明,Ce0.97Co0.03O2薄膜的光学常数(折射率n、消光系数k)随着退火温度增加而增大,光学带隙Eg随退火温度增加而减小,这是薄膜结构随退火温度增加发生变化所致。     

可应用于四结砷化镓太阳电池的ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜的结构设计

在采用磁控溅射方法分别制备单层ZnS、MgF_2、SiO_2薄膜及表征其折射率基础上,以折射率逐渐减小的三层结构(HML结构)思想,采用TFC光学薄膜软件,设计并模拟了可用于四结砷化镓(GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs)太阳电池的三层ZnS/MgF_2/SiO_2减反射膜系.并分析模拟了窗口层厚度、各膜层厚度和折射率以及光入射角对有效反射率的影响.结果表明:窗口层厚度、SiO_2的折射率和ZnS膜层厚度对有效反射率R_e的影响最为显著;在350~1 800nm宽波段,当窗口层厚度为83nm,膜系厚度分别为57nm、37nm和88nm,且光入射角为0°时,有效反射率Re最小可达3.38%.     

Sol-Gel法制备Ba1-xSrxTiO3薄膜的光学性质研究

采用SOL-GEL工艺,在S I(100)衬底上制备了BA1-XSRXTIO3(0.1≤X≤0.3)多晶薄膜,并用椭偏光谱仪在光子能量为2.0~5.2 EV的范围内,测量了不同SR含量X下BA1-XSRXTIO3多晶薄膜的椭偏光谱。建立适当的拟合模型,用最优化法获得了所有样品的光学常数(折射率N和消光系数K)谱及能隙宽度EG。比较这些结果发现:在低能区,BA1-XSRXTIO3薄膜的折射率N随SR含量X的增加无明显变化,但其吸收边向高能方向移动。表明BA离子被SR离子取代后,BA1-XSRXTIO3薄膜的能隙宽度EG增大。     

Bi3.25La0.75 Ti3O12薄膜的制备及性能研究

用化学溶液法在P—Si（100）衬底上制备出了一系列不同退火温度的Bi3.25La0．75Ti3O2（BLT）铁电薄膜。通过X-射线衍射、扫描电镜及椭偏光谱测量研究，得到了一系列BLT薄膜结晶状况、表面形貌及光学常数谱。其结果显示：BLT薄膜表面均匀、致密，没有裂纹；随着退火温度的升高BLT薄膜晶化越来越好，当退火温度为690℃时，BLT基本完全晶化；非晶态的BLT薄膜折射率明显低于晶态BLT薄膜的折射率，随着BLT薄膜退火温度的增加，薄膜折射率n增大且其消光系数k也略有增加。     

溅射氧化耦合法合成W掺杂VO2纳米薄膜及其光学性质

采用溅射氧化耦合法(SOC),在Al2O3(001)基底上成功制备了纳米尺度的W掺杂VO2薄膜.运用扫描电子显微镜(SEM)和光电子能谱仪(XPS)分别对薄膜的微观结构以及组分进行了分析;采用四探针测试仪测试了薄膜在不同温度下的方块电阻,从而确定了VO2和W掺杂VO2纳米薄膜的相变温度从341K下降到314K;最后利用紫外至红外光谱仪测试了薄膜在常温和高温下的透过率,并通过Film Wizard软件对薄膜的透过率进行拟合,获得了薄膜的光学折射率(n)和消光系数(κ)随光电子能量(E)变化的关系曲线.研究结果表明,随着W掺杂量的增加,W掺杂VO2纳米薄膜的半导体-金属相变温度逐渐下降,其光学折射率(n)和消光系数(κ)相比VO2薄膜也发生有规律的变化.     

退火温度对TiO2薄膜光学性能的影响

为确定合适的TiO2薄膜退火工艺,研究了退火温度对采用中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜光学性能的影响.利用分光光度计测得石英玻璃基体TiO2薄膜试样的透射谱和反射谱,用包络线法和经验公式法计算出薄膜的光学常数.结果表明 TiO2薄膜的折射率随退火温度的上升而增加,低温退火时薄膜消光系数略有减小, 500 ℃退火时TiO2薄膜具有最优的光学性能.     

La_2Mo_3O_(12)薄膜的制备和光学性能研究

采用射频磁控溅射法制备La2Mo3O12薄膜并退火处理,用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、椭偏谱仪研究了薄膜的结晶特性、表面形貌和光学性能.结果表明,射频磁控溅射制备的La2Mo3O12薄膜为非晶态,退火后La2Mo3O12薄膜结晶主要为四面体结构和少量单斜结构,且薄膜表面平整,晶粒均匀.其光学带隙为3.63 eV,对近紫外光(200～280 nm)有良好的吸收性能,折射率在1.8到2.15之间,消光系数符合正常色散关系.     

氧气流量对反应磁控溅射铜氧化物薄膜结构和光学性质的影响

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积铜氧化物薄膜,研究氧气流量对薄膜结构和光学性质的影响.用X射线衍射仪检测薄膜的结构,分光光度计测量薄膜的透射和反射光谱,采用拟合正入射透射光谱数据的方法计算薄膜的折射率、消光系数及厚度.结果表明,薄膜沉积过程中,随着氧气流量的增加,铜氧化生成物从Cu2O逐步过渡到Cu4O3,最后为CuO;当氧氩流量比为6:25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,薄膜的折射率和消光系数随波长增加而减小,带隙为2.49 eV;不同氧气流量条件下制备的Cu2O,CuO薄膜的折射率和消光系数随氧流量的增加而增加.     

沉积气压对磁控溅射ZrO2薄膜光性能的影响

为了探究沉积气压对ZrO₂薄膜光学特性的影响规律，以玻璃和硅片为基底，利用射频磁控溅射的方法在不同沉积气压下制备ZrO₂薄膜样品.通过分光光度计测定薄膜在可见光波段的透射光谱，利用椭圆偏振谱仪表征薄膜的折射率、消光系数、厚度等光学参量，利用原子力显微镜观测薄膜表面的微观结构等.结果表明：(1)薄膜的沉积速率随沉积气压的增大而减小，沉积气压为0.4 Pa时沉积速率最大，为0.033 nm/s，沉积气压为1.0 Pa时沉积速率最小，为0.011 nm/s；(2)当沉积气压为1.0 Pa时，200～1 000 nm波段薄膜的平均透射率和折射率均最高，分别为82.71%和2.35，表现出良好的透光性；(3)沉积气压对薄膜消光系数的影响较小；(4)不同沉积气压下制备薄膜的表面粗糙度也不同，沉积气压为1.0 Pa时薄膜的粗糙度最低，为5.5 nm，沉积气压为0.6 Pa时薄膜的粗糙度最高，为25.2 nm.     

Adhesive-Bonded Ca(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3/Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3 Layered Dielectric Resonators

Ca(Mg_ 1/3 Nb_ 2/3 )O_3 and Ba(Zn_ 1/3 Nb_ 2/3 )O_3 ceramic cylinders with the same diameter were bonded by adhesive with low dielectric loss to yield the layered dielectric resonators, and the microwave dielectric characteristics were evaluated with TE_ 01δ mode. With increasing the Ba(Zn_ 1/3 Nb_ 2/3 )O_3 thickness fraction, the resonant frequency (f_0) decreased, while the effective dielectric constant (ε_ r,eff ) and temperature coefficient of resonant frequency (τ_f) increased. Good microwave dielectri...     

Pb（Cd_（1／2）Te_（1／2））O_3及三元系压电陶瓷Pb（Cd_（1／

研制了一种新的三元系统压电陶瓷材料Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３－ＰｂＺｒＯ３－ＰｂＴｉＯ３，本系统材料压电性强，时间稳定性极佳，其时间稳定性比改性的ＰＣＭ提高一个数量级，作者认为稳定性的提高原因，不是由于材料的“软化”，而在于Ｔｅ６＋离子在电畴界面的偏聚对畴壁的“钉扎”作用，确定了Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｔｅ１／２）Ｏ３是顺电相其含量以４～６ｍｏｌ％为宜，部分Ｃｄ２－取代，使本系统材料“硬化”．     

Relaxor behavior of (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 ceramics

n the present work, the phase transitions and relaxor behavior of (1−x)Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-xPbTiO₃ (PMN-PT, x = 0.2―0.4) ferroelectric ceramics have been investigated by means of X-ray diffraction, di-electric spectroscopy, the P-E hysteresis loop measurements and Raman scattering techniques. Structural analysis revealed that with the increase of PbTiO₃ content, PMN-PT ceramics experienced a gradual phase transition process from rhombohedral to tetragonal. It is usually believed that such kinds of phase transitions resulted in the linear decrease of relaxation degree. Surprisingly, our analy-sis of the dielectric spectra revealed that the indicator of the degree of diffuseness γ reached the maximum value near morphotropic phase boundary (MPB) (x = 0.32), then decreased with the further increase of PbTiO₃ content. The large dielectric relaxor feature near MPB may be attributed to the for-mation of ordered nanodomains, resulting from complex coexisting nanostructures. Further, the P-E hysteresis loop measurements and Raman analysis of the B-site cation order correlated well with the dielectric measurement results. It was found that the hysteresis loop squareness R_sq received the minimum value while the inverse of the value of full wide of half maximum (FWHM) of A_1g mode reached the maximum value at MPB composition, which showed similar trends to γ.     

关于单K3-群L3(3)和U3(3)

设G为有限群,o1(G)表示G中最高阶元素的阶。用极少的数量刻画有限单群是单群刻画领域中一个有趣的课题。本文只用群的阶及最高阶元素的阶刻画了单K3-群L3(3)和U3(3),即证明了： 设G为有限群, M 为单K3-群L3(3)和U3(3),则GM当且仅当|G|=|M|,且o1(G)=o1(M)。
     

Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-BaTiO_3 Complex Perovskite Ferroelectric Ceramics with High Dielectric Constant and Low Firing Temperature

The effects of different firing temperatures on the stability of perovskitC phase, grain size, and die-lectric propertes were investigated by XRD, TEM, SEM and dielectric measurements. The dielectric ceramicsof Pb (Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb TiO_3-BaTiO_3 system were obtaine d by chemical coprecipitation in water The ceramicshave higher dielectric constan (7003-9714), lower firing temperature (950-1150℃), quite uniform micro-structrue with grain size less than 2.5 μm, and lower temperature coefficiens of capacitance. As a result, it wasconfirmed that the simple and low cost chemical route used namely coprecipitation in water is a desired meth-od for preparin high property dielectric materials applicable to multilayer capacitors.     

Optimizing the Synthetic Conditions of LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2 from a Carbonate Co-precipitation Method

1 Introduction As a promising cathode material for lithium ion batteries,LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2 attracted intensive attentions.Owing to high specific capacity,long circle life and excellent safety,it may be an alternative candidate for LiCoO2.As a complex composite,however,it is difficult to synthesize phase-pure LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2 by a simple mixed calcination method[1].From this concern,carbonate co-precipitation method,which can prepare homogeneous LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2 with typical layered structure,bec...     

准同型相界附近0.02Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.50Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.48Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3陶瓷压电性能研究

采用传统固相反应法制备四元系0.02Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.50Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.48Pb(ZrxTi1-x)O3(0.29≤x≤0.34)陶瓷.观察样品的晶相结构和显微结构,测试压电性能和介电性能.随着Zr/Ti比的增大,晶相从四方相向三方相转变.发现准同型相界位置在x=0.32附近.1 240℃烧结的0.02PZN-0.50PNN-0.48PZ32T陶瓷展现了良好的压电性能,压电常数d33为715 p C/N,机电耦合系数kp为0.541,剩余极化强度Pr为25.5μC/cm2,矫顽场强Ec为5.6 k V/cm.新的压电材料适合高性能压电器件应用,且简单的制备方法给生产带来极大便利.     

(Lal-xSmx)2/3Sr1/3MnO3材料的巨磁致伸缩及磁电阻效应

采用溶胶凝胶法制备了一系列的多晶(La1-xSmx)2/3Sr1/3MnO3样品,X射线衍射研究表明,随Sm含量的增加,样品出现从菱面相向正交相结构的转变,在低温下观察到一定Sm含量的样品具有约-180×10-6大小的磁致伸缩和320%的磁电阻效应,在室温下,样品的磁致伸缩和磁电阻随Sm含量的变化有类似的关系.     

BiFeO3掺杂Pb（In1/2Nb1/2）O3-Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3陶瓷的制备与磁电性能研究

以固相合成法制备了铁酸铋（BiFeO₃,简称BFO）掺杂的铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅（Pb（In_1/2Nb_1/2）O₃-Pb（Mg_1/3Nb_2/3）O₃-PbTiO₃,简称PIN-PMN-PT）多铁性陶瓷材料,X射线衍射（XRD）测试结果表明：样品具有钙钛矿结构,电滞回线显示其铁电性良好,剩余极化值（P_r）可达18 μC·cm^-2.由于BiFeO₃掺杂后,样品电矩减小,氧空位增多,使其铁电畴翻转困难,样品的电性能略有下降,但是其磁性能随BiFeO₃掺入量的增加而逐渐增强,且样品居里温度（T_m）为200℃左右.该材料在电磁学领域有望成为具有应用前景的多铁性材料.     

共沉淀法合成Ni_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)(OH)_2的热力学分析

对Me2+(Me=Ni,Co,Mn)-NH3-OH--H2O共沉淀反应体系进行了热力学分析,采用共沉淀法合成了LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料前驱体Ni1/3Co1/3Mn1/3(OH)2,研究了pH值和氨水浓度[N]对前驱体振实密度的影响.热力学分析表明:以氢氧化钠为沉淀剂、氨水为络合剂,采用共沉淀法合成前驱体的最佳pH值为11,最佳[N]为0.1～0.5mol/L;在此条件下,金属阳离子Ni2+、Co2+和Mn2+的损失最小,分别小于1×10-3、1×10-3和1×10-6mol/L.在pH=11、[N]=0.24mol/L条件下,所合成的前驱体中Ni、Co、Mn的摩尔比为0.324∶0.349∶0.327,与理论设计值1∶1∶1非常接近,其振实密度高达1.32g/cm3.