镀银铜粉导电涂料的研究

研制了镀银铜粉导电涂料,研究了搅拌速度、乙二胺四醋酸二钠盐和硬脂酸甘油酯对镀银铜粉电阻的影响;并对铜粉的含量和漆膜厚度对涂料导电性能的影响进行了探讨.结果说明:该实验研制的镀银铜粉含银量少(含银量约为铜粉重量的1%~6%)、成本低、导电性能稳定,制备方法简单、易操作.     

印刷电路板的乙二胺络合浸镀银工艺

采用乙二胺作络合剂,在印刷电路板表面浸镀银.利用电化学方法和场发射扫描电镜等分析测试手段,研究了溶液中银离子浓度、乙二胺含量以及溶液pH值等工艺参数对浸镀速度和镀层形貌的影响.结果表明,当溶液中银离子浓度为3 g/L,银离子与乙二胺的摩尔比为1∶5,溶液pH值为11.3时,可以获得均匀致密的银镀层.     

粉煤灰微珠化学镀银的研究

本文采用化学镀的方法对粉煤灰微珠表面进行镀银处理,制备出导电良好的银包粉煤灰微珠,且探讨了粉煤灰微珠粒径、镀银工艺参数对镀银效果和镀银微珠导电性能的影响。实验结果表明：粉煤灰微珠粒径越大,镀银效果越好;经每升含有30mLHF（质量分数36%）和10gNH4F的粗化液处理和每升含有3gAgNO3银氨活化液的处理的微珠镀银效果好;银氨镀液中AgNO含量应为8g/L,镀液的pH值应控制在10～11。     

化学镀银聚酯纤维制备及其导电性能研究

 采用化学镀法在聚酯纤维表面镀覆一层导电银层,采用场发射扫描电镜（FE-SEM）、电子能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）分别对聚酯纤维镀银前后的表面形貌、化学元素组成、银结晶结构进行表征.讨论了乙二胺浓度、AgNO₃浓度、施镀时间和镀液温度对化学镀银聚酯纤维增重率及电阻率的影响,测试化学银镀层与纤维基体的结合牢度和耐腐蚀性.结果表明,最佳工艺条件下,电阻率低至2.31Ω·cm^-1;镀层为高纯度的面心立方结构的单质银;银镀层具有良好的与基体的粘结强度和耐化学腐蚀性能.
     

镀银铜粉导电电子浆料的研究

研究了以镀银铜粉为导电填料的电子浆料,讨论了镀银铜粉含量、硅烷偶联剂的用量以及处理方法对导电浆料导电性能的影响。结果表明,当镀银铜粉填充含量达75％,偶联剂含量3％时,导电浆料的导电性、分散性、稳定性等性能较好。     

微米级镀银铜粉复合导电涂层的导电性研究

以SEM与XRD为表征手段,较详细地研究了微米级镀银铜粉作为导电填料所形成的复合型导电涂膜的亚微观结构与其导电性能的关系,探讨了镀银铜粉的镀层结构、几何尺寸与形貌、含量、基体树脂的类型等因素对涂膜导电性能的影响规律,并用导电通道理论与隧道效应理论分析了这些影响规律.     

微米级镀银铜粉复合导电涂层的导电性研究

以SEM与XRD为表征手段,较详细地研究了微米级镀银铜粉作为导电填料所形成的复合型导电涂膜的亚微观结构与其导电性能的关系,探讨了镀银铜粉的镀层结构、几何尺寸与形貌、含量、基体树脂的类型等因素对涂膜导电性能的影响规律,并用导电通道理论与隧道效应理论分析了这些影响规律．     

无氰镀银生产技术实验研究

本文研究了硫代硫酸钠无氰镀银工艺镀液组分的变化对银镀层在附着力、光亮度等性能方面的影响,从而得到硫代硫酸钠无氰镀银工艺的最佳镀液配方。另外通过改变阴极电流密度、温度和pH值,考察对银镀层质量的影响,得到了硫代硫酸钠无氰镀银工艺的最佳条件。     

镀银导电纤维的制备和性能

对短切聚酯纤维进行化学镀银,制备了用于导电高分子材料的导电填料,探讨了氨水浓度、装载量及稳定剂对纤维化学镀银的影响。实验表明,φ=0.10的氨水有利于化学镀银;通过调整装载量,可提高纤维的增重量率和硝酸银的利用率;稳定剂的加入可阻止镀液自分解,但对包覆层的均匀性和致密性有影响。电性能测试表明,镀银纤维的体积电阻率可达3.35×1-0 3Ω.cm,以其作为导电橡胶填料,当含量为w=0.40时,其电阻率为1.54×1-0 1Ω.cm。     

共沉淀泡沫分离法去除水中低含量钴离子的研究

采用共沉淀泡沫分离法对水中钴离子的去除进行了研究,考察了表面活性剂种类及质量浓度、pH值、铝钴摩尔比、气流量等因素的影响.当水中的钴离子初始质量浓度为10 mg.L-1,采用SLS做表面活性剂且质量浓度为10 mg.L-1,铝钴摩尔比为1∶1,pH值为11,气流量为300 L.h-1时,去除率可达97.61%.     

银氧化锡复合粉体的制备及粒径分析

近年来随着制备技术的发展和性能的改进,对银氧化锡的研究方兴未艾．本文对银氧化锡复合粉体的水热制备方法进行了综述,并与传统的银氧化锡复合粉体的制备方法如粉末冶金法等进行了比较．通过以H2C2O4为还原剂,以银氨络离子和锡酸钠为原料制备银氧化锡,并针对制备条件的差异对粉体粒径的影响进行了分析,指出了水热制备方法的优点和不足,对以后进一步的研究进行了展望．     

微米级镀银铜粉常温抗氧化性能的表征方法

提出了一种新的方法来表征微米级镀银铜粉的常温抗氧化性能，即通过测定镀银铜粉稀硫酸浸泡液的透光率大小来进行表征。与现行的XRD衍射法相比，该方法具有简单方便且准确性高的特点。     

化学沉积法制备用于印制电子的超细银粉

采用液相化学沉积法,以硝酸银为原料,水合肼为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,在室温下将硝酸银溶液滴加到还原性溶液中得到银颗粒的悬浮液,并经微孔滤膜过滤后制得用于印制电子业的超细银粉.用TEM、XRD与粒径分析等手段对产物的粒径与性状进行了表征,并进一步研究了PVP与硝酸银浓度对银粉粒度及产率的影响.这种制备工艺避免了传统机械研磨工艺中银粉纯度低、技术指标不一致的缺点,具有较好的应用前景.     

球形SiO_2超细粉的制备及其烧结行为

在合适的温度和pH值下,通过硅酸钠在氯化氨溶液中水解,制备球形二氧化硅超细粉·考察了反应温度、pH值、硅酸钠溶液浓度和流量对产物形成时间的影响,确定了制备球形二氧化硅超细粉的pH值为9,反应温度为60℃,硅酸钠溶液浓度为0 6mol·L-1·并在不同温度对球形二氧化硅超细粉的烧结行为进行了研究·结果表明,当温度超过900℃时,超细二氧化硅粉有明显的烧结现象·采用SEM,TEM表征了二氧化硅为球形纳米超细粉·     

共沉淀法合成(Ni1/3Co1/3Mn1/3)(OH)2热力学分析

通过对共沉淀Me2+ (Me = Ni, Co, Mn)－NH3－OH-－H2O体系进行热力学分析,拟合出lg[Me]－pH关系曲线。以氢氧化钠为共沉淀剂,氨水为络合剂,采用共沉淀法进行锂离子电池(LIB)正极材料LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2前驱体(Ni1/3Co1/3Mn1/3)(OH)2的合成研究。热力学分析结果表明：共沉淀体系的最佳pH值为11,合适的氨水浓度[N]为0.1～0.5 mol/L,此时各种金属阳离子(Me2+)的损失最小。基于以上最佳合成反应条件,在不加其它还原剂和絮凝剂时,所得前驱体材料的振实密度达到1.32 g/cm3。     

超微二氧化硅的超声制备及影响因素分析

采用溶胶-凝胶法,在醇水氨体系中利用超声波工艺制备超微二氧化硅粉体,其中氨作为反应的催化剂;利用XRD,SEM和IR对制备的样品进行表征.测试结果表明,样品二氧化硅为非晶态球形颗粒,粒度均匀,外形规则,且样品中含有大量羟基.通过单因素实验考察超声波功率、反应温度、反应物摩尔比和氨水质量浓度对样品形貌和粒度的影响,结果表明,超声波功率对样品粒度的影响最大,反应物摩尔配比次之,氨水浓度影响也很可观.     

铜(Ⅰ)离子对氰化物溶液中金属离子存在形态的影响

提出了可以描述在各种金属离子浓度和不同的pH条件下,随铜盐添加量的增加,氰化物溶液中金属离子和CN-存在形态的公式.基于其计算结果,探讨了将铜盐加入含金银的氰化物溶液中时金银的沉淀机理,以及在矿石中铜含量较高时氰化物消耗量增加而金银浸出率降低的原因.将铜盐加入氰化物溶液中时,铜(Ⅰ)离子首先与溶液中游离CN-反应,然后从锌、镉、镍等金属的氰根配合物中"劫持"几乎全部的CN-,以CuCN形式生成沉淀,金银的氰根配合物被"劫持"CN-,以AuCN和AgCN型沉淀物沉淀.     

液相化学还原法制备纳米银和纳米铜粒子

以十六烷基三甲基溴化铵为保护剂,葡萄糖为还原剂,利用液相化学还原法成功的制备了纳米银和纳米铜粒子.利用透射电子显微镜(TEM),X射线衍射(XRD)对样品的形貌和结构进行了分析结果表明,所制得的纳米银和纳米铜为纯银和纯铜.且硝酸银的浓度、反应时间对纳米银形貌及粒径有着很大的影响.当选择合适的硝酸银浓度及反应时间,能够制备平均粒径为10 nm、粒径均匀、单分散的纳米银粒子.另外,UV光谱也证实,所制的溶胶为粒径均匀的纳米银和纳米铜溶胶.