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随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔(TSV)实现层间互连的三维集成电路(3D IC)成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性. 相似文献
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天津赛法晶片技术有限公司处在半导体照明产业链的起始环节——衬底材料的生产(晶片加工),是目前国内唯一的蓝宝石晶片生产厂家。说起蓝宝石,我们首先想到的是首饰上熠熠放光的晶体,而蓝宝石材料,是氮化物半导体衬底、集成电路衬底的首选材料。α-Al2O3单晶,即蓝宝石晶体,是目前最常用的GaN的外延衬底材料。众所周知,GaN是直接带隙材料, 相似文献
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《天津科技》2003,(5)
本市自主设计开发出国内首枚硅基液晶(LCOS)微显示集成电路(IC)芯片,在IC芯片设计、液晶封装等关键技术上达到国内领先水平,结束了第一大支柱产业——信息产业无“津芯”的历史。目前,本市正将此“芯”应用于多种微显示数字产品,形成了从芯片设计、LCOS生产到显示数字产品的集成电路产业链。 信息产业已成为本市第一大支柱产业,但作为信息产业产品的核心,IC芯片设计,包括IC芯片的显示模块等关键技术和部件均掌握在国外少数公司手中,使信息产业链上游发展中缺少了自主研发这一重要环节。为此,市科委设立了IC芯片设计科技专项。经过3年科技攻关,南开大学承担的“LCOS新型显示器件中的关键件及系统研究”取得突破,设计出国内第一枚用于LCOS微显示的IC芯片。LCOS微显示技术能广泛应用于高清晰度投影机、高清晰度背投电视及计算机监示器、手机、虚拟电子游戏机等众多 相似文献
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21世纪微电子技术发展展望 总被引:2,自引:0,他引:2
李志坚 《科技导报(北京)》1999,(3):11-13
一、集成电路技术的高速发展几十年来集成电路(IC)技术一直以极高的速度发展。著名的摩尔(Moore)定则指出,IC的集成度(每个微电子芯片上集成的器件数),每3年左右为一代,每代翻两番。对应于IC制作工艺中的特征线宽则每代缩小30%。根据按比例缩小原理(Scal澊ingDownPrinciple),特征线条越窄,IC的工作速度越快,单元功能消耗的功率越低。所以,IC的每一代发展不仅使集成度提高,同时也使其性能(速度、功耗、可靠性等)大大改善。与IC加工精度提高的同时,加工的硅园片的尺寸却在不断增… 相似文献
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张建民 《陕西师范大学学报(自然科学版)》1992,(4)
离子束蚀刻是一种有超精细加工能力的微细加工技术,广泛应用于微电子、光子技术、表面科学等领域。硅及其化合物常用来制作大规模集成电路,在其表面蚀刻出具有一定几何布图尺寸的沟槽。其深度、宽度、边壁倾角及槽底形状等直接影响器件的性能。 相似文献
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向若 《科技导报(北京)》1980,(1)
微处理机(microprocessor)是七十年代大型集成电路工艺飞速发展的成果。顾名思义,它是把一个小型或中型计算机的中央处理机(central processing unit)(包括2千到10万个晶体管)整个集缩在一个大约5毫米见方的硅晶片上。也就是说,在一片100毫米直径的硅晶片上可以制作200个这样的处理机。一个中等规模的半导体工厂,每周可以生产3,000片100毫 相似文献