首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 687 毫秒
1.
本文报导了退火温度对Al_(56)Mn_(14)Si_(20)急冷条带的电阻-温度系数的影响。在77~300K温区内电阻-温度系数发生了从负到正的转变。差热分析、电子顺磁共振、X射线和电子衍射实验表明:该现象对应着样品中的非晶相晶化的过程,变化中电子态由局域态转变成扩展态。在电子衍射实验中还见到了一种具有12重对称性的电子衍射花样。  相似文献   

2.
本文从实验上研究了锰铋合金在不同热处理后的R(T)曲线(温度范围为-196°——+450℃)以及室温下退火样品的电阻随时间的变化情况,同时对于室温和液体氮温度下的磁电阻效应进行了初步观测,实验结果显示,用有序无序转变可以解释退火和淬火样品在高温范围内R(T)曲线的进程、电阻的变化在低温范围(-50°——-170℃)表现出热滞现象、磁电阻效应的初步观测表明:样品的在室温下约为0.1%,在-196℃下小于5%。  相似文献   

3.
关于退火温度对VO_2薄膜制备及其电学性质影响的研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
采用真空蒸发-真空退火工艺由V2O5粉末制备VO2薄膜,研究了退火温度对薄膜的影响.经XRD,XPS及电阻-温度测试发现,随退火温度的升高,VO2薄膜先后经历了单斜晶系VO2(B)型→单斜晶系VO2(A)型→四方晶系VO2的变化,在3种类型的薄膜中V均以V4+为主,且在VO2(A)型薄膜中V4+含量最高.薄膜电阻以退火温度460℃时为分界线,低于460℃时,VO2(B)型薄膜电阻和电阻温度系数随退火温度的升高而增大;高于460℃时,四方晶系VO2薄膜的电阻及其电阻温度系数随退火温度的升高呈现相反的趋势.  相似文献   

4.
通过退火过程原位电阻测试、电阻—温度特性测试和扫描电镜(SEM)测试,研究了退火温度和退火时间对Al N基片上磁控溅射制备的Mn-Co-Ni-O系负温度系数(NTC)热敏电阻薄膜性能与微观形貌的影响.实验结果表明,功能层在450℃附近开始结构弛豫和晶化过程,晶化初期电阻下降;由于Al N基片与NTC薄膜材料之间存在键性差异,晶化收缩会导致薄膜中出现孔洞,造成恒温段电阻升高;恒温退火的温度越高,退火后样品B值越高,晶化收缩越剧烈,电阻增加越快;恒温时间越长,样品电阻增加越多,恒温时间对B值没有影响.  相似文献   

5.
测定了非晶合金薄膜(Fe_(0.4)Ni_(0.2)Cr_(0.4))_(72)Si_(28)在20-620℃范围内电阻随温度变化的曲线,以及这一变化与薄膜的物相构成及非晶度的关系。研究了这一合金薄膜电阻温度系数TCR随热处理温度的变化以及它与非晶度的关系。探讨了合金薄膜中Si的含量对TCR数值的影响及作用机理。指出了获得合金薄膜最佳电阻温度系数的一些可能的途径。  相似文献   

6.
采用磁控溅射法制备Dy4(Co21Cu79)96颗粒膜,研究薄膜的巨磁电阻(GMR)效应及磁性能.应用X射线衍射仪(XRD)对薄膜微观结构随退火温度的变化进行分析,采用四探针及振动样品磁强计(VSM)测量薄膜的磁电阻和磁性能.X射线衍射实验结果表明:制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火处理将促进Cu和Co的相分离.磁电阻测试发现:所有不同成分的Dyx(Co21Cu79)100-x(x=0,4,8,9,12,14)薄膜样品均随着退火温度的升高,颗粒膜巨磁电阻(GMR)效应不断增大,当达到最佳退火温度之后,GMR值又随退火温度的升高而降低.当退火温度为425℃时,Dy4(Co21Cu79)96薄膜的巨磁电阻效应达到最大,GMR值为-4.68%.退火前后样品磁滞回线的变化表明薄膜中发生了从超顺磁性到铁磁性的转变,矫顽力Hc随退火温度的升高逐渐增大.  相似文献   

7.
采用高频感应加热熔融快淬法制备了Co_(81.5)Fe_(4.5)Mo_2B_(12)玻璃包裹丝,研究了真空条件下退火对细丝巨磁阻抗效应及非对称性的影响.结果显示,随着退火温度的升高,玻璃包裹丝的巨磁阻抗效应先增大后减小.退火温度为250℃时,巨磁阻抗效应最明显;退火后样品的磁阻抗曲线对称性大都有所改善;退火温度为330℃时,磁阻抗曲线对称性遭到破坏,可能是磁各向异性降低所引起的.  相似文献   

8.
研究了非晶 Fe_(77.3)Cu_(0.7)Nb_(1.3)Si_(13.5)B_(7.2)合金在400~600℃的温度范围内退火后磁性的变化。磁性测量结果表明,获得高磁导率的最佳退火温度约540℃左右;经 X 射线衍射分析证实:在该温度下退火,非晶态合金已经晶化并形成体心立方结构的α—FeSi 固溶体,其晶粒直径约10~15nm。这种超细晶粒的纳米晶是高磁导率的根源。  相似文献   

9.
利用不同的热处理温度对磁控溅射在玻璃基底的ITO薄膜进行退火处理.借助于原子力显微镜(AFM)、分光辐射计、四探针电阻测试仪等测试手段对不同热处理后的ITO薄膜样品进行表征,研究了不同热处理温度对ITO薄膜表面形貌、面电阻、透光率及抗刻蚀性能的影响.结果表明,随着退火温度的升高,ITO薄膜表面粗糙度增加,面电阻增大,在可见光区的透光率变大,耐刻蚀性增强.  相似文献   

10.
通过Zr55Cu30Al10Ni5非晶合金的差示扫描量热仪(DSC)连续升温和等温退火实验,研究了影响非晶合金超塑性成形工艺时间的三种因素:退火温度,加热速率,退火加工次数.结果表明:退火温度与非晶合金孕育时间存在负指数关系,主要决定了可加工时间的长短,进而影响工艺时间的可选范围;增大加热速率可以一定程度上增大某一退火温度下的孕育时间,延长可加工时间,但是当该退火温度因增大加热速率而超出过冷液相温度区间时,孕育时间达到极大值;多次退火加工会使非晶合金的总体孕育时间出现损失,损失大小与初次退火时间成反比.合理选择退火温度、适度增大加热速率、科学安排加工顺序和过程均有助于在非晶合金超塑性成形加工中延长可加工时间,优化工艺时间,保护材料的非晶特性.  相似文献   

11.
本文采用单辊法制成了Al_(88.5)Y_(6.5)Ni_5(at-%)合金非晶薄带,用DSC法及X-射线衍射法研究了该非晶合金的晶化过程,测定了晶化过程中各种反应的温度,计算了各阶段反应的激活能。研究表明,加热速率为20K/min时,该非晶合金的起始晶化温度及晶化峰值温度分别为453K及469K;起始晶化激活能及晶化峰值激活能分别为168kJ/mol及163kJ/mol。由于该非晶合金具有较高的晶化温度及晶化激活能,表明其具有较高的热稳定性。  相似文献   

12.
本文报道用测量电阻的方法,研究高温超导体YB_(a2)Cu_3 O_(7-x)的高温电阻率,正交一四方结构相变和氧在晶格内的扩散,并对实验结果进行了分析和讨论。  相似文献   

13.
本文用四(1,4-二硫杂环己烯)四氨卟啉铜(Ⅱ)试制成厚膜电阻气敏元件,研究了元件的气敏特性.结果表明元件对一定浓度的氨气具有良好的敏感性和选择性.其灵敏度受工作温度、工作电压及元件制作工艺的影响.  相似文献   

14.
聚苯酯的热分析研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
以聚苯酯工业产品为原料,使用DSC,TMA和TG等热分析手段,研究了该材料的热转变行为和热分解过程,计算了热分解反应的动力学参数,并根据动力学参数,预测了该种材料的使用寿命。  相似文献   

15.
在300K至20K的温废范围内,研究了Li_(0.025)Na_(0.975)NbO_3晶体的热电性。在降温和升温过程中,热电系数分别在180K附近和260K附近显示峰值。这表示晶体中发生了低温相变而且该相变有很大的热滞(约80K)。观测了热电电荷随时间的变化。在降温和升温过程中,热电响应分别在180K附近和260K附近随时间改变极性。这一现象被认为是相变过程中两相共存的结果。  相似文献   

16.
研究了LiTa_xNb_(1-x)O_3单晶在300K至40K温度范围內的介电和热释电性质。介电常数和热释电系数两者都随温度降低而下降,无反常变化。在300K至200K范围内热释电伏值保持相当高的数值,这具有实用价值。  相似文献   

17.
本文报道了镧(Ⅲ)、铈(Ⅲ)与N,N’—亚乙基二(2—羟基—3—甲氧基苯甲亚胺)和N,N’,—邻亚苯基二(2—羟基—3—甲氧基苯甲亚胺)反应形成的固态配合物,通过元素分析、摩尔电导、红外光谱、电子光谱和热谱等研究了配合物的组成和性质。这些新配合物的组成可表示为:[LaL(H_2O)_2]NO_3和Ce_2L·nH_2O(L=MSEA或MSPA,n=0或4)。  相似文献   

18.
使用Bordoni型仪器测量了Fe—Ni基金属玻璃在结构弛豫过程中内耗和模量的变化,详细地研究了在低于500K的低温阶段模量的变化。结果表明,结构弛豫对温度的特性可划分为两个阶段:低温结构弛豫,主要由TSRO控制;高温结构弛豫,主要由TSRO和CSRO控制。低温结构弛豫的激活能约为17kJ/mol。  相似文献   

19.
对聚二甲基硅氧烷(PDMS)/聚砜(PS)复合膜从低浓度乙醇水溶液中脱除乙醇的渗透汽化过程进行了研究。考察了操作温度、料液浓度及流速对渗透通量的影响,并对其传质过程进行分析。结果表明,乙醇渗透通量随料液温度、浓度及流速的增加而增大;利用Wilson图解法确定膜阻,并计算液相传质系数,进而获得传质准数关联式;在此传质过程中,液膜阻力占总阻力50%以上,表明液膜阻力对该渗透汽化过程有较大影响。  相似文献   

20.
为了开发用于SO_2气体传感器的固体电解质材料。对掺杂稀土硫酸盐的Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4体系的离子导电性和相关系进行了研究,取得了良好的结果;在掺有4m/oPr_2(SO_4)_3的体系中,280℃时电导率达到10~(-3)Ω~(-1)cm~(-1);差热分析表明,没有相变发生,成功地将Na_2Mo_(0.1)S_(0.9)O_4的高温快离子导电相稳定到了室温。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号