光学高速抛光材料的研究

在传统的光学另件加工中,抛光是最费力气的一个工序。它是以柏油(包括沥青、松香、蜂腊等)为材料做成模具,由水和抛光粉(氧化铁或氧化铈)组成抛光液,在低速度下进行抛光。生产效率很低。此外,这种传统的抛光所加工的光学另件的质量完全取决于操作者的经验和技术,很不适合于现代化的生产机构。在本世纪六十年代左右出现了“高速抛光”,它的特点:压力大、转速高、自动供给抛光液,抛光时间短,大大提高了生产率。     

磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光性能

磨粒和抛光垫为化学机械抛光(CMP)提供了重要的机械磨削作用。为了探讨磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光的磨削作用,研究了不同种类磨粒和抛光垫对材料去除率和表面形貌的影响。结果表明：在pH=12-13时,氧化铝抛光液去除率(MRR)为910nm/min,远大于二氧化硅与氧化铈抛光液,且获得较为理想光滑表面。3种不同抛光垫抛光后的铝合金表面,呢子抛光垫表面将不会出现划痕与腐蚀点,表面粗糙度较低为10.9nm。随着氧化铝浓度的增加,材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)均增加。当氧化铝含量为4wt%时,抛光垫使用呢子抛光垫适宜铝合金化学机械抛光,在获得高去除率的同时铝合金表面精度高。     

磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光性能的影响

磨粒和抛光垫为化学机械抛光(CMP)提供了重要的机械磨削作用。为了探讨磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光的磨削作用,研究了不同种类磨粒和抛光垫对材料去除率和表面形貌的影响。结果表明:在pH=12～13时,氧化铝抛光液去除率为910 nm/min,远大于二氧化硅与氧化铈抛光液,且获得较为理想的光滑表面。3种不同抛光垫抛光后的铝合金表面,阻尼布抛光垫表面将不会出现划痕与腐蚀点,表面粗糙度较低,为10.9 nm。随着氧化铝浓度的增大,材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)均增加。当氧化铝含量为4wt%时,抛光垫使用阻尼布抛光垫适宜铝合金化学机械抛光,在获得高去除率的同时铝合金表面精度高。     

不锈钢化学抛光技术的研究

研究了不锈钢在低温条件下的化学抛光工艺。介绍了抛光液中部分组分的作用 ,获得了一种抛光质量较好的抛光液。     

不锈钢化学抛光技术的研究

研究了不锈钢在低温条件下的化学抛光工艺.介绍了抛光液中部分组分的作用,获得了一种抛光质量较好的抛光液.     

氧化铝复合磨粒对硬盘NiP/Al基板CMP的研究

在Al2O3表面改性的基础上,制备了以氧化铝、水、双氧水、氢氧化钠溶液为主要成分的抛光液,研究了计算机NiP/Al硬盘盘基片的化学机械抛光(chemical mechanical polishing,简称CMP)特性.通过螺旋测微仪测量了NiP/Al硬盘盘基片表面在不同抛光压力、抛光盘转速、时间、pH值下的材料去除率,利用原子力显微镜AFM表征了抛光后的硬盘盘基片表面粗糙度及形貌,并分析研究了Al2O3抛光液的CMP机理.最终得到最佳抛光工艺参数:抛光盘速率为30r/min、抛光压力2.1kPa、抛光时间为60min、抛光液pH值为9,此时表面粗糙度Ra为4.67nm.     

不锈钢化学抛光技术的研究

研究了不锈钢在低温条件下的化学抛光工艺,介绍了抛光液中部分组分的作用,获得了一种抛光质量较好的抛光液。     

氮化铝基板抛光工艺的正交实验研究

为解决氮化铝基板抛光工艺的问题,采用正交实验方法系统研究了抛光工艺参数、抛光液平均粒度、抛光液PH值、抛光盘转速、抛光头压力对氮化铝基板微表面粗糙度的影响规律。通过确定较佳的工艺参数,能够批量化生产出满足Al N薄膜材料的抛光基板,成品率达90%。正交实验表明,各因素对氮化铝基板微表面粗糙度的影响因素由大至小顺序为:抛光液平均粒度、抛光液PH值、抛光盘转速、抛光头压力;探索出批量化生产氮化铝抛光基板抛光工艺条件是:抛光液平均粒度为75nm、抛光液PH值为11、抛光盘转速为40RPM、抛光头压力为0.55MPa。     

混合稀土抛光粉的研制条件与其物化性能之间的关系——Ⅰ.溶液浓度和加料方式的影响

一、概述抛光为一复杂的物理化学过程,在相同的工艺条件下,光学元件的抛光质量主要取决于抛光粉的物化性能。而抛光粉的物化性能与其化学组成、研制方法等因素有关。由于测试抛光粉的物化性质的手段尚不够完善,国内迄今还没有一个衡量抛光粉质量的统一标准或技术指标。元件抛光的合格率波动大,这给抛光工艺带来一定的盲目性。     

混合稀土抛光粉的抛光能力和化学活性的关系

一、引言抛光粉用于抛光玻璃表面,其性能的优劣主要看它的磨削能力和抛光后玻璃表面的光洁度。磨削能力通常用单位时间内对一定型号玻璃的磨削量(mg/min)来度量。但磨削量的测定比较麻烦,它除了因玻璃型号、抛光粉规格不同而异外,还受气温、抛光机床、抛光模层以及操作者的技巧等条件的影响。对同一份抛光粉必须进行多次试验,数据才较为可靠,     

Al2O3多孔陶瓷制备工艺研究

研究了氧化铝多孔陶瓷的制备工艺，探讨了工艺参数对多孔陶瓷性能的影响，研究结果表明，氧化铝骨料粒度、粘结剂及外加剂含量对多孔陶瓷的孔隙率和强度有较大的影响，烧结工艺是影响高性能多孔陶瓷的重要因素。     

陶泥的活性评价及其对混凝土抗压强度的影响

通过活性试验对陶泥进行活性测试及评价,并将陶泥作为混凝土辅助胶凝材料,探讨了陶泥对混凝土抗压强度的影响.试验结果表明,陶泥具有反应活性,作为混凝土辅助胶凝材料能与混凝土中水泥水化产物Ca(OH)2发生二次水化反应;陶泥混凝土抗压强度与基准混凝土抗压强度随龄期发展规律相似;随着陶泥取代水泥量(质量分数)的增加,混凝土各龄期抗压强度呈下降趋势;陶泥取代水泥量不超过30%,混凝土强度等级可达到设计强度等级C30或C40;取代量相同时,陶泥混凝土与粉煤灰混凝土各龄期抗压强度比较接近.     

雾化施液CMP工艺及实验设备

针对传统化学机械抛光的平坦化制程中抛光液使用量大和环保等问题,提出了一种利用超声波雾化抛光液进行抛光的工艺方法。介绍了试验台架搭建、工艺处理方法、工作原理和抛光工艺,并与传统化学机械抛光效果进行了比较。研究表明,在表面质量上,雾化工艺能够达到传统化学机械抛光的量级,其使用量是传统化学机械抛光的1／10。     

CX—18防气窜剂的研制及应用

介绍了CX—18防气窜剂的作用原理,制备方法,性能评价以及在长庆油田的应用效果.它的主要成分是磷化处理后的铝银粉(铝粉〕,它在水泥浆中不仅发气量较大,加量为水泥的0.3%时,水泥浆的最大膨胀率为8%,且发气时间较长,在50～70℃时,初发气时间为45～27min,持发气时间为115～69min,可满足中深井固井施工要求.室内试验和现场应用表明,将CX—18加到水泥浆中不仅能有效地防止油气井的油、气、水窜槽,而且它对水泥浆的物理性能影响小,并能与其它水泥添加剂相配伍.并且已在长庆油田应用了15井次,取得了良好的效果,固井合格率由原来的62.5%提高到100%,固井优质率由原来的40%提高到73.3%.     

小振幅兆声对硅片化学机械抛光效果的影响

为了改善硅片化学机械抛光效果,提高硅片表面质量,一小振幅兆声振子引入化学机械抛光系统,通过对比表面粗糙度大小和分布,发现该振子对改善硅片化学机械抛光效果有明显促进作用。测试表明:振子频率为1.7 MHz,中心最大振幅约为70 nm;硅片表面振动频率为1.7 MHz,中心最大振幅小于10 nm;该振子独立抛光时,未发现硅片表面粗糙度明显降低,但它能引起抛光液微流动,使储存在抛光垫窠室中更多的抛光液进入接触区参与抛光。无振动抛光时,硅片中心区域抛光液供给不足,造成该区抛光效果较差;兆声致微流动能有效缓解这种不足,改善硅片中心区域抛光效果,不仅如此,它还能有效降低其他区域的表面粗糙度。与无振动抛光的硅片相比,经过兆声辅助抛光的硅片,表面粗糙度更小,分布更均匀。     

富水粉细砂地层中护壁泥浆材料配比的优化

地下连续墙在以淤泥、粉细砂层地质为主,地下水丰富的江浙沪地区施工时,因传统护壁泥浆携砂能力过剩而造成废浆率大、沉渣厚和成墙质量差等问题。为有效提高地连墙施工质量,开展了低固相地连墙泥浆配制试验研究,通过优选增粘组分、成膜粉体助剂和膨润土,制备匀质性好、滤失量低、泥膜致密和携沙能力适中的工程用地连墙护壁泥浆,掌握了低固相地连墙护壁泥浆制备工艺等关键技术。基于苏州地铁8号线的工程应用表明：利用该工艺制备的低固相地连墙护壁泥浆沉渣厚度低于100mm、泥浆循环使用损耗率低于20%、成墙质量得到明显提升。     

陶瓷抛光砖粉制备蒸压硅酸盐制品研究

研究利用陶瓷抛光砖粉制备蒸压硅酸盐制品，并与粉煤灰对比。试验采用了IR、XRD、SEM以及EDS等测试方法研究其水热特性、水化产物的组成和形貌，并测试其强度。研究结果表明：陶瓷抛光砖粉在蒸压条件下有较高的火山灰活性；在相同配比条件下，抛光砖粉中参与反应的活性SiO2远比粉煤灰多，生成较低Ca/Si的水化产物，其蒸压制品强度高于粉煤灰；当石灰∶抛光砖粉＝1∶3时其蒸压制品强度较高。利用陶瓷抛光砖粉制备蒸压硅酸盐制品有广阔应用前景。     

矿物掺合料对水泥-水玻璃注浆材料性能的影响

为保证道路工程注浆材料具有良好的工作性、抗水分散性和较少的泌水率,采用粉煤灰和矿渣微粉为矿物掺合料、膨润土为浆体稳定剂以及水玻璃为促凝剂,研究了矿物掺和料种类及含量对水泥基-水玻璃双液注浆材料性能的影响规律.结果表明,适量的粉煤灰可以提高水泥基浆液的流动性,而且可以有效增加水泥基浆液的有效水胶比;矿渣微粉对水泥基浆液的...     

Effect of AIBI as Free Radical Initiator on Abrasive-Free Polishing of Hard Disk Substrate

To optimize the existing slurry for abrasive-free polishing(AFP)of hard disk substrate,a water-soluble free radical initiator,2,2-azobis[2-(2-imidazolin-2-yl)propane]dihydrochloride(AIBI)is introduced to the H2O2-based slurry.The polishing results show that,the material removal rate(MRR)of hard disk substrate polished with H2O2-based slurry containing AIBI is obviously higher than that without AIBI.The acting mechanism of the improved MRR is investigated.Electron paramagnetic resonances tests show that,by comparison with H2O2 slurry,H2O2-AIBI slurry provides higher concentration of hydroxyl radicals.Auger electron spectrometer analyses further demonstrate that the oxidation ability of H2O2-AIBI slurry is much greater than H2O2 slurry.In addition,potentiodynamic polarization tests show that the corrosion dissolution rate of hard disk substrate in H2O2-AIBI slurry is increased.Therefore that stronger oxidation ability and a higher corrosion dissolution rate of H2O2-AIBI slurry lead to higher MRR can be concluded.     

中等粒度纳米金刚石用于磁头抛光的工艺

采用浮动块研磨抛光机,研究中等粒度纳米金刚石抛光液用于硬盘磁头抛光时其颗粒大小及其悬浮液的分散稳定性与磁头表面质量的关系,以及抛光各工序、运行参数与表面质量的关系.磁头表面质量采用原子力显微镜观测分析.通过对抛光过程运行参数的正交实验,对中等粒度纳米金刚石用于磁头抛光的工艺过程进行优化.实验结果表明:磁头表面粗糙度随着金刚石粒径的减小而减小,但二者并不呈线性关系;抛光液的分散稳定性比抛光液颗粒粒径更能影响表面划痕的深度;精研磨能有效去除表面划痕;而抛光能有效降低表面粗糙度,但其对划痕的消除不如精磨有效;各参数对表面粗糙度和划痕的影响程度不同,但是优化后参数取值相同.