纳米结构应变工程

镶嵌于不同母体材料中的纳米颗粒是一类具有广泛应用前景的新型纳米结构材料,典型的例子包括镶嵌纳米颗粒系统和生长在碳纳米管表面的纳米颗粒系统.研究表明,应力分布对调控这类材料中纳米颗粒的生长和形貌演化起关键作用.     

ZnO纳米棒的低温制备及其光学性能表征

在低温条件下,利用化学溶液沉积法（CBD）成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒.本文不仅研究了生长条件,如Zn^2＋摩尔浓度和生长时间对纳米棒结构和形貌的影响,还利用不同衬底（Si衬底、ITO导电玻璃和玻璃）进行实验,从而研究了同一生长条件下,衬底对样品形貌和光学性能的影响.结果表明,随着Zn^2＋摩尔浓度的增大,纳米棒的尺寸也随着增大;当Zn^2＋摩尔浓度为0.1M时,纳米棒的纵横比随着生长时间的增加而减小;衬底对样品的形貌和光学特性有一定影响.PL测试表明硅衬底上生长的纳米棒有较好的光学性能.     

电沉积方法制备银纳米薄膜的研究

通过对甲磺酸银体系和硝酸银体系中电沉积制备银纳米膜时的电沉积速率的比较及对所得纳米膜形貌的分析发现,在相同工艺条件下,硝酸银体系中得到的银纳米膜晶粒粒径比较小,膜的生长速率较快。选定硝酸银体系为电沉积体系,考察了槽压、电解液的浓度和温度及电解液的pH值对电沉积制备纳米膜的影响,确立了电沉积制备银纳米膜的最佳电解液组成及工艺条件。     

ZnO纳米线阵列的生长机制

通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列．利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0．3g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、x射线图谱和x射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿（001）方向生长．提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制．     

铟掺杂一维半导体氧化锌纳米螺旋制备及表征

利用化学气相沉积的方法,在硅衬底上生长了铟掺杂的氧化锌纳米螺旋结构.通过X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、选区电子衍射等手段对样品的形貌和结构进行了表征.结果表明,合成的纳米螺旋由纳米带旋转而成,曲率半径为几个微米.纳米带宽约200 nm,厚约几十纳米,铟杂质的引入使其生长方向沿(1010)方向.     

液相剥离二维TiS2及其光电化学光探测性能研究

由于独特的结构、优异的光电性能等多种优点,二维(2 D)材料在新型光探测器的应用方面受到了广泛的关注.该文采用超声辅助液相剥离方法成功制备了二维二硫化钛(TiS2)纳米片,并且对其形貌和微观结构进行了表征.将二维TiS2纳米片作为光阳极,构建了光电化学型(PEC)光电探测原型器件;研究发现其零偏压下的光电流密度可达42...     

柔性衬底上三氧化钼正方形纳米片的低温制备及生长机制

采用热蒸发方法,以红外烧结炉为制备仪器,在聚酰亚胺柔性衬底上制备正方形纳米片.通过扫描电子显微镜、X-射线衍射谱表征产物的形貌、尺寸、成分及物相,并对纳米片的形成机理进行了探讨分析.研究表明,此纳米片为三氧化钼(MoO3)的正交结构.生长时间、衬底和蒸发源的间距对纳米片的尺寸有显著的影响.生长时间越长,衬底和蒸发源间距越小,纳米片的尺寸越大.     

PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究

有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.     

Cellular Automata法模拟材料微观组织结构

用CA(Cellular Automata,CA)法模拟材料微观组织结构的形成过程.模拟过程中考虑了形核过程的随机性与晶粒生长的确定性.采用连续形核模型来描述液相中的自发形核.基于简化的晶粒形状,建立了模拟晶粒生长的二维数学物理模型,开发了模拟程序并进行了二维模拟计算.     

氧氛围下PLD法沉积纳米金刚石薄膜

用固体脉冲激光 (Nd∶YAG)烧蚀石墨靶在镜面αAl2 O3(0 0 0 1)上沉积纳米金刚石薄膜 .用Raman谱、XRD衍射谱和SEM分别对薄膜的成键情况和表面形貌进行了分析 .结果表明 :显微Raman谱出现三个峰包 :115 0cm- 1 、13 5 0cm- 1 、15 80cm- 1 ,分别对应着纳米金刚石特征峰、石墨的D峰和G峰 ;XRD衍射谱在 41.42°出现金刚石的 (10 0 )衍射峰 .实验结果表明 ,影响薄膜生长的关键参数主要是氧气压的大小和衬底的温度 .在氧气压为 6Pa和衬底温度为 5 5 0℃时 ,制备的薄膜质量较好 .对用PLD法在氧气氛围下生长的金刚石薄膜的生长机理进行了分析     

HEC稳定的VAc/BA乳胶粒子增长及分布的演变机理

以羟乙基纤维素(HEC)为主要稳定剂,采用半连续种子乳液聚合法合成了聚醋酸乙烯酯/丙烯酸丁酯(VAc/BA)乳液.对乳液聚合过程中乳胶粒粒径增长进行了测定,探讨了粒径及粒径分布随时间及其与转化率之间的相互关系.根据对实验的分析提出了该聚合体系中乳胶粒子的增长机理.发现HEC在单体和引发剂作用下存在降解与接枝两种趋势,其程度决定乳胶粒子增长与分布.     

水平二层土壤中矩形复合地网基础接地电位研究

用矩量法,对埋在水平分层的二层土壤中的矩形混凝土内含有水平以及竖直钢筋的复合接地网,在地面所产生的电位进行了研究,得出计算公式,用FORTRAN语言编制了计算程序,用MATLAB软件绘制出电位分布图.由图看出,混凝土以及土壤的电阻率对地面电位分布影响较大,当混凝土电阻率远大于土壤电阻率时,地面地位分布与没有混凝土的地网相近,此时,地面电位在钢筋外部边角附近下降较快,跨步电压在此处形成一个峰值;当混凝土电阻率远小于土壤电阻率时,地面电位则在混凝土的外部边角附近下降较快,跨步电压在此处形成一个峰值;当混凝土电阻率与外部土壤电阻率相差不是很大时,跨步电压则在钢筋外部边角附近以及混凝土的外部边角附近各形成一个峰值.从安全接地来看,利用基础接地时,应对这2处跨步电压可能出现峰值的地方都加强安全措施.     

带电圆锥曲线电位分布的数值解

在极坐标下,求得带电圆锥曲线电位分布的统一表达式,并用MATLAB编程,利用数值方法描绘出带电圆锥曲线的电位分布曲线.     

生长曲线模型中位置参数和尺度参数同时检验的问题

本文讨论生长曲线模型中位置参数和尺度参数同时检验的问题．文中第３部分分别给出修改似然比统计量在与原假设相接近的备样假设下的渐近分布．     

时间相依性断裂和损伤

本文研究了时间相依性断裂。分析了裂纹尖端损伤分布。从断裂力学和连续介质损伤力学角度出发讨论了蠕变断裂问题以及表征蠕变裂纹生长率参量的适用范围。在一定限定条件下导出了蠕变裂纹生长率的表达式。     

旋转电荷分布所产生的静电势和磁场的矢势

本首先根据电荷均匀分布产生的静电势来计算磁场的矢势；然后，将特殊情况推广到一般情况，即讨论了普遍的旋转电荷分布所产生的磁场的矢势，最后指出，磁场的矢势是由电流密度产生的。     

经典物理层高速密钥分发研究进展

信息加密传输是网络空间安全的核心问题，根据香农“一次一密”理论，安全加密要求随机密钥安全分发.随着光通信速率的不断提高，信息加密传输亟需高速密钥分发技术.近年来，研究者不断探索基于经典物理方法的密钥分发技术，以期实现与现有通信网络相兼容的高速密钥分发.目前，主要方法包括光纤激光器参数随机选择、物理不可克隆函数、光纤信道噪声和混沌激光同步等.该文介绍了上述4种方案的基本原理及主要研究进展，指出了混沌激光同步密钥分发方法最具高速率潜力，并分析了这个方案尚需解决的关键科学问题.     

甘肃省人口分布的空间统计分析

通过对甘肃省各县市1999年、2004年、2008年3 a人口数据的空间特征展开分析,发现人口分布呈现出一定的空间相关性,人口增长率由西低东高向西高东低发展,人口性别比呈现西北部最高,中部低,南部较高的局面.     

稳态场中源的识别，设计与实验

应用优化方法给出了椭圆型方程反演问题的三种不同条件下的解法，还给出了物理实验方法及结果，说明所给方法不仅是可行的，还可推广应用于其他各类稳态场分布的源函数识别和设计中。