ZnO纳米棒的低温制备及其光学性能表征

在低温条件下,利用化学溶液沉积法（CBD）成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒.本文不仅研究了生长条件,如Zn^2＋摩尔浓度和生长时间对纳米棒结构和形貌的影响,还利用不同衬底（Si衬底、ITO导电玻璃和玻璃）进行实验,从而研究了同一生长条件下,衬底对样品形貌和光学性能的影响.结果表明,随着Zn^2＋摩尔浓度的增大,纳米棒的尺寸也随着增大;当Zn^2＋摩尔浓度为0.1M时,纳米棒的纵横比随着生长时间的增加而减小;衬底对样品的形貌和光学特性有一定影响.PL测试表明硅衬底上生长的纳米棒有较好的光学性能.     

铬掺杂二氧化硅纳米球的铬辅助合成和尺寸控制

采用汽相传输技术,利用Si为衬底,在700℃制备了Cr掺杂的SiO2纳米球.CArCl2粉末不但可以作为掺杂剂,还可以通过和衬底硅反应,从而降低了SiO2纳米球的合成温度.并且通过改变载流气体中氧气的含量可以控制SiO2纳米球的尺寸和氧含量.这种采用Cl辅助合成并对纳米球尺寸、氧含量、掺杂元素含量进行控制的方法为纳米材料合成技术提供了新的手段.     

ZnO纳米棒的湿化学法制备及其表面复合

采用CBD两步生长法和热蒸发法在Si衬底上生长ZnO纳米棒.研究发现,该方法对于ZnO纳米棒阵列的近带边复合发光有效衰减时间有很大影响.采用CBD方法生长的ZnO纳米棒的衰减曲线存在两个衰减指数,而通过热蒸发法生长的ZnO纳米棒只有一个衰减指数,实验结果显示CBD法生长的ZnO纳米棒其中较快的衰减指数与表面复合发光有关,慢的衰减指数对应体材料的衰减.另外,随着热处理温度从500℃到700℃,其表面复合速率急剧减小.     

TiO2纳米粉制备的热处理条件研究

采用溶胶-凝胶法和湿胶粒法制备了TiO2纳米粉,通过TG-DTA、XRD实验手段研究了焙烧温度、焙烧时间、升温速率等热处理条件对制备的TiO2纳米粒子的粒径、晶相转变的影响,XRD研究表明焙烧温度越低、焙烧时间越长、升温速率越低得到的纳米粒子粒径越大,晶相转变温度越低.     

氧氛围下PLD法沉积纳米金刚石薄膜

用固体脉冲激光 (Nd∶YAG)烧蚀石墨靶在镜面αAl2 O3(0 0 0 1)上沉积纳米金刚石薄膜 .用Raman谱、XRD衍射谱和SEM分别对薄膜的成键情况和表面形貌进行了分析 .结果表明 :显微Raman谱出现三个峰包 :115 0cm- 1 、13 5 0cm- 1 、15 80cm- 1 ,分别对应着纳米金刚石特征峰、石墨的D峰和G峰 ;XRD衍射谱在 41.42°出现金刚石的 (10 0 )衍射峰 .实验结果表明 ,影响薄膜生长的关键参数主要是氧气压的大小和衬底的温度 .在氧气压为 6Pa和衬底温度为 5 5 0℃时 ,制备的薄膜质量较好 .对用PLD法在氧气氛围下生长的金刚石薄膜的生长机理进行了分析     

金纳米片的低温水相还原法制备及表征

采用PVP作表面活性剂,抗坏血酸还原氯金酸的方法制备了单晶金纳米片,利用透射电镜、高分辨透射电镜和紫外可见光谱对产物进行了形貌分析和结构表征,结果显示纳米片为面心立方结构的单晶金,具有良好的晶体结构.紫外可见光谱中除出现位于580 nm的弱表面等离子体共振吸收峰（SPR）和位于975 nm处的强SPR吸收峰外,首次发现在740 nm和835 nm处同时出现了较难观察到的2个四极巨共振峰.并对金纳米片的生长机理进行了初步的分析和探讨,认为表面活性剂PVP诱导了纳米片不同晶面的生长速度.     

铟掺杂一维半导体氧化锌纳米螺旋制备及表征

利用化学气相沉积的方法,在硅衬底上生长了铟掺杂的氧化锌纳米螺旋结构.通过X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、选区电子衍射等手段对样品的形貌和结构进行了表征.结果表明,合成的纳米螺旋由纳米带旋转而成,曲率半径为几个微米.纳米带宽约200 nm,厚约几十纳米,铟杂质的引入使其生长方向沿(1010)方向.     

三氧化钼纳米带的电致变色机理研究

采用热蒸发方法在硅衬底上制备三氧化钼(MoO3)纳米带薄膜.通过紫外-可见-近红外分光光度计、扫描电子显微镜、X-射线衍射谱及光电子能谱分析电致变色前后产物的透射谱、形貌、结构以及价态变化,研究薄膜的电致变色机理.研究表明,三氧化钼纳米带具有较好的电致变色性能,其中包括较快的变色响应时间以及在可见光区较大的透过率变化.变色原因为Li+和e-的双注入导致MoO3的晶体结构及部分的钼离子的价态发生变化.     

创新展台 纳米专利技术集锦(1)

碳纳米管制备方法与装置 公开（公告）号 １１６５２０９ 申请（专利）号 ９６１２０４６１．３ 摘要：通过控制气体流速和反应速度，实现碳纳米管的有序排列生长，得到晶化程度高、纯度高和产量高的碳纳米管。从而提供一种把含有过渡金属氧化物纳米颗粒的二氧化硅凝胶，在氢气和氮气中还原制成微孔衬底，把衬底放在反应炉内，利用微孔内过渡金属纳米颗粒的催化效应和微孔的模板效应，经过化学气相沉积，在衬底上的微孔中生长出直径为７～３０纳米，长度为２０～１００微米．纯度高达９９％以上的有序排列的碳纳米管的方法。该方法的装置结…     

ZnO纳米线阵列的生长机制

通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列．利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0．3g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、x射线图谱和x射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿（001）方向生长．提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制．