自旋电子学

本书是关于自旋电子学的新著，内容涉及磁纳米结构的材料、制造和特性，磁纳米结构中的磁性和自旋控制，半导体中的磁光性质、磁电子学及器件。     

半导体电子学教学中对空穴的解释

本文系统地阐明了晶体中电子运动的性质，导体及半导体和绝缘体的区别，在此基础上，澄清了一些教材中不明确的空穴概念。     

空穴的本质阐释--澄清一些电子学教材对空穴概念的不确切含义

文章系统地阐述了晶体中电子运动的性质，绝缘体、导体和半导体的区别。在此基础上澄清了一些电子学教材中不明确的空穴概念。     

ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展

目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素(Mn,Co,Fe)掺杂,使之具备半导体和磁性材料的综合特性,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO薄膜材料磁性能的研究进展作一综述。     

两种激光器温度控制方法的比较

温度对半导体激光器的特性有很大的影响,在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度控制,因此,对半导体激光器的温度控制技术的研究有重要的意义。采用半导体制冷器实现对激光器温度控制是一种常用的方法,本文对该方法的两种改进型温控系统进行了比较,得出了相关结论。     

两种激光器温度控制方法的比较

温度对半导体激光器的特性有很大的影响,在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度控制,因此,对半导体激光器的温度控制技术的研究有重要的意义。采用半导体制冷器实现对激光器温度控制是一种常用的方法,本文对该方法的两种改进型温控系统进行了比较,得出了相关结论。     

碳化硅材料与器件

对碳化硅的研究从1907年就开始了，当时H．J．Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家OleyLosev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射，现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是（1）宽能带间隔，对于不同的多形体为3至3．3eV；     

量子力学基础：适用于固态电子学和光学

量子力学以往是纯物理学的应用对象，现在已应用到许多其他领域。本书论述适用于固态电子学和光学的量子力学基本概念，重点介绍量子力学的关键思想，并用一些应用实例来阐述量子力学的基本原理，再从基本概念来讨论量子力学在现代半导体电子学和光学中的一些重要应用。     

氮化镓的材料与器件

本书是新加坡世界科技出版公司出版的《电子学与系统专题》丛书的第33卷。GaN半导体具有独特的材料性质，这些性质引发了半导体系统光电子和电子器件的研究与开发的极大兴趣。氮化物材料与器件对高功率、高温度应用极为有前途，其主要优点是高电子迁移率和饱和速度、在异质结界面上的高层载流子浓度、高击穿电场及当它们生长在SiC或大量的A1N基片上时的低热阻抗。     

小空间半导体制冷的实验研究

在对半导体制冷实验研究的基础上,模拟小空间(1m3)的制冷环境,对影响半导体制冷的因素进行了讨论.实验结果表明,半导体热电堆两端的散热器和散冷器的结构是影响半导体制冷效率的一个很重要的因素,热电堆的工作电压和电流与制冷效率也有着密切的关系.该研究结果对半导体制冷技术在实际空调系统的进一步发展和应用具有一定的指导意义.