场效应管在高频电路中的应用

将场效应管应用于高频电路,其最大的优点是交扰调制的寄生现象少。在此,研究一下有关在高频电路应用时必须考虑的若干事项。[1]y参数在高频放大电路中使用场效应管,与一般的晶体管一样,采用y参数来进行电路的设计     

新型核磁共振孔隙介质分析仪的研制

研制一种新型低场核磁共振孔隙介质分析仪,通过对不同直径岩样的实际测量,可以快速提供含流体孔隙介质的T2分布,T1分布,T1-T2和D-T2二维分布等重要信息,证实了仪器的合理性,有效性,及便捷性。采用Hal-bach磁体和可变尺寸开槽法拉第屏蔽螺线管天线,方便了样品制备和探测效率。低成本线性功率放大器的输出功率可达250 W,能够满足线圈激励要求,并降低成本。有源场效应管组成的隔离电路工作频率较宽,具有通用性。射频三极管组成的负反馈放大电路作为前置放大电路的第一级保证接收回路的低噪声设计,三极管集电极电流由运放为核心的虚拟电流源,使电路设计简化。DSP和FPGA作为主控电路的运算和逻辑控制单元,使回波信号提取和脉冲序列时序生成更灵活。     

浅谈估算法计算单管放大电路静态工作要点

晶体三极管有合适的静态工作点(IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ)是保证放大电路正常工作的关键。因此,对放大电路的静态分析是非常必要的。静态分析就是根据放大电路的偏置电路求出静态工作点Q。     

对放大电路的静态分析

晶体三极管有合适的静态工作点（ⅠB、ⅠC、UBE、UCE）是保证放大电路正常工作的关键.因此,对放大电路的静态分析是非常必要的.静态分析就是根据放大电路的偏置电路求出静态工作点Q.     

三极管的偏置电路

本文首先概述了晶体管的发展历程和重要性,继而讨论了三极管作为晶体管的重要组成部分在电子电路中发挥的放大作用,最后以典型的三极管的偏置电路为例介绍了其电路原理,从而指出了在三极管的应用中设置偏置电路的重要意义。     

形位特征与电子电路分析

0 引言 电子电路是由二极管、三极管、场效应管或集成组件块等电子元件与电阻、电容、电感、导线等普通电气元件附加电源构成的。元件的位置不同,电路的形态也就不同,电路的功能亦各异。从工程应用的角度来看,电子设备和产品的电原理线路是由各种不同特征、不同形态的单元电路以不同形式组合而成的。因此,熟悉和掌握电子电路的形位特征,对于深入理解电子电路的工作原理及其功能,熟练地进行单元功能电路的组合,灵活地实施工程应用,是至关重要的。     

结型场效应管放大器的计算

本文提出一种通过绘制通用转移特性曲线和通用跨导特性曲线来计算结型场效应管放大器的 方法，由于此法能适应不同型号的场效应管，使放大电路的计算得到简化。     

简易静电场强测量仪的设计与使用

为测量静电场强,介绍一种利用场效应管及三极管制作的简易静电场强仪,给出其原理及制作电路,以及测量带电体静电场强的方法,通过具体的实验数据证明该仪器可以测量静电场的相对值.     

基于神经网络的三极管温度特性模型研究

温度对三极管的性能影响较大,使得电路中的静态工作点出现不稳定现象.采用神经网络技术分析实际环境温度对三极管放大特性的影响,并通过实测数据和利用线性均差法得到的数据建立三极管温度特性的神经网络模型.利用该模型可预测温度对放大倍数的影响,掌握电路系统的温度漂移,从而为优化系统性能提供设计依据.     

高阻指针式检流计的设计

在分析传统检流计的基础上,采用恒流源式场效应管差分放大电路作为前级放大路以放大信号,2级运算放大电路作为后级放大电路,多电阻分两级调零,表头串接一电阻并在2端加装1个双向稳压管组成保护电路,传统检流计表头接保护电路完成指示功能,6节5号电池为电路供电,对传统的检流计进行了改进.结果表明,该设计提高了系统的测量精度和灵敏度,而且结构简单、稳定.     

场效应管广义对象的数字公式表示方法

场效应管是放大器件。为学习掌握场效应管的特性，在教学中提出了数字公式表示场效应管规律的新方法。将场效应管的类型、沟道、开启或夹断电压、漏极电流或漏源电压以及转移特性的凹凸性表示成数字量，通过它们的关系建立了数字公式。数字公式的简洁方便，更利于通过数字化规律理解掌握场效应管的定性规律，增加学习兴趣，提高教学效率。     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

判断功率晶体管性能的方法

研究了功率晶体管特性的等效关系，引进达通电压；研究了反向击穿电压，产生－复合电流，得出由５个参数判定管子质量的方法。     

场效应管和双极型晶体管复合特性的分析及应用

用场效应管和双极型晶体管组成的复合管具有互补的特性．本文分析比复合管的特性，并举例说明其应用．     

约翰·巴丁对点接触晶体管发明的贡献

文章从少数载流子注入、点接触晶体管发明、晶体振荡器和放大器电路、点接触晶体管的重要性方面阐述了约翰·巴丁对发明第一只半导体晶体管的重要贡献.     

对晶体管单管放大电路组态的教学探讨

指出确定晶体管单管放大电路组态时存在的一些问题并通过具体实例进行了探讨。给出确定晶体管单管放大电路组态的一般方法，这种方法具有普遍性，在教学中易于学生接受和掌握.     

浅谈晶体管电路在继电保护中的应用

文章论述了晶体管电路在继电保护中的应用,分析了晶体管电路在现代电力系统中应用的优势及其发展趋势。     

绝缘栅场效应管工作原理的统一表述

关于绝缘栅场效应管的工作原理,现行教材有几种不同的讲解,观点各不相同。结构示意图和特性曲线画法不同。但是,对同一类的场效应管而言,结构示意图和特性曲线只能有一种表述形式是正确的。从场效应管的基本结构出发,用新观点、新方法说明其基本工作原理,击穿的位置,击穿的原因。提出工作原理结构示意图的统一表述方法应当是在源衬、漏衬PN结之间是正负离子对应的耗尽层,在反型层与衬底之间是单一离子层（它不应该与耗尽层混同）。漏极特性曲线的统一表述规律是截止状态时的漏源击穿电压|BV‘DS|是各个不同VGS时,击穿电压的最大值。     

功率晶体管背面金属化研究

本文对比研究了磁控溅财、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明，采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻，减小饱和压降和改善在电流特性。特别是，间隙工作寿命试验超过38000次以上，达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。