双铁酞菁分子自旋输运性质第一性原理研究

利用密度泛函与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了双铁酞菁(Fe_2Pc_2)与金纳米线电极构成分子器件的自旋输运性质.研究发现即使不存在磁性电极的情况下,Fe_2Pc_2分子器件也能表现出良好的自旋过滤效应和较大的磁阻.与传统的磁隧道结相比,仅通过改变位于酞菁分子中心的铁原子的磁矩方向即可实现对该分子结的自旋输运性质的调控.     

阶为偶数交换群上6度Cayley图的Hamilton圈分解

利用"Hamilton圈的侧枝循环理论和方法"证明了阶为偶数阿贝尔群上的任意一个6度Cayley图都能被分解为3个Hamilton圈的并,这回答了Alspach关于2K度Cayley图的Hamilton圈分解的推测的一部分问题.     

任意方向界面外磁场下侧向金属磁性超晶格

我们研究了侧向金属磁性超晶格的静磁模。我们考虑外磁场位于界面内并可沿任意方向,自旋波沿垂直磁化强度的方向传播,衰减是来自于涡流。一些有意义的性质被发现,比如频率是衰减不仅与电导率、波数有关,而且与外磁场方向、大小有关。     

温度对不同初始状态ising模型磁化强度和磁化率的影响

Lenz曾向他的学生Ising提出一个研究铁磁性的简单模型,而Ising于1925年发表了他对此模型求解的结果,所以这个模型被称为Ising模型[5]。ising模型是最简单的铁磁-顺磁箱变模型,它是单轴离散的自旋模型,它的自旋只能沿一根单轴取+1或者-1。该模型的哈密顿量定义为H=-Ji,jΣSiSj-BiΣSi,其中Si=+1或-1,J为2个相邻自旋的交换积分,B为外磁场[4]。用montecarlo方法统计磁化强度以及磁化率随温度的改变特性。对比相同规格但初始状态不同的Ising模型的相变点及磁化强度和磁化率的变化趋势随温度的改变是否一致,相变点是否随模型的初始状态不同而改变。     

吸附Pb原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构

基于考虑自旋轨道耦合的第一性原理方法,研究了Bi_2Se_3薄膜和吸附铅原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构.计算发现铅原子在Bi_2Se_3薄膜能带中Γ点附近的量子阱态中引起了大的Rashba自旋劈裂.另外,在Bi_2Se_3薄膜能带中Μ点附近也引起了明显Rashba自旋劈裂.吸附铅原子的覆盖率会对以上的Rashba劈裂产生比较大的影响.     

差分方程在概率问题中的应用

<正>在概率的解题过程中,常常会遇直接求解比较困难,但建立所求问题的递推关系却比较容易的问题.递推关系也称差分方程,利用差分方程作为表示概率变化情况的数学模型,是研究随机现象的有力和有用的方法.特别是利用全概率公式列出差分方程,然后通过解差分方程求得概率,这是概率计算中一种重要的途径.解一阶差分方程,一般通过逐次递推,最后     

弱Dresselhaus自旋轨道耦合量子线电导

在有效质量自由电子近似下,用散射矩阵方法计算了两端非绝热连接正常导体电极的弱Dresselhaus自旋轨道耦合量子线的自旋电导.结果表明,由于Dresselhaus自旋轨道耦合作用,系统量子化电导平台在子带边缘呈振荡特性,并依赖于自旋轨道耦合强度与电极中的传播通道数以及量子线长度.     

低维量子XY模型的键算符平均理论

应用键算符表象方法，在平均场近似下研究了自旋1／2量子XY模型的基 态性质。模型建立在平面四方晶格上，形成纵列dimer结构、Dimer内两自旋之间的反铁磁相互作用为J,dimer之间的反铁磁相互作用在x方向和y方向上分别为J2和J1。给出了系统关于J2和J1的无序－有序转变相图，计算了无序相下系统的基态能、自旋隙，以及x方向和y方向上的相干长度。我们发现自旋隙出现在激发谱中的（0，π）点。一维XY链（J2－J，J1＝0）具有自旋隙,△＝0．165J，与利用自旋格林函数同阶退耦方法所得结果一致。要消除这一自旋隙，链之间的耦合强度至少为J1Cr=0.043J。一维链的相干长度为3．51，平均单自旋基态能为－0．321J。一维XY自旋梯（J1＝J，J2＝0）也同样具有自旋隙，△＝0．167J，比Heisenberg自旋梯的自旋隙0．5J小^1.3，当梯之间的人耦合强度达到J1Cr＝0．061J时，自旋隙消失。自旋梯的相干长度为5．97，平均单自旋基态能为－0．466J，比Heisenberg自旋梯的平均单自旋基态能－0．578J大^1.3。当J2＝J1时，系统开始无自旋隙的临界值为J1Cr=J2C=0．24J，比Heisenberg系统无自旋隙的临界值0．635J小。     

基于TSA的非线性神经网络预测控制

针对现有非线性预测控制方法在线递推控制律时求解非线性方程的困难,提出一种基于树和种子算法(tree and seed algorithm, TSA)的非线性神经网络预测控制算法.该算法采用径向基函数(radical basis function, RBF)神经网络建立非线性系统的过程模型,并将该模型作为预测模型,可以有效逼近系统的过程特性.在此基础上,通过该模型递推非线性系统的预测输出值,并设计具有约束的二次型性能指标.利用TSA优化该性能指标,不断在线搜索非线性预测控制系统的最优控制律,避免采用直接递推的方式求解复杂非线性优化问题,减轻了系统的计算负担.生化发酵过程仿真对比结果表明,该算法具有很强的跟踪和抗干扰能力.     

在光子带隙中原子的自发衰减（英文）

研究了一个二能级原子在具有双洛伦兹谱密度的光子带隙中激发态布居的自发衰减动力学行为.通过对比自发衰减动力学行为在马尔科夫近似条件下和非马尔科夫条件下的演化特性,发现了在这两种条件下演化动力学有着明显区别.非马尔科夫记忆效应使得流入环境中的部分信息回复至系统中来,从而导致了原子布居的震荡.另外,研究结果表明耦合强度与衰减率有着密切联系.     

二叉树深度的递归算法

以求二又树深度的递归算法为例，说明递归算法在程序设计中的应用，给出递归算法的执行过程．     

三价铜对导电性能的影响及其表征

研究了两种不同类型晶体结构的稀土铜酸盐中三价铜对导电性能的影响及三价铜的表征,Ca^2 取代Y^3 或Sr^2 取代La^3 ,使Y2Cu2O5和La2CuO4中铜的价态升高、样品电阻率降低,利用化学滴定法、X-射线光电子能谱（XPS）和磁化率测量对Y2-xCaxCu2O5和La2-xSrxCuO4中三价铜的存在及其自旋状态进行了表征。     

De Pril递推算法在个体风险推广模型中的应用

基于现实生活中威胁生命安全事件的增多,建立了适用于寿险研究中的个体风险推广模型,解决了个体风险在保单数量较多时风险模型应用的局限性。为了简化个体风险推广模型在实际问题中的计算过程,选取了在风险模型中有重要应用的De Pril递推近似方法。给出了个体风险推广模型的De Pril递推公式替代计算方法及误差分析结果。得到结论为总理赔金额S的De Pril递推公式一阶近似为复合Poisson过程,并给出了De Pril递推公式一阶近似时,总理赔金额的各阶原点矩表达式。最后将上述结论应用到个体风险推广模型破产概率的研究中,针对该模型在理赔分布服从指数分布情况下,进行了数值分析与图形描述,从而能更直观的观察出各参数对破产概率的影响。     

内窥镜镜体形状的三维重建方法研究

从内窥诊疗过程中镜体形状显示的需要出发,介绍了基于曲率数据的镜体模型重建方法.鉴于空间曲线上曲率采集面的变化,引入了由曲线切向量和曲率分量决定的运动坐标系,接着在运动坐标系中合成曲率矢量,确定密切平面,然后在密切平面中对曲线进行弯曲计算和运动坐标系的变换分析,并对相关公式进行了推导.最后介绍了对这一方法的试算验证.     

A6的连通5度Cayley图的正规性

如果G△Aut（X），则称Cayley图 X ＝ Cay（G ，S）是正规Cayley图。该文证明了，在同构意义下，所有A 6的连通5度非弧传递Cayley图中只有22个图是非正规Cayley图；最后，得到了A 6的连通5度非弧传递Cayley图的一个完全分类。     

低维修正冒泡排序网络一个猜想的证明

修正冒泡排序网络是互连网络设计中的一个重要的Cayley图模型,关于修正冒泡排序网络的一个猜想如下:对于任意的自然数n≥3,如果n为奇数,则修正冒泡排序网络Yn是n-1/2个边不交的哈密尔顿圈以及一个完美对集的并;如果n为偶数,则修正冒泡排序网络Yn是n/2个边不交的哈密尔顿圈的并.证明了当n=3,4,5时,这个猜想是...     

Cayley有向图的自同构群

给出Ｃａｙｌｅｙ有向图正规和非正规的一些例子，论述了Ｃａｙｌｅｙ有向图正规性的一些结果，最后提出了几个问题。     

迭代函数系统模型在生物序列分析中的应用

介绍了关于完全基因组及蛋白质序列的测度表示，迭代函数系统(IFS)模型在分形理论中已有较长时间的研究,在此我们提出用IFS模型及递归的IFS(RIFS)模型来拟合完全基因组与蛋白质序列的测度表示。我们发现在拟合完全基因组的测度表示时，RIFS模型比IFS模型好，但在拟合蛋白质序列的测度表示时IFS模型比RIFS模型好，从IFS模型或RIFS模型中估计的参数可以用来讨论与生物分类进化及蛋白质结构预测有关的问题。     

交错群的3度1-正则Cayley图

一个图如果它的图自同构群在其弧集上诱导的作用是正则的,则称之为1-正则图．该文构造了交错群An的3度1-正则Cayley图的一个无限族,并证明这类图都是CI的．     

介质-磁头系统的场分布

用有限元方法,对数字磁记录中的磁头-介质系统进行了计算机模拟,得到磁头-介质一体化的磁场分布以及磁力线分布.介质磁化过程遵循矢量磁滞模型,用磁头材料的测量值作为磁头的磁滞模型.