Bi_2Ti_4O_(11)的软模相变研究

一、引言 1962年,Subbarao等的热膨胀和介电测量表明,Bi_2Ti_4O_(11)在大约250℃处存在一个相变。这一结果首先得到了高温(300℃)下拉曼实验的证实,发现相变与随温度变化的最低频软模有关。在先前的工作中。我们报道了它的静高压下的拉曼振动光谱,实验结果表明,—个压致软模相变发生在3.7GPa处。还发现传压介质的性能对最低频软模的强度、线宽、在     

Bi_(2-x)Pb_xSr_2CaCu_(2-x)Mg_xO_(8+δ)超导体的正电子寿命研究

自从Maeda等人在Bi-Sr-Ca-Cu氧化物中发现超导电性以来,由于Bi系超导体具有较高的超导转变温度和广阔的应用前景,日益受到人们的重视.在Bi系超导材料的研究中,金属离子的置换对超导性能和材料结构的影响一直是研究的热点之一.许多作者用Pb替换Bi,以便了解Bi-O层对超导电性的作用.文献[4]研究了Bi_(2-x)Pb_xSr_2CaCu_2O_(8+δ)体系,由Raman散射实验证实Pb可以替换Bi,且其最大替换量可以达到x=0.35;随着Pb含量的增加,超导转变温度T_c从85K减小为76K,并且指出这是由于体系空穴浓度增加所致.然而,Pb掺杂对样品结构的影响以及空穴浓度增加的原因尚不清楚.本工作使用对固体材料微观结构极灵敏的正电子湮没谱仪测量了Bi_2Sr_2CaCu_(2-x)Mg_xO_(8+δ)和Bi_(2-x)Pb_xSr_2CaCu_(2-x)Mg_xO_(8+δ)系列样品的正电子寿命,给出了正电子寿命和转变温度随掺杂量X的变化关系,研究了Pb掺杂对Bi系超导体电子结构的影响,以及由此引起的样品中空穴浓度变化情况.     

Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_(3-x)V_xO_y体系的超导电性

元素替换是探索高温超导电性机理和材料物理研究的重要途径之一。由于Bi系组分的复杂性,因此元素替换的实验研究大量集中在Bi位和Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_x组分的ca位,Cu位的替代很少。在Bi_2Sr_2Ca_(1-x)Gd_x,Cu_(2-x)Li_xO_(8+d)体系中,Li~+部分替代Cu~(2+)引起的无序导致库仑作用的增强,因而抑制了T_c;在Bi_1.7.TPb_(0.3)Sr_2Ca_2(Cu_(3-x)sn_x)_1.2O_y体系中的情形也是如此。在(Bi,Pb)-Sr-Ca-(Cu_(1-x),Ni_x)-0(110K 相)中,T_c先随替代量的增加而迅速减小,而     

Bi-系超导材料在210K附近的结构相变

最近,我们利用超声及其它手段对Bi-Sr-Ca-Cu-O体系(包括掺铅和未掺铅的80K相、110K相的四种系列的样品)做了较系统的研究。首次发现,在210K附近Bi系超导材料存在可能的结构相变。 实验用的样品为单相 Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+x)、(Bi_(0.85)Pb_(0.15))_2 Sr_2Ca_1Cu_2O_(8+x)、Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10+x)、(Bi_(0.85)Pb_(0.15))_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10+x)多晶材料.其中含铅样品为本实验室所制备,方法是用分析纯     

铁电(Pb_(0.925)La_(0.075))(Zr_(0.65)Ti_(0.35))_(0.981)O_3薄膜的疲劳特性研究

铁电薄膜(BaLiO_3,PbLiO_3,(Pb_(1-x)La_x)(Zr_yLi_(1-y))_(1-x/4)O_3(PLZL_x/y/(1-y)),LiNbO_3,Bi_4Li_3O_12等)在近20年来由于其在电、光学上的大量应用而被广泛地研究,尤其是铁电薄膜存储器综合了半导体存储器与磁存储器的优点,具有高速度、高密度、非挥发性和极好的抗辐射性等特点,并能与半导体工艺相兼容,是国际上研究的热门领域.这些应用都需要高质量的铁电薄膜,许多薄膜制备技术,如纪光闪蒸、溅射、外延沉积、化学蒸发沉积和sol-gel方法等,已被用于在各种衬底上制备铁电薄膜.     

BaO-Y_2O_3(La_2O_3)-CuO三元系相图的研究

我们研究了BaO-Y_2O_3-CuO体系的相关系,并做了富CuO区(CuO>50mol％)的室温截面图。测定了此三元系中富CuO区化合物的晶体结构和超导电性。在这一区域内,发现两个化合物:Ba_2YCu_3O_(9-x)和Y_2BaCuO_5。Ba_2YCu_3O_(9-x)具有正交畸变钙钛矿结构,a=3.892,b=3.824,c=11.64,空间群为Pmmm。此化合物为高T_c超导相,零电阻温度为92K。由于Ba_2YCu_3O_(9-x)在很宽的区域内存在,所以在Ba-Y-Cu-O体系内很容易得到各种不同配     

氧气退火对(In+Nb)共掺杂TiO_2陶瓷的介电性能的影响

以固相法制备的(In_(1/2)Nb_(1/2))_(0.05)Ti_(0.95)O_2陶瓷为研究对象,研究了氧气退火对晶体结构、显微组织以及介电性能等的影响,探讨了产生高介电常数的起源.结果表明氧气退火降低了(In_(1/2)Nb_(1/2))_(0.05)Ti_(0.95)O_2陶瓷的介电损耗.在介电温、频谱上观察到3种介电弛豫过程.采用普适弛豫定律,分析了局域化电子与缺陷团簇的偶极极化、极化子跳跃极化和界面极化对介电弛豫的贡献,提出了在(In+Nb)掺杂TiO_2的高介电陶瓷材料中极化子跳跃极化对高介电有贡献.     

两步法合成Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_(10)超导体及其化学动力学分析

Bi系超导体中由于2201,2212等低温相不同程度地与2223相共生,使制备高T_c的2223相样品十分困难.掺Pb掺F能增强高温相的形成,并获得零电阻温度分别为107K和118K的2223相超导体.但是到目前为止,大多数的实验结果指出,在不掺杂的条件下一步直接合成铋系超导体,很难得到2223相为主要成分,零电阻温度T_(CO)超过100K的样品.本研究采用先制备Bi_2Sr_2CaCu_2O_8样品,再与CaO,CuO反应的两步法合成2223相的样品,表明它比一步合成Bi_2Sr_2Ca_3CuO_(10)的效果要好得多,并对这两种不同方法合成2223相铋系样品的结果进行了化学动力学分析.     

CaBi_2Nb_2O_9的软模行为的研究

含铋层状结构化合物是一种高温铁电体,其化学结构通式为(Bi_2O_2)~(2 )(A_(m-1)B_mO_(3m 1)~(2-),其中A代表Bi,Pb,Ba,Sr,Ca等离子,B代表Ti,Nb,Ta,W等离子,M=1-5.CaBi_2Nb_2O_9是含铋层状结构铁电体中的一员,其m=2.它的晶体结构是一层(Bi_2O_2)~(2 )和两层(A_(m-1)B_mO_(3m 1))~(2-)类钙钛矿结构的(CaNb_2O_7)~(2-)交替叠合而构成的.在室温下,它的晶体结构是正交相,原胞参数为:a=5.39(?),b/a=1.006,c=25.15(?).高温X光衍射结果表明,它在625℃发生一个由四方到正交结构的相变.介电常数的测量说明它是一个居里常数非常小的铁电体.     

SrB_2O_(4～y)X_y:Eu~(2+)(X=F,Cl)的高压立方相的发光量子效率

由于Eu~(2+)的5d电子是裸露的,所以对其周围的环境变化极为敏感.晶体结构,晶格中阴阳离子种类、离子半径以及元素电负性等都能明显地影响Eu~(2+)的发光特性.SrB_2O_4:Eu~(2+)高压立方相的发光量子效率比其常压正交相提高100倍,就是因为Eu~(2+)从正交相中(BO_2)_∞链分隔的开放环境变成立方相中BO_4四面体隔离的封闭环境所引起的.在M_2B_5O_9X:Eu~(2+)(X=Cl,Br;     

掺Cr和掺Pr的Bi_4Ge_3O_(12)晶体的线性光伏效应

锗酸铋Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)属于立方晶系,43m点群,是硅铋矿Bi_4Si_3O_(12)(BSO)的同型晶体。BGO晶体也是一种极好的闪烁材料,用于高能粒子或射线的探测。此外,Moya等报道了BGO:Cr是一种很有希望的光折变材料。     

新的稀土锂钒酸盐[Y_(0.5-x)Li_(1.5)VO_4:(Dy~(3+),Eu~(3+))_x]多波段发光

本文首次报道了新的稀土锂钒酸盐Y_(0.5-x)Li_(1.5)VO_4:(Dy~(3+),Eu~(3+))_x多晶粉末的制备,多波段发光和结构. 样品的制备是采用稀土氧化物(Y_2O_3Dy_2O_3和Eu_2O_3)纯度为99.99％与光谱纯的V_2O_5和Li_2CO_3按化学计量比混匀,在     

(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-(x)PbTiO_3二元系铁电陶瓷的压电特性

已有的研究表明,二元系铁电陶瓷(1-x)Pb(Sc_(1/2)Ta_(1/2))O_3-(x)PbTiO_3在介电、热电、光电方面都有广阔的应用前景.本文研究了该材料的压电特性,发现在准同型相界(x=0.45)附近,压电应变常数d_(33)和机电耦合系数k_t,k_p,k_(33)达到极值,而机械品质因数Q_m达到最小值.这种具有高机电耦合特性和低Q_m的压电材料特别适用于制备宽带滤波器、水声换能器及医学超声换能器件.     

3BaO·3B_2O_3·2GeO_2的晶体学参数及热学性质的研究

一、引言 随着激光技术的发展,寻找新型非线性光学材料的研究非常活跃。偏硼酸钡低温相(Ba_3(B_3O_6)_2或BaB_2O_4)便是一种理想的新型紫外非线性光学晶体,但它存在两种多型体。若从熔体生长出高温相单晶转变为低温相的相变过程,晶体严重开裂,无法得到完整的低温相单晶体。因此需要选择合适的助熔剂,以降低晶体的生长温度。作为系统寻找Ba_3(B_3O_6)_2助熔     

杂多阴离子插层化合物的合成、表征及氧化活性

过渡元素三取代型与镧系双(1:11)系列Keggin结构杂多阴离子是性能优秀的氧化型催化剂.但在均相氧化反应体系中存在着稳定性差和难以回收并反复使用等缺点.具有化学组成通式为[M_(1-x)~(2 )M_x~(3 )(OH)_2]·A_(x/n)~(n-)·yH_2O的类水滑石层间的阴离子(A~(n-),通常为体积较小的简单无机离子,这些离子具有可交换性.Pinnavaia等人首先将V_(10)O_(28)~(6-)通过离子交换方法嵌入Zn_2Al双氢氧化物层间,得到通道高度约为0.72nm的新型层柱化合物Zn_2Al-V_(10)O_(28).并发现它在均相体系中,对异丙醇光氧化成两酮的反应,比均相中的V_(10)O_(28)~(6-)具有更优秀的催化活性与选择性.最近,我们将XW_(11)O_(39)Z(H_2O)~(n-)型杂多阴离子嵌入Zn_2Al型类水     

传感器电解质CaZr_(1-x)Mg_xO_(3-a)的导电性能

采用固相反应法在1673 K合成了CaZr_(1-x)Mg_xO_(3-α)(x=0,0.005,0.01,0.02)陶瓷粉体,在空气中1873K下对材料进行二次烧结10 h.X射线衍射物相分析结果确定合成后的样品中有CaZrO_3基固溶体和微量的MgO存在.为了明确CaZr_(1-x)Mg_xO_(3-α)的电化学性能,采用交流阻抗法在1073~1473 K,富氧气氛(Ar/O_2/D_2O)/(Ar/O_2/H_2O)和富氢气氛(Ar/H_2/H_2O)/(Ar/D_2/D_2O)下测量了固体电解质的电导率及其同位素效应与气氛依赖性.通过检测电导率的H/D同位素效应,确定了固体电解质的质子导电优势区域.结果显示在富氢气氛下,测定的1073~1473 K温度范围内有明显的H/D同位素效应,表明质子是主要的载流子.在富氧气氛下,1073~1273 K温度范围内,质子也是主要的载流子.该材料有可能作为氢传感器的固体电解质.     

单相复合氧化物Ba_2HoCu_3O_(7-δ)的高温超导电性

在当前的高温超导体探索中,La(Y)-Ba(Sr)-Cu-O是研究得最为集中的体系。迄今为止,人们已经辩明,在Ba(Sr)-La-Cu-O体系中,超导相是K_2NiF_4型(层状钙钛矿结构)的La_(2-x)Ba(Sr)_(1-x)CuO_4,其超导临界温度为30—40K。最近,几个研究小组相继在Y-Ba-Cu-O     

YBa_2Cu_3O_(7-x)超导晶体的孪晶畴结构分析

已经确认YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体的晶体结构属正交晶系,空间群为Pmmm,晶胞参数为a=3.893,b=3.820,c=11.688。这种材料经过从四方相到正交相的转变,形成具有高T_c的超导体。在超导晶体中普遍存在孪晶畴结构。本工作对这类孪晶畴结构进行了电镜观察和分析,并讨论了孪晶畴的形成及相变特征。     

Bi_2(Sr_(0.9)Ca_(0.1))_2CuO_y单晶及其超导电性

对于Bi系高温超导体系,Bi_2Sr_2Ca_(n-1)Cu_nO_y(n=1,2,3,4)有四个超导相,2201,2212,2223和2234相,它们的超导转变温度分别为7—22,85,110和95K,并可随各相中载流子浓度的变化在一定范围内调节。与Bi系超导体系这一家族相类似的Tl_2Ba_2Ca_(n-1)Cu_nO_y(n=1,2,3,4),体系,也有与Bi系相类似的四个超导相,2201,2212,2223,2234相,它们的超     

Ar离子注入YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜引起的结构相变

自从高T_C氧化物超导体发现以来,已经成功地用各种方法制备出了具有很高临界电流密度J_c的YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导薄膜,这为高温超导体在微电子学领域中的应用奠定了基础。离子注入技术作为材料改性和基础研究的一种手段在材料科学中已经得到了广泛的应用。YBo_2Cu_3O_(7-x)高温超导材料,由于其超导电性对化学无序和结构无序都非常敏感,离子注