Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明，光吸收系数与阱宽和垒厚有关。     

O3对小麦幼苗核酸和蛋白质代谢的影响

小麦幼苗叶片ＤＮＡ对Ｏ＿３极为敏感，Ｏ＿３处理的第一天就明显下降；ＲＮＡ第一天降低幅度不大，第二天开始大幅度降低，同时ＲＮ＿（ａｓｅ）活性显著上升。可溶性蛋白质含量亦随之降低，ＳＤＳ─ＰＡＧＥ分析表明，可溶性蛋白质组分也发生了深刻变化，高分子量蛋白质随处理时间延长而逐渐降解消失。     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱

报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

调制增益导引GaAs／GaAlAs锁相激光器阵列

首次利用液相外延标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。     

铜（Ⅱ）,锌（Ⅱ）,镍（Ⅱ）,铁（Ⅲ）,铝（Ⅲ）萃取分离研究——聚乙二醇—…

本文用偶氮胂Ⅲ作萃取剂，探讨了在聚乙二醇－硫酸铵－偶氮胂Ⅲ体系中Ｃｕ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ），Ｎｉ（Ⅱ），Ｆｅ（Ⅲ），Ａｌ（Ⅲ）的非有机溶剂萃取分离 行为。在一定条件下，Ｆｅ（Ⅲ），Ａｌ（Ⅲ）几乎可被ＰＥＧ相完全萃取、而Ｃｕ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ），Ｎｉ（Ⅱ）不被萃取，从而获得了Ｆｅ（Ⅱ）－Ｃｕ（Ⅱ），Ｆｅ（Ⅲ）－Ｎｉ（Ⅱ），Ｆｅ（Ⅲ）－Ｚｎ（Ⅱ），Ａｌ（Ⅲ）－ｚＮ（Ⅱ）及Ｆｅ（Ⅲ）－Ｃｕ（Ⅱ），Ｚｎ（Ⅱ）＿     

GaAs／AlGaAs周期折射率光波导光学表面模

应用周期折射率介质光波导的模场分布函数和特征方程，分析了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ周期折射率光波导中波导的材料参量和结构参量对ＴＥ模场分布的影响，并讨论了ＴＥ０表面基膜的形成。     

InAsPSb／InAs四元系异质结液相外延

利用液相外延技术，考察了与ＩｎＡｓ衬底晶格匹配的ＩｎＡｓＰＳｂ四元系化合物生长条件对外延层晶体质量的影响。     

Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

利用Ｎｉ金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ,ＭＩＣ）的方法制备ｐ－Ｓｉ薄膜ＸＲＤ,Ｒａｍａｎ光谱研究结果表明,ａ－Ｓｉ／Ｎｉ经４４０℃２ｈ以上退火处理后,形成多晶相结构用ＳＥＭ,ＸＰＳ等分析手段对薄膜的结构进行分析,并对金属Ｎｉ诱导晶化的机理进行简要的探讨。     

调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特性分析

首次利用液相外延（ＬＰＥ）、标准先刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＣａＡＳ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列．它是由六个激光器陈列元组成，调制增益是通过线性地改变激光器条宽从３μｍ变化到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。观察到了远场单瓣，ＦωＨＰ是１．９°，接近于衍射极限；输出光功率为３００ｍωｆａｃｅｔ（ｃω）；其模式特性为：在１．２Ｉｔｈ＜Ｉ＿（ｉｃ）－＜１．８Ｉｔｈ时为单纵模，否则为多纵模。     

测量InGaAsP／InP异质界面的化学斜面法

本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。     

掺Er的In_(1-x)Ga_xP的光致发光性质

金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下,研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数,其中合金成分为ｘ＝０—０．９８,发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰,与合金成分无关,在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰,发光强度明显降低。     

连续外延双层（BiAl）YIG薄膜的铁磁共振研究

首先叙述了双层（ＢｉＡｌ）ＹＩＧ薄膜的生长及层间晶格失配情况，测量了与膜面法向成任意角度磁化的铁磁共振谱，铁磁共振场和线宽随磁化方向的变化与单层膜明显不同，用薄膜层间磁耦合解释了这种薄膜的铁磁共振线宽的非均匀增宽和共振波谱出现的异常现象，计算出的层间磁耦合系数与磁化方向有关。     

AP—MOCVD GaN材料生长特性

研究低温生长ＧａＮ过渡层（缓冲层）在ＡＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ材料过程的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对ＧａＮ材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化、获得了Ｘ射线双晶衍射半峰宽为６‘的ＧａＮ外延层。     

S－GaAs表面键对砷化镓电性能的影响

砷化镓表面经硫化钠水溶液处理后，其电学性能得到很好的改善。实验样品的电容电压特性曲线发生变化，势垒电容变大。Ｘ射线光电子谱揭示样品表面氧的成分大大减少，砷的结合能由原来的１３２１．４７ｅＶ变为１３２１．００ｅＶ，Ａｓ（２Ｐ＿（３／２））芯能级移位０．４７ｅＶ。砷化镓表面形成Ｓ－Ａｓ键，改善了表面费米能级的钉札，减少了表面态密度及表面复合中心。     

掺Er的In1—xGaxP的光致发光性能

金属有机化学气相淀积用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１ｘＧａｘＰ外延层。低温下，研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数，其中合金成分为ｘ＝０－０．９８，发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一上强光致发光峰，与合金成分无关，２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ＾３＋离子的光致发光特征峰，发光强度明显降低。     

调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特…

首次利用液相外延，标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。它是由六个激光器阵列元组成，调制增益是通过线性也发迹激光器条宽从３μｍ变化的到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。