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1.
报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。 相似文献
2.
通过在ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸收层与金属接触间加入ｐ型ＩｎＧａＡｓ势垒增强层的方法，来提高势垒高度，使其暗电流大为下降，并对其进行了实验研究。 相似文献
3.
本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。 相似文献
4.
提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器结构。用Ｐ－ＩｎＰ做衬底。 相似文献
5.
首次利用液相外延标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作 了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。 相似文献
6.
本文利用ＡＥＳ测量了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质界面的组分分布和界面宽度，提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法，同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响。 相似文献
7.
史向华 《长沙水电师院学报》1998,13(1):41-44
研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量 相似文献
8.
首次利用液相外延，标准光刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列。它是由六个激光器阵列元组成，调制增益是通过线性也发迹激光器条宽从３μｍ变化的到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。 相似文献
9.
金属有机化学气相淀积用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１ｘＧａｘＰ外延层。低温下，研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数，其中合金成分为ｘ＝０－０．９８，发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一上强光致发光峰，与合金成分无关，２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ＾３＋离子的光致发光特征峰，发光强度明显降低。 相似文献
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InP补底上LP—MOCVD生长InAs自组装量子点 总被引：1，自引：0，他引：1
报道利用低压金属有机化学气相沉积技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＡｓ自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为１６０３ｎｍ，分布在１３００ｎｍ￣１７００ｎｍ范围内，半高峰宽为８０ｍｅＶ。 相似文献
11.
对半导体激光器短电脉冲调制增益开关法产生皮秒光脉冲动力学过程进行理论分析和实验研究，基于单模数率方程，采用相图（Ｐｈａｓｅ Ｐｏｒｔｒａｉｔｓ）法分析激光器激射皮秒光脉冲时载流子浓度和光子密度变化的对应关系。探讨直流参数、调制脉冲参数和器件寄生参量等对产生皮秒光脉冲的影响，在此基础上，研究ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器短电脉冲调制产生单发激光脉冲最佳的实验条件。 相似文献
12.
金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下,研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数,其中合金成分为ｘ＝０—０．９８,发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰,与合金成分无关,在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰,发光强度明显降低。 相似文献
13.
分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性，对光致发光谱的温度地详细的研究，光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致，从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能 相似文献
14.
一类大系统的平稳振荡 总被引：1，自引：0，他引：1
本文运用强非常稳定的概念，研究系统ｘ＝Ａ（ｔ）ｘ＋ｆ（ｔ）的周期解的存在唯一性及其稳定性，并由此出发，进一步给出具有如下分解ｘｓ＝Ａｓｓ（ｔ）ｘｓ＋∑ｊ＝１，ｊ≠ｓ↑ｒＡｓｊ（ｔ）ｘｊ＋ｆｓ（ｔ），ｓ＝１，２，…，ｒ的复合大系统ｘ＝Ａ（ｔ）ｘ＋ｆ（ｔ）的平稳振荡存在的一个充分条件。 相似文献
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《湘潭大学自然科学学报》2001,(4)
ＰａｒａｌｌｅｌＣｏｍｂｉｎｉｎｇＳｉｍｕｌａｔｉｏｎＡｌｇｏｒｉｔｈｍＰＣＡＢＲＫ3ｏｆＲｅａｌｔｉｍｅＤｉｓｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓＴｒｅａｔｍｅｎｔＺＨＵＺｈｅｎｍｉｎ ,ｅｔａｌ(1.1)……………………………………………………………………………………………………………………ＳｅｃｏｎｄａｒｙｏｆｔｈｅＡｓｓｉｇｎｍｅｎｔｓｔｉｎＰｕｒｅＦｕｎｃｔｉｏｎＬａｎｇｕａｇｅｓＳＨＩＹｕｅＸｉａｎｇ ,ｅｔａｌ(1.8)………………………………ＴｈｅＧｌｏｂａｌＡｔｔｒａｃｔｉｖｉｔｙｏｆａＤｉｆｆｅｒｅｎｃｅ… 相似文献
16.
悬铃木（Ｐｌａｔａｎｕｓ ａｃｅｒｉｆｏｌｉｓ＜Ａｉｔ＞ｗｉｌｌｄ）、国槐（Ｓｏｐｈｏｒａ Ｊａｐｏｎｉｃａ Ｌ）、合欢（Ａｌｂｉｚｚｉａ Ｊｕｌｉ－ｂｒｓｓｉｎ Ｄｕｒａｚｚ）以其树姿优美、适应性强等特点成为我国许多城市的骨干绿化树种，在濮阳，国槐还被确定为市树。但近年来，这些树种受到了蛀干害虫近乎毁灭性的破坏。经调查，为害悬铃木的主要害虫是星天牛（Ａｎｏｐｌｏｐｈｏｒａ ＣｈｉｎｅｎｓｉｓＦｏｒｓｔｅｒ），为害国槐的是锈色粒肩天牛（Ａｐｒｉｏｎａｓｗｅｉｎｓｏｎｉ Ｈｏｐｅ），为害合欢的是合欢小吉… 相似文献
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兰州西固柴家台附近的下白垩统河口组上亚组含有较丰富的孢粉化石，经研究上亚组上部是以Ｓｃｈｉｚａｅｏｉｓｐｏｒｉｔｅｓ─Ｃｉｃａｔｒｉｃｏｓｉｓｐｏｒｉｔｅｓ─Ｔｒｉｃｏｌｐｏｐｏｌｌｅｎｔｅｓ为代表的孢粉组合，并可划分为上下两个亚组合，分别以Ｃｌａｓｓｏｐｏｌｌｉｓ─Ｓｃｈｉｚａｅｏｉｓｐｏｒｉｔｅｓ和Ｐｉｃｅａｅｐｏｌｌｅｎｉｔｅｓ─Ｃｉｃａｔｒｉｃｏｓｉｓｐｏｒｉｔｅｓ为代表。孢粉组合特征和重要属种的地史分布显示其地质时代是早白垩世晚期的Ａｐｔｉａｎ─Ａｌｂｉａｎ期，上部亚组合时代可能更晚为Ａｌｂｉａｎ期。该组合分布的这段地层是迄今在民和盆地区发现的下白垩统最高的层位 相似文献
18.
对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。 相似文献
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首次利用液相外延（ＬＰＥ）、标准先刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＣａＡＳ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列．它是由六个激光器陈列元组成，调制增益是通过线性地改变激光器条宽从３μｍ变化到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。观察到了远场单瓣，ＦωＨＰ是１．９°，接近于衍射极限；输出光功率为３００ｍωｆａｃｅｔ（ｃω）；其模式特性为：在１．２Ｉｔｈ＜Ｉ＿（ｉｃ）－＜１．８Ｉｔｈ时为单纵模，否则为多纵模。 相似文献
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应用周期折射率介质光波导的模场分布函数和特征方程，分析了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ周期折射率光波导中波导的材料参量和结构参量对ＴＥ模场分布的影响，并讨论了ＴＥ０表面基膜的形成。 相似文献