霍尔效应

量子反常霍尔效应是我国科学家从该实验上独立观测到的一个重要物理现象,也是世界基础研究领域的一项重要科学发现.这是在美国物理学家霍尔于1880年发现霍尔效应133年后终于实现了反常霍尔效应的量子化,是我国科学家从实验上独立观测到的一个重要物理现象,也是世界基础研究领域的一项重要科学发现.该文将详细讲解霍尔效应的发展历史.     

用霍尔效应实验仪测量周围环境磁场的探究

在原霍尔效应实验的基础上,运用磁场叠加原理,提出用作差法和电位调零法来测量霍尔电压,这两种方法不仅能够消除不等位电势差与环境因素对霍尔效应实验的影响,还能够很好地测量外界环境磁场在霍尔片所在位置处的磁感应强度的大小.     

钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用

研究了钉扎在高温超导体反常霍尔效应中的作用。将从Ginzburg-Landau(GL) 理论出发推导出的扩展幂律方程应用到高温超导体霍尔效应中, 并详细考虑钉扎效应, 得到了霍尔电阻在低温低场端分别关于温度和磁场的两个标度律, 不同高温超导体的实验数据可以很好地标度在一起。同时, 基于含时GL理论的结果并考虑钉扎效应,给出了一组描述存在一次或多次霍尔反号的高温超导体的霍尔电导方程。     

霍尔效应的最新发展及应用

拥有正常电子结构的材料可以在没有磁场作用下与电场发生作用并最终出现量子霍尔效应和自旋霍尔效应,本文详细介绍了这两种霍尔效应的理论原理及实验现象的最新进展。     

一种霍尔效应法测量螺线管轴线磁感应强度的实验装置

提出了一种霍尔效应法测量螺线管轴线磁感应强度的实验装置。该实验装置采用直线电机带动霍尔元件在螺线管中移动,定位准确方便。螺线管励磁电流及霍尔元件驱动电流采用数控恒流源来提供,可以方便地改变方向及大小,精确控制测量时间,避免螺线管发热,从而提高实验精度,保护实验装置。     

低成本霍尔效应磁感应强度演示仪的设计与应用

利用霍尔效应原理自制的"磁感应强度演示仪",取材简便、成本低廉,简单易行、科学合理,使用效果良好,兼顾"霍尔效应"现象的产生过程和结果演示,可克服DIS数字化物理实验中对该实验的过程展示不足之处,增强了学生学习的趣味性,为物理教学及相关实验提供了积极参考.     

基于LabVIEW平台的霍尔效应测试系统设计

霍尔效应在半导体材料电学性能的检测中具有重要的应用。通过对材料的测试可以得到材料的载流子浓度、迁移率、导电类型等基本参数。为了满足本科实验教学课程中开设综合性实验的要求,针对霍尔效应测试仪测试样品种类受限的问题,在吉时利仪表和电磁铁硬件的基础上基于Lab VIEW平台设计了霍尔效应测试系统。实测结果表明所设计的霍尔效应测试系统可以满足低阻和高阻半导体材料的基本电学性能测试的要求,适应半导体材料的发展,丰富了综合实验的内容,提高了学生的综合能力和创新意识。     

量子霍尔效应的研究及进展

对霍尔效应、量子霍尔效应、量子反常霍尔效应等霍尔效应家族一系列成员进行了介绍,并给出了各效应的应用或应用前景,首次综述了霍尔效应家族的发展史。     

霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

霍尔效应与新材料的发展

介绍了经典霍尔效应、量子霍尔效应和反常量子霍尔效应,以及在石墨烯、拓扑绝缘体等纳米新材料发展过程中的应用.     

磁感应强度矢量的三维测量

大学物理实验所使用的高斯计通常只能测出空间某一点磁场的一个分量,且不能对测量点进行空间定位,为完善实验功能,改进实验效果,设计了基于霍尔效应原理的磁感应强度矢量测量仪,通过调节三维坐标架实现组合式霍尔传感器探头的移动,完成3个分量方向磁感应强度信号的测量。组合式传感器与三维坐标架的一体化结构实现了空间任意一点磁感应强度矢量的测量。     

霍尔效应在无刷直流电机控制中的应用

霍尔效应是非常重要的磁电效应,霍尔效应原理广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面,文中在简单介绍霍尔效应原理和直流无刷电机控制原理的基础上,结合无刷直流电动机中使用的霍尔位置传感器,说明了霍尔位置传感器控制无刷直流电机的工作原理,阐述了无刷直流电机中应用的霍尔位置传感器的基本特性和霍尔位置传感器组必须满足的条件。最后对霍尔位置传感器的应用进行了展望,说明了霍尔位置传感器具有较广泛的用途。     

Cu:SiO2渗流系统电输运特性研究

研究了Cu与SiO2组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性,该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值,不同于其它渗流系统.并且在Cux(SiO2)1-x这一非磁性金属系统中,发现了巨霍尔效应(GHE),其数值高于普通金属近3个数量级,为霍尔传感器材料研究提供了新途径.这种非磁性系统中的巨霍尔效应是由界观尺度的量子干涉效应引起的.     

整数量子霍尔效应平台的宽度

该文讨论了零温极限情况下整数量子霍尔效应(IQHE)的平台宽度和局域态。     

一种材料霍尔系数测试系统的设计

硅酸铋（BSO）晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应，通过BOS晶体的偏振光将受电场和磁场的调制，利用这一特性，设计了一种基于BSO晶体传感器的材料霍尔系数测试系统。     

姆潘巴效应的实验研究

“姆潘巴效应”被发现40年以来，至今尚无一个完美的答案，本文试图通过实验探索“姆潘巴效应”产生的条件和原因．实验证明，被列为“物理之谜”的“姆潘巴效应”并非是一种违反常规的、奇特的现象，实验揭示，此现象的产生是由于冰箱内温度不均匀所致，是一种很正常的热学现象，简言之，姆潘巴效应不存在．     

非掺杂半绝缘态InP中补偿缺陷正电子寿命谱的研究

作者利用正电子湮灭寿命谱(PAL)、光激电流瞬态谱(PICTS)及Hall效应,研究了非掺杂半绝缘(SI)InP中补偿缺陷的形成,即在磷化铁(IP)及纯磷(PP)气氛下不同退火条件时其缺陷的发展变化,从而探讨原生非掺InP形成SI态的机制.实验的原始材料都是用液封直拉法(LEC)生长的n型非掺InP.对原生InP,铟空位VIn及与之相关的缺陷是主要的正电子捕获陷阱,VInH4复合体是使材料成为n型材料的原因.在IP SI-InP的形成中,Fe原子扩散进入VIn,可产生替位的补偿缺陷FeIn,Fe的扩散压制