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相似文献
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1.
报导了掺Nb改性KTiOPO4(KTP)晶体二谐相位匹配条件的研究结果,用倍频实验和通过测量主折射率计算最佳相位匹配角两种方法来核实掺铌KTP晶体的最佳相位匹配角.实验结果表明,两种方法所得的最佳相位匹配角差异不到01°.与纯的KTP晶体比较,对1064nmNd∶YAG激光,掺Nb后,KTP晶体的最佳相位匹配角变化较大.随着Nb浓度的提高,最佳相位匹配角从纯KTP的θm=90°,φm=231°(在xy平面内)通过非临界相位匹配条件θm=90°,φm=0°变化到xz平面内的θm<90°,φm=0°.测量表明,在掺Nb2O53%(mol)熔体中生长出的KTP晶体最佳相位匹配条件为θm=8836°,φm=0°  相似文献   

2.
根据晶体中四波互作用是的三阶有效非线性系数计算方法,导出了双轴晶体三种晶系在其光率轴坐标平面各轴上的解析表达式,这样便于确定最佳相位匹配角,对于进行双轴晶体中的四波相互作用实验研究具有指导意义。  相似文献   

3.
对新型非线性晶体CsLiB6O10的I类,II类倍频的相位匹配角,有效非线性系数,允许波长进行了理论模拟计算,在400-2400nm波段范围内对CLBO和BBO的倍频特性比较结果表明,由于CLBO的有效非线性系数小,允许参量范围比BBO宽,易获得高能量的激光输出。  相似文献   

4.
目的 对非线性光学晶体LBO的倍频属性以及影响倍频效率的各种因素进行理论分析与实验研究。方法 光与物质相互作用的耦合波方程和非线性光学晶体倍频时满足的相位匹配条件。结果 在激光二极管双端泵浦Nd:YVO4腔内倍频绿光激光器的实验中,对于两种不同匹配方式倍频的LBO晶体的倍频特性进行了研究。采用I-类角度位相匹配晶体倍频时,抽运光功率约为26W时,获得了最大输出为4.2W的稳定基模绿光,光.光转换效率达到18%;采用I-类非临界位相匹配晶体倍频时,抽运光功率约为28.9W时,获得了8W稳定的基模绿光输出,光.光转换效率达到31%。结论 通过对于LBO晶体倍频特性的理论分析与实验研究,使Nd:YVO4/LBO激光器获得了较高的输出功率和具有较高的转换效率。  相似文献   

5.
本文报导了自激活自倍频 Nd_xY_(1-x)Al_3(BO_3) _4复合功能晶体的生长,测量了该晶体的双折射率,计算了位相正配角和测定了该晶体的非线性系数。首次获得了该晶体从1. 06μm 到0. 53μm 受激发射和自倍频的激光运转。  相似文献   

6.
实验中,生长、极化、制备出了掺0.02%和0.04%Mn钾钠铌酸锶钡晶体样品,并对其二波耦合、二波耦合响应时间及自泵浦相位共轭进行了测量.研究发现:掺Mn可以有效地增加钾钠铌酸锶钡晶体的吸收,在波长632.8nm,0.02%Mn晶体样品的二波耦合增益系数大于7cm-1而0.04%Mn晶体样品的二波耦合增益系数大于9cm-1,0.04%Mn晶体样品二波耦合增益时间响应比0.02%Mn晶体样品二波耦合增益时间响应快近4倍;0.04%Mn晶体样品有很高自泵浦相位共轭反射率,高达70%.实验研究表明:掺Mn可以提高钾钠铌酸锶钡晶体在长光波段的光折变性能  相似文献   

7.
本文根据双轴晶体倍频相位匹配的原理及正交晶系mm2点群有效非线性系数的计算公式,给出了对正交mm2点群双轴晶体倍频相位匹配曲线及有效非线性系数进行数值计算的计算框图、源程序;给出了对一水甲酸锂、磺基水杨酸钠、五硼酸钾进行计算的结果;并对一水甲酸锂进行了实验验证,实验结果与计算结果一致。  相似文献   

8.
根据相位匹配理论,给出三倍频的参数计算公式。详细计算BABF晶体的相位匹配角、非线性有效系数、走离角、允许角随波长变化的理论曲线,得到了对基频波长为1 064 nm和1 342 nmI类相位匹配的三倍频的相位匹配角、非线性有效系数、谐波走离角、允许角,分别为:74.84°、0.348 6×10-12m/V、0.405 3°、6.465 6 mrad.mm-1和50.87°、0.839 8×10-12m/V、1.448 5°、0.589 0 mrad.mm-1。在考虑走离效应的情况下,研究了三倍频转换效率随BABF晶体长度、基频光光斑半径的变化规律。  相似文献   

9.
分别利用Nd:YAG激光的倍频、三倍频和四倍频谐波脉冲为泵浦光源,对3种非线性光学晶体K2Al2O7(KABO),CsLiB6O10(CLBO),β-Ba<2O4(BBO)产生激光Ⅱ型非线性光参量放大相位匹配特性进行了理论计算和分析,讨论了共线以及非共线情况,计算了在不同非共线夹角下的相位匹配角度.计算结果对3种晶体用于Ⅱ型相位匹配光参量放大提供了理论依据.  相似文献   

10.
当入射光满足Ⅰ类匹配下的偏振态要求时,采用Nd∶YAG激光器,在30°切割的LiIO3晶体上实现了1.06μm与0.532μm的和频效应.结果表明,LiIO3晶体的最大量子转换效率为70%,总入射光转换效率为17%.并由此给出总入射光与三倍频光的线性关系.  相似文献   

11.
研究了红外非线性光学晶体硒化镉的光参量振荡器光学参数.根据非线性光学原理和折射率色散关系,报道了CdSe晶体在不同泵浦光波长(1.833、2.87和2.1646μm)下CASe光参量振荡器的角度调谐曲线,由此确定出信号光、闲频光以及相位匹配角的变化范围;并对CdSe晶体的走离角,有效长度以及相位匹配允许角等参数进行研究.以上研究结果,对CdSe光参量振荡(OPO)器件制备加工精度提供了重要的技术参数.  相似文献   

12.
报导了21μmCo∶MgF2激光器在室温下的实验结果,得到了0279J的21μm激光,器件效率为145%测定了Co浓度为3%(wt)的MgF2晶体对13414μm线的偏振吸收系数,测量结果表明,对该谱线π偏振和σ偏振的吸收系数分别为0804cm-1和0516cm-1.激光实验结果计算得到该晶体21μm线的激光跃迁截面为261×10-21cm2.  相似文献   

13.
倍频转换中β-BaB2O4相位匹配允许角Δθ的考虑吴逢铁张文珍(国立华侨大学物理系泉州362011)由倍频转换效率公式可知,为了获得高效倍频转换,除了提高泵浦光功率密度和寻求大的有效非线性系数的晶体外,满足相位匹配Δk=0是非常重要的。但在实际中,由...  相似文献   

14.
根据氟硼铍酸钾(KBe2BO3F2,简称KBBF)晶体最新的色散方程以及非共线匹配的条件,采用FORTAN语言变精度数值计算方法,计算了入射波长为400nm的KBBF晶体的类非共线倍频相位匹配角、有效非线性系数和允许角.计算结果显示:在第1象限内存在2个匹配方向,第1个匹配方向对应的基频o光和倍频e光的匹配角范围为51.00°~90.00°,50.83°~66.32°,52.68°~78.16°;第2个匹配方向对应的基频o光和倍频e光匹配角范围分别为51.00°~66.00°,60.41°~89.59°,55.71°~77.79°.第1个匹配方向的相位匹配角范围和相应的有效非线性系数比第2个匹配方向大,第1个匹配方向对应的允许角比第2个匹配方向小.因此非共线相位匹配结构下KBBF晶体的Ⅰ类倍频采用第1个匹配方向.  相似文献   

15.
讨论激光非线性复合功能晶体Nd:GdCOB的非线性光学性质.计算了1 064 nm的倍频 (SHG)、1 061 nm的自倍频(SFD)和808 nm与1 061 nm的自和频(SSFM)时的最佳相位匹配方向和相 关非线性系数,结果显示Nd:CdEOB的SHG、SFD和SSFM一类相位匹配方向不在主平面而是分别 位于(θ=66°,φ=132.5°)、(θ=66°,φ=132.3°)和(θ=68°,φ=117.7°),相应的有效非线性光学系 数deff分别为0.561 0、0.559 0和0.422 8 pm/V.  相似文献   

16.
讨论了腔内倍频Nd:YAG激光器中的偏振匹配原理以及由于倍频晶体双折射效应所引起的偏振损耗,分析了解决这一矛盾的一种有效方法——腔内插入1.06μm激光的1/4λ波片的基本原理。  相似文献   

17.
为了提高双轴晶体中二次谐波的效率,需要计算相位匹配曲线及有效二阶非线性系数d_(eff)~Ⅰ和,d_(eff)~Ⅱ从而求得最佳相位匹配角。本文给出了双轴晶体五种点群包括单斜m点群和三斜1点群的d_(eff)~Ⅰ和,d_(eff)~Ⅱ计算公式;给出了一水甲酸锂、铌酸钡钠、α—碘酸等八种双轴晶体的计算结果;并给出了一水甲酸锂、铌酸钡钠的二次谐波相位匹配试验结果。实验结果同计算结果非常一致。  相似文献   

18.
讨论了腔内倍频Nd:YAG激光器中的偏振匹配原理以及由于倍频晶体双折射效应所引起的偏振损耗,分析了解决这一矛盾的一种有效方法-腔内插入1.06μm激光的1/4λ波片的基本原理。  相似文献   

19.
以硼酸和NH_4F为反应溶剂,采用一步低温熔盐法合成了晶体PbB_2O_3F_2.对该化合物的非线性光学性能进行了研究,Kurz-Perry粉末倍频测试实验表明其粉末倍频效应约为11.5倍KDP,并能实现I型相位匹配.分析了PbB_2O_3F_2晶体的微观结构与非线性效应的对应关系,偶极矩计算结果表明该化合物的非线性光学效应主要来源于PbO_3F_6多面体,[BO_3F]~(4-)四面体同样存在不可忽视的贡献.  相似文献   

20.
用紧致密度矩阵和弛豫时间近似方法,研究在非对称半抛物量子阱中的二阶光学非线性.该非线性是由子能带间的共振跃迁引起的,在波长为10.6μm时,光学整流系数可达0.104mm/V(比GaAs晶体中高105倍),二次谐波产生系数可达3.1μm/V(比GaAs晶体中高104倍).在相同条件下,比阶梯阱模型的结果大一个数量级,比“极化球”模型的结果大两个数量级.  相似文献   

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