混晶GaAs1—xPx：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模，这一实验现象解释为在共振激发Ｎｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性，根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据。     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性．根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据．     

钛酸钡纳米粉料的制备及喇曼光谱分析

以硝酸钡Ｂａ（ＮＯ３）２,硬脂酸（ＨＳＴ）,和钛酸四丁脂Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为主要原料,用ＳＡＧ法（硬脂酸溶液胶－凝胶法）制备了钛酸钡纳米粉料,用ＪＯＢＩＮ ＹＶＯＮ公司的Ｕ－１０００喇曼光谱仪测量了不同温度下的喇曼光谱,通过与已指认过的喇曼谱进行比较,对获得的喇曼谱进行了分析。     

BaWO4晶体的喇曼光谱分析

采用群论的方法分析了BaWO4晶体的对称性分类，得到36个简正模，与BaWO4晶体的运动自由度相等，其中有18支喇曼活性光学膜. 实验中， 采用X(ZZ)，X(YY)，Z(XY)和X(YZ)配置获得了Ag, Ag＋Bg, Bg, Eg振动模，共观测到10支喇曼峰，并对观测到的各个配置的喇曼峰进行了指认，其中X(ZZ)配置的921?cm-1（υ1）处的喇曼峰强度最强，频移最大，线宽较窄，容易获得较高的喇曼增益，是喇曼激光器设计中的首选谱线，为喇曼激光器的设计提供了理论指导.     

低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究

本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理一生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并对外延膜进行了Ｘ射线衍射，喇曼散射和光致发光分析．发现Ｘ射线衍射曲线光滑尖锐，无杂峰，（４００）峰的摇摆曲线很锐，喇曼散射谱中ＴＯ峰与ＬＯ峰的强度比ｌＴＯ／ｌＬＯ很小，光致发光谱的半峰宽只有１２．４ｍｅＶ，说明在Ｓｉ上异质外延的ＧａＡｓ单晶膜具有相当好的质量．     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．     

Hg系高Tc超导体（Hg0.8M0.2）Sr2（Y1—xCax）Cu2O6＋δ的喇 …

对Ｈｇ系高Ｔｃ超导体（Ｍｇ０．８Ｍｏ０．２）Ｓｒ２（Ｙ１－ｘＣａｘＣｕ２Ｏ６＋δ）的晶格振动进行了化分析,给出了该晶体在Γ点晶格振动的对称性分类。利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质。实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现１４５,３２０,４４０,５７,５９２ｃｍ＾－１几个特征振动峰。在中红外吸收光谱（光声光谱）中出现６４５ｃｍ＾－１特征振动峰,而１４５,３２０,４４０,５７８,６     

柱形量子点的一阶声子喇曼散射

从理论上讨论了柱形量子点体系受限类体模,顶表面模和侧表面模参与的一阶声子斯托克斯喇曼散射。给出了有关的选择定则,分析了喇曼散射强度与量子点尺寸以及入射光偏振方向的关系。其中电子结构基于有效质量近似,电子-声子相互作用则考虑Froehlich作用,讨论结果直接给出电子和声子的有关信息。     

光纤受激喇曼散射的机理及对光通信的影响

介绍了受激喇曼散射(SRS)的机理,总结了受激喇曼散射的主要特点,着重阐述它对光纤通信系统产生的影响,并针对光纤通信中受激喇曼散射的串扰特性和自感受激散射,要求信道功率要尽可能小于阈值功率,从而克服受激喇曼散射光纤通信系统的影响.     

用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分

阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。