一个电子公式的简单证明

在用图解法分析计算基本放大电路时,引入直流负载线和交流负载线的概念.直流负载线用于分析基本放大器的静态工作点,交流负载线用于分析计算放大器的放大倍数. 如图(1)所示,为一固定偏置电路,图2为电路中三极管3DG6的输出特性曲线,图3为放大电路的交流通路.用作图法求静态工作点非常简单,只要根据输出外电路的电压     

负载网络参数对E类放大器输出电压的影响

在任意Q值和任意占空比D情况下对E类开关模调谐功率放大器进行了分析,根据谐振回路中电容值的大小,导出了放大器的工作方程,并用拉普拉斯方法,对放大器电路方程进行了求解。结果显示,当放大器的负载网络取不同参数值时,分别得到高Q值的正弦输出电压和低Q值的非正弦输出电压。在最佳工作条件下,给出了集电极电流和集电极——发射极电压波形。     

集电极电流下降时间对E类放大器的影响

E类调谐功率放大器的理想模型是集电极电流下降时间为零,笔者在集电极电流下降时间不为零的情况下对E类放大器进行了分析;在最佳工作状态下,确定了放大器的集电极电流和集电极-发射极电压波形、晶体管的瞬间能量损失、集电极效率和负载网络参数.     

变压器反馈式晶体管LC振荡器的阻值选择及形式演变

基于晶体管的变压器反馈式LC振荡器,集电极电阻和发射极电阻的阻值必须足够小,才能起振。这是由于集电极电阻构成了放大器的输出电阻,输出电阻过大将影响放大器向反馈网络输入电压的能力,从而导致正反馈失败。减小集电极电阻的目的,是减小从放大器输出端到反馈环节的输入端的耦合过程中所发生的电压衰减。由低值集电极电阻出发,可以很自然地演变出各类常见的变压器反馈式LC振荡器电路。在演变过程中,还要考虑反馈电路输出端到放大电路输入端的耦合问题。     

用四端网络分析反馈放大器

分析负反馈放大电路的常用方法有方框图法和等效电路法 .这两种方法各有优缺点 ,本文介绍用四端网络法分析反馈放大器 ,此法既保持了方框图中物理概念明确的优点 ,又可妥善地解决Ａ0 和Ｆ定量计算上的困难 .图 1表示一个反馈放大器 ,我们把内放大器 (即基本放大器 )和反馈网络作为一个整体用四端网络Ｎ表示 ,内放大器也用一个四端网络Ａ表示 ,它包括在Ｎ之内 ,在Ｎ的输入端接入信号源 ,输出端接上负载ＲＬ.内放大器可以是一级的或多级的 ,考虑到晶体管是电流控制元件 ,取电Ｉｂ 作为内放大器的有效控制信号 ,则内放大器输出端的受控电流源为…     

CMOS音频功率放大器设计方法研究

放大电路是模拟信号处理电路的基本单元。低功耗、高性能是音频放大器一直追求的目标。近几年来CMOS音频功率放大器得到很大发展，成为Mp3／Mp4、笔记本计算机，便携式DVD播放器等不可或缺的部分。采用CMOS工艺将会有效地降低功耗，但是随之而来的问题是如何获得有效的增益带宽，降低电源等产生的噪声，在低电源电压下获得近乎满幅的输出，以获得有效的电压输出等[1]。     

调谐回路振荡器的物理过程

引言许多文献中已有不少关于调谐回路振荡器的分析,但对于通常被广泛采用的晶体管外差接收机本机振荡电路却很少被提到,或是很少用简明的物理图象来表达它的工作过程。本文是针对这种振荡电路作一个分析。一、一次谐波近似法一个振荡器可以作为一个负反馈放大器而用一般的线性信号流图来表示,如图一所示     

图解法在RC耦合放大电路中的应用

本文进一步较深入的研究了RC耦合放大电路的图解,给出了电路中晶体管和各元件上的电压、电流关系及相互关系。由于在图解中找出了R_L的负载线,因而进一步克服了像射极输出器,倒相器等电路中不得不用试探法选工作点的问题。文中指出了最大集电极损耗曲线的切线可做为最大动态范围时的交流负载线的理由,因此当E_C、R_L、P_(CM)为已知数时,本文提供了选择电阻R_C的有效方法。     

基于STM32微控制器的数控稳压稳流电源设计

基于STM32微控制器设计了数控稳压稳流电源.该电源由数控模块、稳压稳流调整模块与LCD显示模块组成,采用STM32调整和控制稳压稳流调整模块的工作状态及监测电路的输出电压电流的大小,再经过运算放大器隔离放大、输出控制功率管的基极,随着功率管基极电压的变化,集电极输出不同的电压和电流.实验表明,电源输出的最大相对误差为0.25%,具有较高的精度,其输出稳定,受负载变化影响小.     

应用新方法探索建立放大器的频响特性图

摘要：在模拟电路中放大器电路部分通常有两个耦合电容影响信号频率．而容抗又是频率的函数,这对于分析频率与电容之间相互影响的关系时显得较为麻烦。通过对共射极放大电路的剖析发现,可将本级的RS看成是前级放大器的内阻,而将本级的RL看成是后级放大器的输入阻抗。经过这样处理,该级放大电路中影响频率的因素便只剩1个,并归于输入回路来讨论频率和容抗之间相互影响性问题就显得简单化了。因而提出用归纳法来分析放大器的频率特性。该方法是建立放大器频响特性图的新途径．此种方法称为“归入法”。     

E类调谐功率放大器的功率合成

通过功率合成器将Ｅ类放大器的输出功率叠加起来,作为高效的大功率ＲＦ发射机的功率输出源;对Ｅ类放大器的工作特性和同相功率合成网络的隔离、合成特性进行了分析,在最佳工作条件下,导出了集电极电流、集电极 -发射极电压波形和负载网络参数;给出了千瓦级同相功率合成实用电路,为ＲＦ发射机的设计提供了参考依据。     

放大器输出电阻的求法

<正> 如果将一个放大器的输出电路视为一个含源二端网络,并按代文宁定理等效为一个电压源(信号源),如图一,则该等效电源的内阻r_0就是这个放大器的输出电阻。所以,放大器的输出电阻就是从放大器输端看进去的交流等效电阻。对于基本放大电路,其输出电阻不难由交流等效电路一眼看出。但对各种负反馈放大器,求其输出     

LC谐振放大器的进一步研究

介绍了LC谐振放大器的设计方案与实现电路,主要由衰减器、谐振回路、放大器三个部分组成。衰减器采用纯电阻π型网络实现;谐振回路采用LC滤波电路设计;放大器采用功耗较小的2N2222A型三极管进行两级放大,输出结果时波形无明显失真。借助NI muhisim仿真软件,对传统的设计进行了进一步的改进。     

线列CCID传感器的硬件设计方法

给出了线列ＣＣＩＤ图像传感器的驱动电路和输出信号处理电路设计方法，并以ＧＺ１０１Ａ线列ＣＣＩＤ为例，介绍了具体电路和输出信号的波形，利用设计出的两部分电路和ＧＺ１０１Ａ器件可构成尺寸，位置等工业在线测量系统的通用传感器。     

一款工作于2.4 GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器

对带有源负载的CMOS双平衡Gilbert有源混频器的1/f噪声、线性度与转换增益进行深入分析。这款采用PMOSFETs做负载的混频器工作于2.4 GHz频段。为降低混频器的1/f噪声, 利用双阱工艺中的寄生垂直NPN晶体管作为开关, 同时在PMOSFETs处并联最低噪声的分流电路作为负载。运用在PMOSFETs处的高性能运算放大器, 不仅为零中频输出提供了合适的直流偏置电压, 以避免下级电路的饱和, 并能够为混频器提供足够高的转换增益。同时, 在输入跨导(G_m)级电路中采用电容交叉耦合电路能够将转换增益进一步提高。为了增加混频器的线性度, 采用共栅放大器作为输入跨导级电路。这款混频器采用TSMC 0.18m 1-Poly 6-Metal RF CMOS工艺, 在1.5 V电源电压、3 mA的电流消耗下获得了17.78 dB的转换增益、13.24 dB的噪声因子和4.45 dBm输入三阶交调点的高性能。     

一种用IC运放设计的电桥电路传感器

<正> 本文分析了一般电桥电路产生非线性误差的原因,利用集成运算放大器的特点设计出了可以从电路上彻底消除非线性误差的电桥电路传感器。1 用一般电桥电路作为传感器所存在的问题如图1所示的单臂电桥,R_x的改变引起电桥的输出U。是非线性的,分析如下;利用基尔霍夫定律,可以求得流过负载的电流为:     

Wien bridge电流模式正弦波振荡器的AOA实现

以传统的Wien bridge电压模振荡器为原型,根据网络与其伴随网络传输函数相同的特点,用伴随运算放大器(AOA)和分立电阻及电容设计出Wien bridge电流模式振荡器,该电路不仅具有速度高、频率高、电压低及功耗小等电流模电路的特点,而且振荡频率和输出幅度可独立的调谐;振荡频率和输出幅度与负载大小无关;振荡频率受寄生电容影响小,输出频率的精确度、稳定度高,电路比较简单,既适合分立电路使用,亦适合VLSI单片集成。计算机仿真证明该设计正确.     

PSIM在模拟电子技术课堂教学中的应用

将PSIM仿真软件引入模拟电子技术课程课堂教学中,以分压式偏置共射放大电路为例,建立基于PSIM的仿真电路,在课堂上直接展现晶体管基极电流、集电极电流、集射极电压、输出电压等仿真曲线,对输出电压、输入电阻、输出电阻等进行现场仿真测试,测试结果和理论数据基本一致.教学实践表明,在模拟电子技术课堂上引入仿真软件,能够激发学生学习兴趣,提高教学质量和教学效果.     

一种用于SKA的SiGe宽带低噪声放大器

文章设计了一款用于平方公里阵列(Square Kilometer Array,SKA)接收前端的异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor,HBT)低噪声放大器。放大器的第1级在反馈电感的基础上采用电容负载,利用晶体管寄生电容拓展带宽;第2级利用发射极跟随放大器实现宽带内稳定的输出阻抗。采用HHNEC 180 nm SiGe工艺对电路进行仿真,版图仿真结果表明,在0.5～1.5 GHz内,噪声系数低于1.16 dB,最小噪声系数为0.76 dB,S_(21)大于15 dB。整个电路尺寸为1.1 mm×0.98 mm(含焊盘),在3.3 V供电电压下,功耗为34 mW。     

一种宽频带大摆幅的三级CMOS功率放大器

设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3V电源电压下,电压输出摆幅为2.7V.