输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响

基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触载流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型．模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的．研究了材料参数Fh,Fe对器件复合电流密度的影响及空穴输运层厚度和载流子迁移率对器件电场强度和复合电流密度的影响．结果表明：空穴输运层厚度和载流子迁移率引起电场强度的重新分布,进而对复合电流密度产生影响;接触限制电极注入少数载流子的器件可以取得比欧姆接触注入多数载流子的器件更高的复合电流．     

电致发光有机薄膜中载流子的输运

研究电致发光有机薄膜中载流子的输运过程,迁移率是描述输运过程的关键物理量。根据载流子在格点间跳跃（hopping)输运理论,提出了一个有机薄膜中载流子输运的理论模型,推导出了迁移率的理论公式,以聚对苯乙炔（poly(p-phenylene vinylene)为例,数值计算了其在不同温度和电场下的迁移率,与实验符合得很好。     

空穴传输层厚度对双层有机发光二极管性能的影响

建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型。基于ITOlPEDOT／PSS作为空穴注入电极的双层有机发光器件ITOlPEDOT/PSSlTAPBlALq3LMg：Agl，采用较合理的无序跳跃模型来处理界面问题，数值计算并讨论了空穴传输层厚度的变化对器件性能的影响。结果表明：器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布，从而影响载流子的注入、传输和有效复合，     

P-N结器件模拟参数的确定

在给出半导体器件模拟基本方程的基础上,为减少模拟过程中的运算量,对模拟中所需的参数在何种状况下才开始起作用加以讨论。如载流子的雪崩系数,只有当电场强度达到某一值时才会考虑由于碰撞电离而引起的电子和空穴的产生,即载流子的雪崩系数,从而影响载流子的产生率。同时还给出了载流子的复合率、迁移率、本征载流子浓度、能带宽度、热传导系数随电场或温度的变化规律。     

P—N结器件模拟参数的确定

在给出半导体器件模拟基本方程的基础上,为减少模拟过程中的运算量,对模拟中所需的参数在何种状态下才开始起作用加以讨论,如载流子的雪崩系数,只有当电场强度达到某一值时才会考虑由于碰撞电离而引起的电子和空穴的产生,即载流子的雪崩系数,从而影响载流子的产生率。同时还给出了载流子的复合率,迁移率,本征载流子浓度,能带宽度,热传导系数随电场或温度的变化规律。     

输运层对双层器件电致发光效率的影响

建立了双层器件载流子输运与复合发光的多势垒的理论模型,用以描述高场下载流子输运与复合发光的机理,并详细讨论了输运层势垒及外加电压对器件复合效率的影响.结果表明:双层器件的发光是载流子隧穿内界面后在两有机层(输运层)中的复合发光,输运层的势垒宽度和高度对器件发光效率的影响很大,且阴极区(阳极区)的势垒宽度双势垒高度对其影响更大;同时也可看到电场对复合区域具有调制作用.     

SnS同质结太阳电池中的光生载流子产生、复合和输运机制研究

通过理论模拟深入研究了SnS同质结太阳电池中的光生载流子产生、复合和输运机制。本文分别采用AMPS软件中的寿命模式和俘获截面模式研究了光生载流子产生和复合;在俘获截面模式的模拟中重点讨论了分立能级和Gaussian能级的复合对电池性能的影响。本文还对电池的光照非平衡态能带结构、内建电场分布和电流输运情况进行了对比分析。     

Mev^28Si^＋注入GaAs的退火行为

报导 MeV 硅离子注入半绝缘 GaAs 的快退火行为,根据缺陷作用原理分析了硅的不均匀激活和载流子分布特征.指出应按载流子浓度、迁移率、埋层电阻和击穿等特性综合评价深埋层和近表面层的品质,优化注入和退火参数.     

InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质改善的物理机制

利用数值模拟方法,研究InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质相对传统量子阱结构光电性质改善的物理机制。模拟结果显示,与InGaN/GaN传统量子阱相比,耦合量子阱结构的电压 电流特性得到有效改善,获得较高发光强度和光输出功率。其光电性质改善的主要机制是:InGaN/GaN耦合量子阱结构能够减小电场强度、势垒高度和厚度,从而加强阱中载流子隧穿效应,改善有源区载流子分布均匀性,同时,阱层中电子 空穴波函数重叠率也得到提高。     

MoO_3改善接触的薄层MoS_2 N-型场效应管的电输运性质研究

本文利用三氧化钼(MoO_3)/金(Au)作为二硫化钼(MoS2)场效应晶体管的电极,得到了接触改善的N型二硫化钼场效应晶体管,并对其输运性质进行了变温测量.研究发现,将氧化钼作为在二硫化钼与金属电极之间的过渡层,可以很好地改善二硫化钼场效应器件的肖特基接触:对于2nm厚度的二硫化钼,其室温迁移率可达25cm2V~(–1)s~(–1),与没有三氧化钼接触的器件相比,室温迁移率提高了近16倍;对于8nm厚度的二硫化钼,其低温迁移率最高可达100cm~2V~(–1)s~(–1).优化后的电接触使得我们可以提取出二硫化钼器件本征的低温输运特性,并发现缺陷杂质对载流子的散射是影响器件输运性质的主要原因;其中在少层二硫化钼中,缺陷杂质的散射作用随着载流子浓度的增加、屏蔽能力的增强而减少.这种改善接触的方法同样适用于其他过渡金属硫族化合物.     

光折变液晶系统的表面电荷调制模型

为了研究载流子的注入对液晶盒中电压的影响,构建了光折变液晶系统中表面电荷调制的载流子注入模型。在外加直流电场的作用下,液晶中的载流子向表面聚集,形成界面双电层。该双电层屏蔽了大部分的外加电场,使外加电压基本上都降落在界面双电层上。非均匀光照射时,在光亮区,来自于ITO电极的电荷将越过界面,产生载流子复合。而处于暗区的表面电荷密度基本保持不变,界面电荷层继续屏蔽外加电场,在液晶体内形成了与光强空间分布相对应的空间电荷场。基于以上模型,给出了界面附近的载流子和电场的动态演化过程,理论分析与已有的实验结果非常吻合。     

霍尔角、霍尔电场与载流子能态关系研究

讨论了霍尔电场和外加电场对裁流子作用问题,认为外电场既改变载流子在晶格势场中的能态,也驱动栽流子作漂移运动．在外电场作用下,霍尔角正切反映了载流子在晶格势场中增加的能量占外电场输入能量的百分比,外电场输入能量的其他部分转变成裁流子漂移运动动能、晶格格点热振动能量及焦耳热．     

稳恒电场成因研究

通过比较稳恒载流导体内存在轴向稳恒电场和处于超导态的稳恒载流超导体内不存在轴向稳恒电场的现象,讨论了稳恒载流导体内轴向稳恒电场产生的原因,认为载流子在晶格势场中的加速和减速定向运动产生的变化电场起到了补偿和传递静电场的作用,大量载流子的这种补偿和传递静电场作用的统计平均值就形成了稳恒电场;由于载流子的加速和减速与电源提供的静电场是相关的,因此,稳恒电场与静电场性质是相同的.     

Superconductor-insulator transition in La2 - xSrxCuO4 at the pair quantum resistance

High-temperature superconductivity in copper oxides arises when a parent insulator compound is doped beyond some critical concentration; what exactly happens at this superconductor-insulator transition is a key open question. The cleanest approach is to tune the carrier density using the electric field effect; for example, it was learned in this way that weak electron localization transforms superconducting SrTiO(3) into a Fermi-glass insulator. But in the copper oxides this has been a long-standing technical challenge, because perfect ultrathin films and huge local fields (>10(9)?V?m(-1)) are needed. Recently, such fields have been obtained using electrolytes or ionic liquids in the electric double-layer transistor configuration. Here we report synthesis of epitaxial films of La(2-?x)Sr(x)CuO(4) that are one unit cell thick, and fabrication of double-layer transistors. Very large fields and induced changes in surface carrier density enable shifts in the critical temperature by up to 30?K. Hundreds of resistance versus temperature and carrier density curves were recorded and shown to collapse onto a single function, as predicted for a two-dimensional superconductor-insulator transition. The observed critical resistance is precisely the quantum resistance for pairs, R(Q) = h/(2e) = 6.45?kΩ, suggestive of a phase transition driven by quantum phase fluctuations, and Cooper pair (de)localization.     

恒定电流密度分布与霍耳电场

研究了恒定电流场中电流密度沿导体径向的分布和霍耳电场产生的机理及作用,结果表明,沿径向载流子密度增大、载流子定向运动速度增大,载流子在晶格势场中的能态逐步升高;无论在载流的导体内还是在处于超导载流态的超导体内都存在着径向的霍耳电场;霍耳电场的存在是载流子力学平衡的必备条件,霍耳电场关于径向的线积分是载流子在晶格势场中能量增量的量度.霍耳电场与电流磁场的坡印亭矢量表示了电流能量的传输方向,同时证明了焦耳热来源于载流子在晶格势场中的能态变化——从高能态向低能态跃迁,它可以用导体内的轴向电场和电流磁场的坡印亭矢量来表示,导体外表面附近的电场来源于载流子的运动状态变化,而不是直接来自于电源.用处于载流超导态的超导体不存在轴向电场的事实,说明了载流导体内的轴向电场并不是稳定分布的电荷产生的.     

a－Si∶H Schottky势垒太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应

本文应用计算机数值模拟方法研究了ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势主太阳能电池结构中载流子俘获对电场的调制效应．结果表明，无论先生空穴或电子俘获都将改变电池中的电场分布，导致准中性区（低场“死层”）出现或扩大，从而减小了电池的载流子收集长度，这是引起ａ－Ｓｉ：ＨＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒太阳能电池光致性能衰退的一个重要原因．     

MOS器件的热载流子效应

热载流子效应产生的原因，首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子，然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子，或者穿透氧化层，或者造成随时间而增加的界面态，或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向，一是在沟道两侧制作轻掺杂区，以降低沟道电场强度；二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度，以改善氧化层的质量，增强抗热载流子效应的能力。     

Carrier transport characteristics of H-terminated diamond films prepared using molecular hydrogen and atomic hydrogen

The H-terminated diamond films, which exhibit high surface conductivity, have been used in high-frequency and high-power electronic devices. In this paper, the surface conductive channel on specimens from the same diamond film was obtained by hydrogen plasma treatment and by heating under a hydrogen atmosphere, respectively, and the surface carrier transport characteristics of both samples were compared and evaluated. The results show that the carrier mobility and carrier density of the sample treated by hydrogen plasma are 15 cm2·V-1·s-1 and greater than 5×1012 cm-2, respectively, and that the carrier mobilities measured at five different areas are similar. Compared to the hydrogen-plasma-treated specimen, the thermally hydrogenated specimen exhibits a lower surface conductivity, a carrier density one order of magnitude lower, and a carrier mobility that varies from 2 to 33 cm2·V-1·s-1. The activated hydrogen atoms restructure the diamond surface, remove the scratches, and passivate the surface states via the etching effect during the hydrogen plasma treatment process, which maintains a higher carrier density and a more stable carrier mobility.     

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

多晶硅薄膜晶体管特性的研究商陆民，汤金榜（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）周然，杨辉勋（东南大学电子工程系，南京２１００１８）（胜利油田，山东省东营市２５７０６１）用于大屏幕显示的液晶的驱动方式，可以分...     

Magnetic phase control by an electric field

The quest for higher data density in information storage is motivating investigations into approaches for manipulating magnetization by means other than magnetic fields. This is evidenced by the recent boom in magnetoelectronics and 'spintronics', where phenomena such as carrier effects in magnetic semiconductors and high-correlation effects in colossal magnetoresistive compounds are studied for their device potential. The linear magnetoelectric effect-the induction of polarization by a magnetic field and of magnetization by an electric field-provides another route for linking magnetic and electric properties. It was recently discovered that composite materials and magnetic ferroelectrics exhibit magnetoelectric effects that exceed previously known effects by orders of magnitude, with the potential to trigger magnetic or electric phase transitions. Here we report a system whose magnetic phase can be controlled by an external electric field: ferromagnetic ordering in hexagonal HoMnO3 is reversibly switched on and off by the applied field via magnetoelectric interactions. We monitor this process using magneto-optical techniques and reveal its microscopic origin by neutron and X-ray diffraction. From our results, we identify basic requirements for other candidate materials to exhibit magnetoelectric phase control.