金属包膜的结构与铁基触媒合成金刚石的生长

利用透射电子显微镜（TEM）、原子力显微镜（AFM）研究了金属包膜的微观结构和表面形貌。结果：表明，石墨在包膜内完成了结构的转变，但不是金刚石结构；在靠近金刚石的内层包膜内发现γ-（Fe,Ni）的（11^-1^-）晶面与Fe3C的（100）晶面平行；包膜表面有锯齿状的AFM形貌，这与所对应的金刚石表面形貌相吻合。结合上述的平行关系和锯齿状形貌分析认为，Fe3C可能在金刚石生长过程中是一过渡相，γ-(Fe,Ni)吸引层状碳原子集团从Fe3C中脱溶，然后堆积在金刚石上。     

扫描隧道显微镜对黄铁矿表面微形貌的研究及成矿动力学意义

应用扫描隧道显微镜观测不同自然产状和人工合成的黄铁矿晶面，发现了豆粒状，藕节状生长丘，及平滑生长台阶和螺旋生长台阶等一组晶体表面微形貌结构现象，黄铁矿生长表面的微形貌特征与其形成和合成的热力学条件，动力学环境存在一定关系，因此认为具有成因意义。     

莫来石复相晶体生长习性

常压水热条件下,以天然高岭土为原料,制备莫来石复相晶体实验观察到莫来石晶体呈柱状生长习性.用Materials Studio 4.4 CASTEP(Cambridge serial total energy package)程序,对莫来石晶体的特征显露面族(001),(210),(110)和(120)晶面表面能进行理论计算,进而分析各晶面生长速度与习性关系.计算得出其表面能大小依次为0.337,0.022,0.217和0.039keVnm–2,根据居里-吴尔夫原理,则各晶面生长速度为V(001)>V(110)>V(120)>V(210),表明莫来石晶体能够沿c轴生长成柱状形态.莫来石晶体模型表面能计算结果合理解释了实际莫来石的柱状生长习性.     

溶菌酶晶体生长过程中固腋流动体系的流体特性

在用批量法生长溶菌酶晶体的过程中，使用粒子图像测速技术观测晶体生长固／液体系的宏观速度场，使用长工作距离显微镜测定了晶体（110）面的法向生长速率和晶体周围溶液的局域速度场．实验结果表明，固／液体系的平均流速、最大流速以及单个晶体周围的局域流速均具有起伏特性．基于蛋白质晶体的对流一扩散模型，计算了有效浓度边界层厚度δeff,界面溶质浓度Gi以及特征速度V.计算结果表明，在实验条件下，溶菌酶的晶体生长过程主要由表面动力学控制，浮力对流在质量输运中的份量很小，但随着过饱和度的增加，质量传输的份额有增大趋势．计算结果还表明，浮力对流所产生的剪切力的量级为10^-21 N，远小于溶菌酶分子间的键力，因此浮力对流产生的剪切力不会对溶菌酶晶体生长产生很大影响．     

应用于硅晶片抛光的球形单晶纳米材料

基于硅晶片的集成电路制造在现代半导体工业中占有相当大的比重。随着电子蚀刻技术的发展,现在所能生产的单个晶体管的尺寸已经达到了50nm-下。高度密集的电路和器件要求硅晶片达到原子尺度的平整并没有任何缺陷。化学机械碾磨法（CMP）是半导体工业中广泛采用的打磨工艺。到2005年,这一工艺所需的纳米颗粒已占据了所有纳米材料市场（约10亿美元）的60％。二氧化铈（CeO2）纳米颗粒是CMP工艺的主要打磨材料之一。然而,目前所能合成出来的CeO2纳米颗粒均是有棱有角的不规则晶体颗粒。这些棱角限制了硅晶片打磨表面的平整度并带来划痕和缺陷,给进一步提高集成电路上的器件密度及电路质量带来了困难。球状的纳米颗粒是最为理想的打磨材料,但是这一形貌具有较高表面能的晶面,非常难以实现。     

脆性非晶合金断裂面的纳米周期结构

中国科学院物理研究所汪卫华小组在非晶材料断裂机理的研究中获得新进展．他们发现在一些脆性非晶合金的断裂面会形成非常规则、反常的具有纳米周期条纹结构，深入观察表明这些脆性断裂在微观上是塑性断裂过程．同时，他们通过进一步地分析和计算成功对这种周期性条纹形貌产生的原因进行了解释．相关工作在线发表于2007年6月8日的《物理评论快报》（Physics Review Letters）第23期上．     

首次制备24面体铂纳米晶体

据美国Science，2007，316：731报道，厦门大学化学化工学院、固体表面物理化学国家重点实验室的孙世刚与美国佐治亚理工学院的王中林等发展了一种控制纳米晶体表面结构和生长的电化学方法，从而突破了化学法通常只能合成低表面能晶面结构纳米晶体的局限，高产率制备出具有高表面能的24面体铂纳米晶粒催化剂，显著提高了铂纳米催化剂的活性和稳定性．     

坩埚旋转下降法生长硫镓银单晶体及其特性观测

报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法．合成了高纯单相致密的ＡｇＧａＳ２多晶材料，生长出尺寸为φ１５ｍｍ×３０ｍｍ的ＡｇＧａＳ２单晶锭．对晶体的完整性进行了结构分析，观测到ＡｇＧａＳ２｛０１１｝面族的六级Ｘ射线衍射峰呈现高级次的衍射强度异常增强的反常现象．对晶体的位错蚀坑进行了扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察．     

磷酸钛氧钾(KTP)型晶体结构敏感性能

大量实验结果表明：由于KTP（磷酸钛氧钾）晶体结构的多样性，通过掺质晶体生长或离子交换处理技术，可形成一系列KTP型晶体，当掺质原子进入晶体结构后，KTP型晶体结构与KTP相比，会发生微波或局部的变化，这种微波或局部的变化往往导致了晶体宏观物理性能的变化，这种性能的变化称为KTP型晶体结构敏感性能，结构敏感性能有时可用来调谐晶体的非线性光学性能，从而拓宽了KTP晶体的应用范围。     

辽宁瓦房店金刚石的阴极发光和红外光谱分析

阴极发光（ＣＬ）图像揭示辽宁瓦房店金刚石内部结构具有３种类型：（１）简单的生长环带结构，（２）复杂环带的多期生长结构，（３）罕见的“似玛瑙状”结构，这些特点反映了金刚石生长过程的复杂性。     

用模板法制备取向Si纳米线阵列

用化学气相沉积（CVD）技术，在阳极氧化铝模板的有序微孔内，制备了高度取向的多晶Si纳米线阵列。用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）分别观察了模板及Si纳米线阵列的表面，断面形貌及单根Si纳米线的显微结构，用X射线衍射仪（XRD）分析了Si纳米线阵列的晶体结构。此方法制备出的Si纳米线阵列生长方向高度有序，直径和长度易于控制、较少发生周期性不稳定生长而产生的弯曲和缠绕现象，相对其他方法具有工艺简单、成本低、可控性强、易实现大面积生长等优点。     

β-环糊精与对苯二酚包合物的合成与晶体结构

合成了环糊精与对苯二酚包合物［（Ｃ_（４２）Ｈ_（７０）Ｏ_（３５）·（Ｃ_６Ｏ_２Ｈ_（６））_３·（Ｈ_２Ｏ）_（２１．２）·（ＣＨ_３ＯＨ）_２］，并用Ｘ射线单晶衍射法测定了晶体结构．该晶体属三斜晶系，空间群为 Ｐ１，晶胞参数：ａ＝ １．５５０ ０（１） ｕｍ，ｂ＝ １．５５３ ６（１） ｕｍ， ｃ＝ １．８２４ ６（１） ｕｍ， ａ＝ １１３．１７（２）°，γ＝ ９９．１２（２）°， γ＝ １０３．３７（３）°， Ｖ＝ ３．７７３ ９（４）ｕｍ～３， Ｚ＝ １； Ｄｃ＝ １．３４３ ｇ／ｃｍ~３， μ＝ ０．１２４ ｍｍ~（－１）， Ｆ（０００）＝ １５９４， Ｒ＝ ０．０７９ ５， Ｓ＝ ０．９６３ ９．晶体结构测定表明，客体分子在主体分子空腔内的位置以及主－客体包合物稳定存在的一个重要因素是客体分子的极性基团的溶剂化程度．     

Co纳米线阵列膜热处理前后的结构与磁性研究

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上，用电化学方法成功地制备出钴纳米线有序阵列复合膜。分别用透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线衍射仪和振动样品磁强计（VSM）对样品进行了测试表征。形貌和物相分析表明，模板中的Co纳米线均匀有序，彼此独立，相互平行，每根纳米线由一串微晶粒构成。Co纳米线属六方密堆积结构，有很好的结晶取向，晶体的C轴沿纳米线轴定向排列。热处理能优化Co纳米线的结晶取向。磁性研究显示，纳米线长到一定程度后，长度的增加不再影响它的矫顽力。纳米线短和纳米线长时，存在两种不同的磁化反转机制，对短纳米线，磁化反转机制为旋转型。在这种机制中，热处理导致矫顽力增大。对长纳米线，反磁化机制为畴壁位移。在这同制中，热处理引起矫顽力减小。微磁学计算模拟证明了它们的磁化反转机理。     

大晶面间距X射线分光晶体——马来酸氢十八酯(OHM)

OHM是一种新的大晶面间距有机X射线分光晶体。在软X射线分析中用OHM代替皂膜假晶体STE或衍射光栅可以大大提高衍射效率和波长分辨率,它是一种软X射线理想的单色器。     

Fe_3Al的解理断裂与FeAl的沿晶断裂

Fe_3Al和FeAl金属间化合物的室温脆性一直是其作为结构材料发展的最大障碍.早期的研究认为,具有DO_3型结构的Fe_3Al多晶体的室温塑性很低,是由于晶界结合强度低、容易沿晶开裂.近年来的试验发现,环境条件特别是水蒸汽存在时对Fe_3Al的室温脆性有至关重要的影响,但无论环境如何变化,Fe_3Al一直保持为穿晶解理断裂,而FeAl则为沿晶断裂.这表明Fe_3Al晶体内一定存在易于解理的弱晶面,而FeAl晶体中的晶面则相对均     

含有4个氮氧自由基铜碘络合物的合成、晶体结构和磁性

如何控制基于有机分子的自旋单元在晶体中的排列方式并导致自旋间铁磁性相互作用，以及增加自旋相互作用的维数和强度，从而使有机化合物呈现宏观铁磁性，并具有高铁磁相转变温度，是有机铁磁体研究领域一个备受关注的问题．研究了含有４个氮氧自由基的铜碘络合物Ｃｕ２Ｉ２（ｐ－ＰＹＮＮ）４（ｐ－ＰＹＮＮ：ｐ－Ｐｙｒｉｄｉｎｅ Ｎｉｔｒｏｎｙｌ Ｎｉｔｒｏｘｉｄｅ）和 Ｃｕ４Ｉ４（ｍ－ＰＹＮＮ）４（ｍ－ＰＹＮＮ：ｍ－Ｐｙｒｉｄｉｎｅ Ｎｉｔｒｏｎｙｌ Ｎｉｔｒｏｘｉｄｅ）的合成、晶体结构及磁性，并讨论了磁性与结构之间的关系．Ｃｕ２Ｉ２（ｐ－ＰＹＮＮ）４属于三斜晶系，空间群Ｐ－１，ａ＝１．３６６８（３）ｎｍ，ｂ＝１．４２８０（３）ｎｍ，ｃ＝０．７２７３（１）ｎｍ，α＝９０．１８（３）°，β＝１０１．８６（３）°，γ＝９１．０９（３）°，Ｚ＝１．Ｃｕ４Ｉ４（ｍ－ＰＹＮＮ）４属于三斜晶系，空间群Ｐ－１，ａ＝１．５５６９（９）ｎｍ，ｂ＝１．６２４７（７）ｎｍ，ｃ＝１．５１０３（９）ｎｍ，α＝９４．４８（５）°，β＝１１６．１５（５）°，γ＝８３．０７（５）°，Ｚ＝２．通过ＳＱＵＩＤ磁强计对两个化合物的磁性研究表明，Ｃｕ２Ｉ２（ｐ－ＰＹＮＮ）４     

双核钇吡唑基配合物的合成及Me2SiO插入Y--N键反应

３，５－二甲基吡唑（ＨＰｚＭｅ２）在ＴＨＦ溶液中和（Ｃ５Ｈ５）３Ｙ反应，制得了双核钇配合物「（Ｃ５Ｈ５）－Ｙ（η＾２－ＰｚＭｅ２）（μ－ＰｚＭｅ２）」２（Ⅰ）和「ＹＹ（η＾２－ＰｚＭｅ２）２（μ－ＰｚＭｅ２）（μ－ＴＨＦ）」２（Ⅱ），后者揭示了一种合成三吡唑基稀土化合物的新方法。化合物Ⅱ的Ｘ射线单晶衍射分析显示，该晶体属三斜晶系，空间群Ｐ１＾－，晶胞参数：ａ＝１．０７９８（１）ｎｍ，ｂ＝１．０８１     

GLTGS晶体生长及其热释电性能

根据结构与性能的关系，选择胍基乙酸作为掺质，采用水溶液降温法生长了ＧＬＴＧＳ晶体，发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化。对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量。结果表明，掺质显著地增强了晶体的热释电效应，与纯ＴＧＳ晶体相比，ＧＬＴＧＳ晶体在２０￣３０℃的温度范围内，热释电系数增加了４９．３％￣５５．８％，品质因子增加了３５．４％￣４９．３％。另外，经过测量晶体的电滞回线发现     

五磷酸钕晶体生长区界面的研究

在研究五磷酸钕晶体铁弹畴时,我们注意到该晶体的另一种缺陷——生长区界面。所谓生长区界面系指晶体在生长过程中,由晶体自身生长习性决定,受晶体各向异性生长速度所制约的生长面轨迹,该缺陷附近晶格畸变,严重影响器件性能,应用中要避开。我们用X射线形貌术观察和研究了这种缺陷     

龙虾D-甘油醛-3-磷酸脱氢酶与辅酶类似物结合的晶体学

与辅酶不同，辅酶类似物ＡＤＰ－ｒｉｂｏｓｅ和ＳＮＡＤ与Ｄ－甘油醛－３－磷酸脱氢酶（ＧＡＰＤＨ）的结合不表现协同性．用共晶方法和座滴汽相扩散技术培养出中国南海龙虾（Ｐａｌｉｎｕｒｕｓ ｖｅｒｓｉｃｏｌｏｒ）ＧＡＰＤＨ与ＡＤＰ－ｒｉｂｏｓｅ和ＳＮＡＤ复合物的晶体．Ｘ射线衍射数据分析表明它们的空间群均为Ｃ２，并具有类似晶胞参数，分别为 α＝ １５．２８０ ｎｍ， ｂ＝ １０．０３５ ｎｍ， ｃ＝ １２．８３１ ｎｍ， β＝１１０．２８°和α＝１５．３４１ ｎｍ，ｂ＝１０．０５１ ｎｍ，ｃ＝１２．８４４ｎｍ，β＝１１０．４８°．估算不对称单位合１个分子即４个亚基．与ＧＡＰＤＨ全酶和酶蛋白晶体比较，属于不同晶型．这个结果提示着辅酶类似物的结合产生了比较大的酶构象变化，而且这个构象变化不同于辅酶结合引起的构象变化．旋转函数计算结果表明，这两种辅酶类似物复合物的四聚体也具有明显的２２２分子对称性．它们的结构分析并与全酶和酶蛋白比较将为了解酶的协同性机理提供一些有益的线索．