PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．     

限流用陶瓷及有机PTCR元件的可靠性研究

对用于程控交换机的陶瓷和有机ＰＴＣＲ限流元件进行了温度循环，电流冲击及耐雷击波冲击等几项可靠性试验，对两种限流元件失效的理化模型进行了初步的分析，在失效判据电阻变化相同及试验频率相同的情况下，陶瓷元件寿命优于有机ＰＴＣＲ元件。     

还原气氛热处理对BaTiO3热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐｏ２｝ｐａ＝－４．１１０６￣－０．４０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究。结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率。     

还原气氛热处理对 BaTiO_3 热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐＯ２｝Ｐａ＝－４．１１０６～－４．０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究．结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率．     

有效介质理论与金属—陶瓷复合材料PTC效应

用有效介质理论对金属－陶瓷复合材料的ＰＴＣ效应进行定量分析。通过将ＧＥＭ方程应用于金属－陶瓷二相复合系统的电导率分析，发现所得到的方程与实验结果及有关工作基本相符。从而探明了提高金属－陶瓷复合材料的ＰＴＣ效应的有效途径。     

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究

陶瓷热敏电阻氢处理降阻的研究樊玉薇，贾连娣，吴冲若（东南大学电子工程系，南京２１００１８）为使钛酸钡系陶瓷正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）的电阻率在一定范围内，一般方法是通过控制原材料纯度、微量元素分布均匀性与工艺过程一致性来减小阻值分散［１］，而对烧...     

用热处理方法降低PTC陶瓷发热体的电阻值

提出了一种利用隧道窑热处理方式降低ＰＴＣ陶瓷发热体电阻值的新方法．这种方法不仅能降低电阻值而且还能提高ＰＴＣ陶瓷的主要电性能;同时还讨论了热处理条件对电性能的影响．     

低电阻率PTCR热敏陶瓷材料的研制

采用草酸盐和铵盐溶液法制备ＰＴＣＲ热敏陶瓷的前驱体（Ｂａ＿ｘＳｒ＿（１－ｘ））ＴｉＯ＿３和（Ｂａ＿ｙＰｂ＿（１－ｙ））ＴｉＯ＿３，加入半导化剂Ｓｂ＿２Ｏ＿３、或Ｎｂ＿２Ｏ＿５，以及ＡＳＴ剂（Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２和ＴｉＯ＿２）等，研制成功低电阻率（ρ≈１０Ω．ｃｍ）　的ＰＴＣＲ热敏陶瓷产品。     

铬酸钒为基的PTC陶瓷的研究

本文使用ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＥＡＳ、ＸＲＤ和电阻率测量技术，研究了工艺参数和加入（Ｃｏ，Ｆｅ２Ｏ３）对ＰＴＣ（Ｖ１－ｘ，Ｃｒｘ）２Ｏ３陶瓷的显微结构和电性能的影响。实验结果表明，为了制造优良性能、高可靠的热敏电阻器，必须精确控制陶瓷组份和工艺。引人象Ｃ。这样的添加物是重要的，它主要以金属形式分布在基体中，同时发现添加物对试样致密度和电性能的影响也是有益的。     

高耐压PTC陶瓷的制作

采用严格的陶瓷制作工艺,选择合适的配方,利用化学纯原料,制了出了不同掺杂的ＰＴＣ陶瓷并进行了比较,得到了耐压值高于２２０Ｖ／ｍｍ的良好的ＰＴＣ陶瓷。     

高性能PTCR陶瓷材料的制备

采用正交试验法设计实验,用溶胶－凝胶一步法制备了具有较高性能的低阻 ＰＴＣＲ（Ｐｏｓｉｔｉｖｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）陶瓷材料;考察了包括钛、锰、硅、 钇等 ４种元素掺杂量的改变和烧结制度的改变对ＰＴＣＲ陶瓷材料性能的影响,结果在一定的锰掺杂物浓度范围内,只要各掺杂物彼此搭配合理,利用较高受主浓度掺杂也能获得高性能的低阻 ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

Ca^2＋掺杂对PTCR元件电性能的影响

研究了Ｃａ＾２＋取代Ｂａ＾２＋后对ＰＴＣＲ材料电性能的影响，发现随着Ｃａ＾２＋含量的增加，ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ样品的平均晶粒直径单调下降，耐电压性能单调上升。Ｃａ＾２取代量在一定范围内，常温电阻率变化不大，但超过一定值后，常温电阻率急剧上升，这种现象与晶界缓冲效应有关。     

新颖苝四羧酸亚胺系化合物的光电互转换性质研究

合成了Ｎ，Ｎ＇－二正丙基－１，６，７，１２－四苯氧基－３，４，９，１０－苝四羧酸亚胺（ＰＴＣ）。利用真空镀膜技术制备了Ａｌ－ＰＴＣ－Ａｇ（Ｃｅｌｌ－Ａ）和ＩＴＯ－ＰＴＣ－Ａｇ（Ｃｅｌｌ－Ｂ）两种光电池以及ＩＴＯ－ＰＴＣ－Ｚｎｑ_２－Ａｌ（ＬＥＤ－Ｃ）双层结构的电致发光二极管。测试光电性能得：Ｃｅｌｌ－Ａ具有光生伏打效应，Ｃｅｌｌ－Ｂ没有，ＬＥＤ－Ｃ发出λ＝５５０ｎｍ的黄绿光，故ＰＴＣ具有Ｐ型半导体性质。     

添加剂BN对钛酸锶铅基陶瓷材料性能的影响

研究了添加剂ＢＮ对（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ型ＰＴＣＲ陶瓷材料电性能和显微结构的影响，试验结果表明，ＢＮ含量在０．１％￣０．４％范围内可以改善材料的显微结构，降低室温电阻率和烧结温度，从而使材料获得良好的Ｖ型ＰＴＣＲ电性能。     

关于PTC陶瓷发热材料的研制

制成性能优良的以ＢａＴ_ｉＯ_３为基的ＰＴＣ陶瓷体是全课题的主要任务。本文独立地给出了用化学共沉淀方法研制Ｂａ_（１－ｘ）Ｓｒ_ｘＴ_ｉＯ_３基ＰＴＣ陶瓷的化学反应方程式，阐述了制备低烧结温度、高性能的热敏陶瓷材料的过程和方法，并对某些关键问题进行了讨论。     

高分子PTCR可恢复过流保护性能分析

着重分析了高分子ＰＴＣＲ动作时间与异常电流、阻值的关系,漏电流与异常电流的关系,不动作电流与动作电流、阻值的关系。结果表明：高分子ＰＴＣＲ各性能指标间彼此约束、相互关联。     

程控电话交换机用 PTC 过流保护器的研究

采用居里点３５３～３８３Ｋ，温度系数＋１６％以上，电阻率３０Ω·ｃｍ的ＰＴＣ半导体陶瓷材料制成的电流敏感器件———程控电话交换机用ＰＴＣ过流保护器，已研制成功并投入使用。现从材料制造角度出发，阐述该器件的设计原理、测试方法，对器件的耐流特性进行较深入的研究。     

2，4－二硝基五环［4．3．0．0~（2，5）．0~（3，8）．0~（4，7）］壬烷~1H和~（13）C NMR的完全归属

利用１Ｈ－１ＨＣＯＳＹ，１３Ｃ－１ＨＣＯＳＹ，１３Ｃ－１Ｈ远程ＣＯＳＹ以及选择性远程ＤＥＰＴ１３ＣＮＭＲ谱，对２，４－二硝基五环［４．３．０．０２，５．０３，８．０４，７］壬烷的１Ｈ和１３ＣＮＭＲ谱进行了完全的归属．     

居里点Tc高于300℃(Ba_(1-x)Pb_x)TiO_3系PTC陶瓷发热元件研制

制造高居里点ＰＴＣ热敏陶瓷用的高铅粉体掺杂瓷料，具有易分层、易挥发、不均匀等特点．通过设计合理配方、改进均化和细化粉体的加工、制定非等温速率的阶梯状快速升降温制度。获得性能和结构都较好的居里点Ｔｃ＞３００℃的ＰＴＣ陶瓷发热元件。     

程控交换机过电流保护元件的研制

介绍了低电阻率陶瓷ＰＴＣ的设计方法及研制过程，并按照邮电部行业标准对这一实用课题的研制结果进行了分析与讨论．生产的实践证明，用国产原料、国产设备完全可以生产出这类难度较大的自复性过流保护元件．