关于N(2,2,0)代数的一类序关系方程解

进一步研究了文献[2]提出的一类序关系方程的解，推广了文献[2]的大部分结果。     

一类满足A(H)=3的图

本文构作了一类满足A(H)=3的图，它不同构于文献[2]中的图和文献[3]中的任何图。     

Banach空间中的不动点

本文主要研究完备的线性赋范空间，（即Banach空间）中的不动点问题，文献[1]、[2]讨论了两个完备的度量空间之间的不动点问题，文献[3]讨论了紧度量空间中连续自映射的不动点问题．本文在上述结果的基础上，给出了完备的线性赋范空间中的一个自映射在满足一定的条件下不动点的存在性与唯一性问题，给出了一个新的不动点定理．     

E-凸函数的一些新性质

文献[1]中Youness提出一类E-凸集和一类E-凸函数，削弱了已有的凸集和凸函数。文献[2]中Duca和Luspa利用两种上方图的概念（epis（f）和epi^E（f）），给出了E-凸函数的一些性质。本文在较弱的凸性条件上，利用文献[3]所得结论给出了E-凸函数的一些新性质。     

关于半质环的几个交换性条件

给出了半质环的几个交换性条件，推广了文献[1]、[4]中的结果。     

一阶积分-微分方程周期边值问题的极值解

通过建立新的比较定理和利用上下解单调迭代方法，获得了最大解和最小解的存在性定理。其结果是文献[1]和文献[2]给定最近结果的必要改进和补充。     

二阶差分方程边值问题的多解性

考察了边值问题{△^2u（k）＋g（k）f（u）＝0，k∈[O，T]u（0）＝（＋2）＝0的多解性，其中T为固定的自然数，将文献[5]的结果推广到了差分方程，且与文献[5]相比较，不要求limτ→0f（τ）／τ，limτ→∞f（τ）／τ存在。     

周期孔洞具平均位移的无限弹性平面问题

具单个周期洞的无限弹性平面问题在文献[1]中给出了提法，并借鉴文献[2]处理非周期孔洞问题的方法，作了一个WepMaH变换，把周期带中有多个洞的具平动位移的边值问题转化成一个Fredholm方程，并证明方程解在存在唯一。     

一类四阶时滞差分方程的全局渐近稳定性

运用半环分析法研究了一类四阶时滞差分方程解的结构以及全局渐近稳定性，所得结果推广了文献[1][5]和[6]中的结果．     

π-拟幂零群的若干性质

本文在文献[1]的基础上得出π-拟幂零群的几个性质,并推广了文献[1]中的一个结论．     

消除干扰的一种新型TTL与非门电路

本文报道了一种新型的ＴＴＬ与非门电路，该电路的特点是，当输入信号突然从高电平跳变到低电平的瞬间，不会产生电源电流干扰尖脉冲。     

电介质对电位移矢量的影响

本文讨论了电位移矢量仅与自由电荷有关的条件及极化电荷的分布规律，从而得出了电位移矢量一般情况下不仅与自由电荷有关，而且还与极化电荷有关的结论。     

轻掺杂漏LDD MOSFET的工艺及特性

对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时,利用边墙技术和全离子注入工艺,在硅栅NMOS工艺基础上,成功地制得了1μm沟道长度的LDD MOSFET.测试结果表明,LDD MOSFET击穿电压高于常规MOSFET 3V以上,同时阈值电压的短沟效应明显减小.这些优点意味着LDD MOSFET结构在VLSI中有着广泛的应用前景.     

色漆配色仪的研制

介绍了一种用三刺激值区配色漆电脑配色仪,给出了配色原理,配色系统的结构以及一组配色的实例数据。     

600kV、15mA直流高压稳压电源稳压系统

本系统采取在低压供电端用三相全桥可控硅整流器作为前置预调节器，再用晶体管串联调整器与直流高压反馈信号构成双回路闭环［１］，达到了直流高压输出电压稳定度＜０．１％，纹波系数＜０．０１％。文中对稳压各环节的参数进行了详细的分析及定量计算。     

硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响

一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。     

关于变压器电势方向的理论商榷

本文主要讨论了关于变压器电势的方向问题。按左螺旋定则设感应电势的正方向,可得出变压器原、副绕组的相电势(相电压)为同相位的结论。这样,较易于理解感应电势的物理性质,更重要的是这一结论和实验结果及国家标准GB1094—71相一致。     

柔性旋转系统油膜失稳转速下界值估计的数学论证

本文对由油膜轴承支撑的柔性转子系统的油膜振荡失稳门槛转速值的估计作了研究,从理论上证明了如下事实:一般的转子系统的失稳门槛速度必大于对应的等价单转盘转子的失稳门槛速度.这一结论提供了一个用以估计实际转子系统失稳转速的简单工程计算方法.     

对雷电成因的探讨

对雷电的成历有多种理论解释。作者从分析带电液滴在地磁场中的运动出发，提出了一种雷电荷分防的新机制。并由斯托克斯公式建立了带电液滴所受空气动力与静电场力的平衡议程，由此估算了雷电场和雷电压的可能值。并利用此观点解释了一些常见的雷电现象，作为一家之言，以期同行探讨。     

窄栅效应的二维数值分析

在MOS器件的二维窄栅效应(NGE)的数值分析中;引入了迁移率模型.改进了chung-Sah的常数迁移率近似的结果.发现其电导曲线的斜率随棚压增大由增加变为减少;其阈值电压的窄栅效应变化比常数迁移率时的大,并提出了新的窄栅效应阈值电压模型公式.当从实验上或二维计算中已知一个窄栅器件以及宽栅器件的电导——栅压特性后,就可推知其它栅宽器件的阈值电压.此模型公式用二维计算值及实验值进行了验证.