新型纳米压印光刻技术的研究和应用

纳米压印（nanoimprint）这个词汇从1995年发明到现在，目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印。纳米，已经越来越走进我们的生活，随着纳米技术的大量应用，纳米领域向我们敞开了一个神奇、美妙的世界。拜电视宣传所赐，越来越多人知道我们使用的电脑里Intel双核CPU采用的芯片是“45纳米技术”．这个技术就是目前大规模集成电路生产技术。     

上海集成电路科技馆

今年1月5日开馆的上海集成电路科技馆．是目前全国唯一一家全面介绍集成电路技术和产业发展内容的专题科技馆．也是上海乃至全国首个以集成电路知识为主要展出内容的科普教育基地。馆内参展板块由“集成电路探秘”、“集成电路发展历史渊源”、“无处不在的集成电路”、     

十六烷基三甲基溴化铵蠕虫状胶束的形成及其性质

利用激光光散射（ＬＬＳ）、＾１ＨＮＭＲ和荧光探针等技术研究了ＫＢｒ浓度对十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＡＢ）胶束性质的影响,其性质包括胶束的摩尔质量ＭＷ,旋转半径Ｒｇ,流体力学半径Ｒｈ和胶束的微粘度,结果表明,在０．０１ｍｏｌ．Ｌ＾－１ＣＴＡＢ胶束体系中,随着ＫＢｒ浓度地增大,Ｒｈ从３．５ｎｍ增至４３ｎｍ,Ｒｇ增至８９ｎｍ,Ｗｍ高达１０＾６,胶束的微粘度亦增大。但ＫＢｒ的浓度小于０．１ｍｏｌ．Ｌ＾－１     

极谱法测定植物中聚(ADP-核糖基)聚合酶活性

建立了一种简便,灵敏,可信的ＰＡＲＰ活性测定的非同位素方法,即用线性扫描极谱法测出植物中ＰＡＲＰ酶促反应产物烟酰胺的含量,从而测定了ＰＡＲＰ的活性。ＮＩＣ的检测限达０．０３μｍｏｌ／Ｌ,线性关系为０．０６－５μｍｏｌ／Ｌ,相关系数ｒ＝０．９９９,ＮＩＣ的回收率约达９２％－９８％,相对标准偏差小于６．６％《     

强磁场中射频溅射沉积Fe-Si-O薄膜的结构及磁性

研究了强磁场对射频溅射沉积Ｆｅ－Ｓｉ－Ｏ薄膜的微结构和磁性能的影响,在Ｏ２流量比小于１．０％,外加磁场低于１．０Ｔ的溅射条件下,得到了中孔型,相分离型和混合型３种典型的样品宏观形貌,表明强磁场不但影响等离子体的分布而且影响溅射原子的角分布,在Ｏ２流量比大于２．０％,外加磁场高于２．０Ｔ的条件下制备的Ｆｅ－Ｓｉ－Ｏ薄膜中,经Ｘ射线衍射分析发现了强（１１０）取向的Ｆｅ３Ｏ４相;磁性测量发现垂直膜面方向     

阴离子表面活性剂AES虫状胶束的形成

应用流变学方法和冷冻蚀刻透射电子显微镜技术,研究了阴离子表面活性剂十二烷基聚氧乙烯（３）硫酸钠（ＡＥ）在ＡｌＣｌ３溶液中胶束的生长和结构．通过对溶液的剪切黏度、剪切应力、复合黏度、动态模量等物理量的测量,应用 Ｃｏｘ－Ｍｅｒｚ规则和 Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图,发现在 ＡＥＳ／ ＡｌＣｌ３体系中可以形成虫状胶束和网络结构,且体系是偏离Ｍａｘｗｅｌｌ模型的黏弹性流体．应用冷冻蚀刻透射电子显微镜技术,研究了０．０８ｍｏｌ·Ｌ－１ＡＥＳ／０．８ｍｏｌ·Ｌ－１ＡＬＣＬ３体系的结构,进一步证实了虫状胶束的存在．     

OTS分子膜的摩擦特性

在单晶硅和玻璃的基体上制备了十八烷基三氯硅烷（ＯＴＳ）的自组装膜,并采用自行研制的环境控制式点接触纯滑动微摩擦性能测量仪测试了其摩擦特性,考察了湿度对ＯＴＳ自组装膜及基体表面摩擦性能的影响。基体摩擦系数为０．４～０．５,在其表面制备ＯＴＳ自组装膜之后,摩擦系数降至０．１左右,且黏滑现象得到减轻,表明ＯＴＳ膜具有较好的润滑特性。由于ＯＴＳ自组装膜具有强斥水性,其摩擦学性能对湿度变化不敏感,在２０％～     

TCNQ 分子在Cu(111)面上吸附结构的电化学扫描隧道显微技术

用电化学扫描隧道显微技术（ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ,ＥＣＳＴＭ）研究了０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌＯ４溶液中ＴＣＮＱ分子（ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）在Ｃｕ（１１１）表面的吸附结构。结果表明,ＴＣＮＱ分子在Ｃｕ（１１１）表面形成有序的（４＊４）结构,分子的π结构,分子的π电子与Ｃｕ表面相互作用,形成“平卧”的水平     

与硅基技术兼容的二维过渡金属硫族化合物电子器件

作为现代信息社会的物理基石,以硅基材料为核心的集成电路极大推动了人类现代文明的进程.但是,随着晶体管特征尺寸微缩逐渐接近物理极限,传统硅基材料出现了电学性能衰退、异质界面失稳等挑战,导致集成电路数据处理能力提升难、功耗急剧增加等问题产生.超薄二维过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDCs)具有表面平整无悬挂键、电输运性能优异、静电控制力强、化学性质稳定等优势,可有效解决上述问题,被认为是后摩尔时代集成电路的最具潜力候选材料之一.目前,二维TMDCs集成电路研究在多个关键领域均取得了突破性成果,但距离产业化应用仍需要克服一些挑战.本文着重介绍了二维TMDCs材料与电子器件在集成电路应用的各方面优势,系统阐明了二维TMDCs集成电路在材料控制生长、范德华界面优化以及器件设计构筑等方面的关键科学问题,提出了相应解决办法和应对措施,分析了二维TMDCs集成电路产业化进程中的综合性挑战,明确了“与硅基技术兼容”二维TMDCs集成电路发展路线的优势、可行性与突破方向.     

表面等离子体超衍射光学光刻

由于光波衍射特性,传统光学光刻面临分辨力衍射极限限制,成为传统光学光刻技术发展的原理性障碍.表面等离子体(surface plasmon,SP)是束缚在金属介质界面上的自由电子密度波,具有突破衍射极限传输、汇聚和成像的独特性能.近年来,通过研究和利用SP超衍射光学特性,科研人员提出和建立了基于SP的纳米干涉光刻、成像光刻、直写光刻等方法,在紫外光源和单次曝光条件下,获得了突破衍射极限的光学光刻分辨力.目前,基于SP成像结构,实验中获得了22 nm(~1/17波长)最高SP成像光刻线宽分辨力水平.SP将为发展高分辨、低成本、高效、大面积纳米光学光刻技术提供重要方法和技术途径.本文系统综述了SP光学光刻技术研究发展情况,总结和分析了技术发展现状、存在问题,并对其发展趋势和前景进行了展望.     

超精密表面抛光材料去除机理研究进展

化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing, 简称 CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术, 在超精密表面加工领域得到了大量研究和应用. 概述了超大规模集成电路(Ultra-large Scale Integration, 简称ULSI)多层布线中硅片、介电层和金属材料以及磁头/硬盘片化学机械抛光材料去除机理的研究现状和发展趋势, 重点评述了化学机械抛光过程中抛光液研磨颗粒与抛光片表面间相互作用机制, 并提出了材料去除机理的研究方法.     

高重复频率高次谐波驱动源技术

超快驱动光源技术的不断进步激发了极紫外阿秒脉冲在原子分子的精密光谱学及超快动力学研究中的巨大潜力.本文回顾了高重复频率飞秒激光驱动高次谐波产生的发展历程,并以高重复频率极紫外光源的应用为切入点梳理了钛宝石激光系统、掺镱光纤激光系统以及掺镱全固态激光系统等驱动光源的参数特点、适用范围以及发展趋势等.最后,提出了用以驱动兆赫兹量级重复频率高次谐波产生的紧凑型全固态放大方案.     

甚短距离光互连集成电路

甚短距离光互连高速集成电路技术把光电子器件和高速集成电路紧密结合起来, 可提供多条高速并行信号通道, 在短距离内传输达到上百Gb/s甚至Tb/s的总带宽. 本文介绍了甚短距离光互连高速集成电路基本结构, 从甚短距离光传输系统应用研究、光源与探测器、高速光电芯片封装技术和关键高速电路等几个方面, 介绍了国内外该领域的最新研究进展. 最后对甚短距离光互连集成电路应用前景进行了展望.     

微电子:三十年观察——战略、决策和反思

从技术角度说,微电子技术是以大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)为核心内容的技术.按照技术社会学家和工业史家的观点,微电子技术是专指半导体技术.按照前一种观点,微电子技术和微电子工业的历史才有二十年,因为1967年标志大规模集成电路时代的到来.而按照后一种观点,     

未熟和低熟烃源岩中脂肪酸的赋存形式与分布特征

未熟、低熟烃源岩中的脂肪酸赋存于抽提沥青和干酪根中,沥青脂肪酸主要以酯键结合于沥青的非烃组分内,干酪根脂肪酸以酯醚键结合于干酪根网络结构中,有一部分是与干酪根网络结构结合更紧密的强干酪根脂肪酸。辽河盆地与济阳拗陷未熟、低熟烃源岩的沥青脂肪酸含量在０．０１００％～０．０７３９％,干酪根脂肪酸为０．００５０％～０．０４５５％,强干酪根脂肪酸为０．０００５％～０．０１０５％,其中一元脂肪酸占７０％～１０     

顽火辉石的高压声速和下地幔的可能组成

用光分析技术在４０－１４０ＧＰａ的冲击压力范围内测量了钙钛矿型顽火辉石的高压声速。实验测定其纵波声速ＶＰ与冲击压力Ｐ的关系为：ｌｎＶｐ＝３．７０９－０．。６９１ｌｎＰ＋０．０９４（ｌｎＰ＾）２且声速ＶＰ和ρ满足Ｂｉｒｃｈ定律：Ｖｐ＝４．０６８＋１．６７７ρ,可以确认在下地幔的温度压力下钙钛矿型顽火辉石是稳定的。     

新型钙钛矿ABO3 型B 位含铋混合导体透氧膜

研究与合成了系列新型的钙钛矿型Ｂ位铋掺杂混合导体透氧膜材料,对其结构与透氧性能进行了测定．发现ＢａＢｉ_（０．２）Ｃｏ_ｙＦｅ_（０．８－ｙ）Ｏ_（３－δ）（ｙ≤０．４）及ＢａＢｉ_ｘＣｏ_（０．２）Ｆｅ_（０．８－ｘ）Ｏ_（３－δ）（ｘ＝０．１～０．５ ）都可以形成立方晶相的钙钛矿型复合氧化物．透氧测定表明此系列材料具有非常高的氧渗透能力．ＢａＢｉ_（０．２）Ｃｏ_（０．３５）Ｆｅ_（０．４５）Ｏ_（３－δ）导体膜,在膜片一端为空气氛另一端为氦气氛情况下,９００℃时透氧量高达０．７７ × １０~（－６） ｍｏｌ／（ｃｍ~２·ｓ）以上,远远高于相同条件下其他的含铋透氧膜材料．并发现透氧量随着钴含量的增加而增加,而与铋含量无简单的关系．Ｏ_（２）－ＴＰＤ测定表明,材料具有优良的氧吸附脱附可逆性．长时间透氧测定表明,ＢａＢｉ_（０．２）Ｃｏ_（０．３５）Ｆｅ_（０．４５）Ｏ_（３－δ）ＢａＢｉ_（０．３）Ｃｏ_（０．２）Ｆｅ_（０．５）Ｏ_（３－δ）导体膜在８７５℃下都具有较稳定的氧渗透行为．     

基于AFM 单分子力谱技术的CD20-Rituximab 间相互作用力测量

原子力显微镜(AFM)的发明为测量分子间特异性相互作用力提供了新的技术手段.利用AFM 单分子力谱 (SMFS) 技术分别测量了提纯的CD20, 淋巴瘤Raji 细胞表面的CD20 和淋巴瘤病人B 细胞表面的CD20 与Rituximab (抗CD20 单克隆抗体)之间的相互作用力. 通过探针功能化技术, 将Rituximab 连接到AFM针尖; 通过基底功能化技术, 将提纯的CD20分子吸附到云母表面, 对CD20分子进行了AFM成像, 并测量了CD20与Rituximab 之间的相互作用力; 通过静电吸附和化学固定, 将淋巴瘤Raji 细胞和淋巴瘤病人细胞固定到载玻片表面, 对Raji 细胞和病人细胞进行了AFM 成像, 并分别测量了Raji 细胞表面的CD20 和病人B 细胞表面的CD20 与Rituximab 之间的相互作用力. 比较并分析了在提纯的CD20 分子表面、Raji 细胞表面和病人B 细胞表面测量CD20-Rituximab 相互作用力的差异,实验结果表明Raji 细胞表面的CD20 与Rituximab 之间的相互作用力明显小于提纯的CD20 以及淋巴瘤病人B 细胞表面的CD20 与Rituximab 之间的相互作用力, 为深入研究造成Rituximab 耐药性差异的分子机理提供了技术思路和实验方法.     

云南哀牢山带两类硅质岩特征

对云南哀牢山带蛇绿岩底部及顶部两类放射虫硅质岩的地质学、微体古生物学、同位素及稀土元素地球化学研究表明：蛇绿岩底部为浊积岩建造,其放射虫种属相当于晚泥盆世;硅质岩δ~３０Ｓｉ为－０．４‰～０．５‰（平均 ０．０３‰）,δＣｅ为 ０．７７～０．９７（平均 ０．８５）, Ｌａ_Ｎ／Ｙｂ_Ｎ为 ０.７７～１．０６（平均０．９６）,均指示其形成于深海环境;蛇绿岩顶部的放射虫硅质岩与蛇绿岩套中玄武岩呈整合接触,属于哀牢山带蛇绿岩套组成单元,该放射虫硅质岩为含泥硅质建造,其放射虫种属相当于早石炭世,硅质岩δ~３０Ｓｉ为０．２‰～１．３‰（平均０．７‰）, δＣｅ为０．８８～０．９２（平均０．９０）, Ｌａ_Ｎ／Ｙｂ_Ｎ为０．７７～１．４５（平均１．２２）,均指示其形成于半深海环境,表明当时哀牢山是一个小洋盆．     

长江口水体混合过程中溶解态稀土元素分布特征

采用液－液萃取与反萃取分离富集方法和ＩＣＰ－ＭＳ测试技术、对长江河口南支盐度０．１５￣１９ｍｇ／ｇ表层水体中溶解态稀土元素（ＲＥＥ）的浓度进行了测定,与世界其他河口相比,长江口溶解态ＲＥＥ的河水端员浓度相对偏低,仅为１１．９６３（Ｙ）￣０．０９８（Ｌｕ）ｎｇ／ｋｇ。溶解态ＲＥＥ在长江口低盐度区（０．１５￣１ｍｇ／ｇ）明显析出,但其析出率相对偏低,仅为４７％（Ｌａ）￣２５％（Ｌｕ）左右。由于长江口水