牛顿环与等倾干涉条纹比较

对牛顿环等厚干涉和薄膜等倾干涉条纹形状、干涉级次以及膜厚改变和复色光照射时的情况作了比较分析．     

薄膜干涉中的半波损失与薄膜厚度

阐述了薄膜干涉中透膜的增透过程，指出了学生在知识整理中因忽视半波损失而对皂液薄膜产生的错误认识，分析了学生容易出现错误的原因，以引起教学中重视。     

基于Origin的牛顿环实验仿真

根据光的干涉原理,以牛顿环干涉实验为例,介绍利用Origin软件实现光学实验仿真的方法.通过改变凸透镜曲率半径、介质折射率、入射光波长和薄膜厚度等参数,观察到等厚干涉图样的相应变化,为光学的理论分析与实验教学提供便利.该方法避免了复杂的编程,实现过程简便易学.     

等厚干涉的条纹宽度变化与球面的径向应变率关系的研究

等厚干涉的条纹宽度与薄膜厚度及入射光的波长宽度有关,因此可以通过测量等厚干涉的条纹宽度来测量入射光的波长宽度,以及通过测量条纹宽度变化率来测量曲面的变形率.     

光程的概念与薄膜干涉中光程差的表示方法

给出了光程定义的数学表达式,提出了"几何光程"和"物理光程"的概念,同时在光程及光程差的表达式中引入"半波损失选择项".采用这样的表述方式,使学生在讨论薄膜干涉时,思路清晰明了,结果(即得到的公式)适合任意情况.     

聚类分析用于序列SAR干涉像对选取

该文分析了干涉像对选取过程,提出一种利用聚类分析进行序列SAR干涉像对选取的方法. 选择合适的去相干因素构建特征空间,将序列SAR影像所有干涉组合的去相干因素映射到该特征空间,从而将干涉像对选取问题转换为特征空间的聚类分析. 根据干涉像对选取原则设计合适的聚类方法对去相干因素进行聚类,聚类结果对应于符合要求的干涉像对,实现序列SAR干涉像对的选取. 实验结果表明该方法简单有效.     

光的干涉和衍射探讨

为了使学生能够容易地接受光的干涉与衍射的知识,对干涉与衍射的区别和联系有深刻的理解,对干涉和衍射的概念以及它们的区别和联系加以系统的阐述.教学实践表明,通过对光的干涉与衍射现象本质的分析,使学生明白了各种现象之间的联系和各原理的适用条件,缩小了学习跨度,提高了教学效率.     

牛顿环实验装置的改进及干涉条纹的分析

通过改进牛顿环装置，获得了更加清晰的干涉条纹，从而使得条纹更易于观察，同时也提高了测量的精确度；并运用干涉理论对不同情况下的干涉条纹的光强和对比度进行了分析。     

干涉光场的纵向效应及其应用

对干涉光场的纵向效应进行分析和讨论，推出纵向位移与干涉光场变化的定量关系式，并介绍了在精密测量中的应用。     

光的干涉与衍射现象的物理本质

以光学课程教学中反映出来的疑难问题为线索,分析了光的干涉与衍射现象,讨论了干涉与衍射现象中光程差的问题,指出了光程差的不同是光的干涉与衍射现象的本质差别.帮助学生更好地掌握光的干涉与衍射的知识,深刻理解干涉与衍射的区别和联系.     

ZnO薄膜发光特性的研究

为了研究全色显示中的蓝光问题,用电子束蒸发的方法生长了ZnO薄膜,不同温度对ZnO膜进行退火处理结果表明:退火对电致发光的影响比对光致发光更明显,O2气氛中高温退火样品的发光强度不如低温退火样品,合适的退火温度和退火气氛可以改善ZnO膜薄的结晶状态,使电致发光显著蓝移。     

应用人工网络对化学传感器CaxPb1-xTiO3薄膜的晶格畸变进行评估

利用人工神经网络对化学传感器的晶格畸变进行了深入研究.实验结果表明:传感原件钙掺杂钛酸铅薄膜材料随合成参数的变化而呈现不同的晶格畸变度,该参数通过X射线粉末衍射精细结构确定,并作为人工神经网络的输出变量;合成参数作为输入变量,以MatlabTM作为操作平台,利用三层识别方法对传感元件的纳米结构进行评估与预测.实验结果与...     

非均匀基底薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo方法对薄膜生长过程进行了计算机模拟,研究了在有缺陷的基底下,沉积粒子的能量和入射率对薄膜生长的影响.通过模拟发现,随着沉积粒子的能量提高或入射率的降低,沉积在基底上的粒子逐步由各自独立的离散型分布向聚集状态转变形成岛核.分析表明,这些变化是由于能量粒子的介入使得表面粒子的扩散能力增强,而入射率越小,每一步中对应粒子的扩散时间就越长,所以大量粒子能够充分扩散.     

杨氏双缝干涉中的两个近似计算及其误差分析

分析了点光源杨氏双缝干涉中光程差的近似计算及其误差产生原因,也分析了带状光源杨氏双缝干涉中光源宽度临界值的近似计算及其误差产生原因,同时给出了两个近似计算的新的适用条件.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

Zn1-xSrxS:Cu薄膜电致发光特性的研究

首先我们制备了结构为：ITO／SiO2／ZnS:Cu／SiO2／Al的薄膜电致发光器件,其电致发光为绿色的宽带发射．然后将发光材料换成Zn1-xSrxS：Cu,制备同样结构的薄膜电致发光器件．结果发现电致发光光谱由原来的550nm单个峰的宽带发射变成了双峰发射．峰值位置分别为430nm和530nm左右,而且随Sr浓度的变化而不同．该体系Cu离子的蓝光发射主要是由于Sr的掺入使ZnS基质的禁带变宽以及蓝色发光中心能级上的电子不易被离化到导带所致．     

真空紫外薄膜光学常数的多约束非线性方程组计算

本文推导出目标函数的导数公式，改进了利用“多约束非线性方程组”计算真空紫外光学常数的方法，我们自编了ＶＵＶ－ＲＯＣＰ微机软件，可由真空紫外反射率求出真空紫外薄膜光学常数和入射光的偏振度。运用该软件对不同工艺的Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ样品的反射率进行解析，得到了它们的真空紫外薄膜光学常数，并与国外报道的结果进行了比较。     

酞菁锌升华膜的制备及其NO2气敏性研究

利用真空升华法制得酞菁锌(ZnPc)薄膜,与ZnPc溶液相比较,电子吸收光谱谱带明显变宽,且Q带吸收峰分别红移了22nm,表明ZnPc分子在基片上以J-聚集体存在;红外光谱谱图基本相似,表明分子基本呈无序状态,ZnPc薄膜为无定形.气敏性研究表明ZnPc升华膜对NO2气体的灵敏度与成膜时蒸镀电流和蒸镀时间均有关系,当电流控制在85A蒸镀时间1.5h时,所得ZnPc薄膜室温下对浓度为50.0mg/m3的NO2气体的灵敏度达到2300,而对醇类、SO2、Cl2等气体几乎不响应,表现出对NO2气体特殊的选择性.