Cu 在 FeCl_3 溶液中的蚀刻研究

研究了ＦｅＣｌ３溶液浓度、温度及样品在溶液中的运动速度对Ｃｕ蚀刻速度的影响。在所研究的溶液浓度范围内，蚀刻过程为扩散控制为主的过程；在溶液相对密度为１．２６～１．３２时Ｃｕ的蚀刻速度具有极值。Ｃｕ在ＦｅＣｌ３溶液中蚀刻其表面有ＣｕＣｌ膜的沉积，钝化膜对Ｃｕ的蚀刻有大的影响；蚀刻反应受Ｆｅ３＋通过钝化膜的扩散过程控制。试验拟定了初步的蚀刻工艺。     

微氟循环玻璃蚀刻的工艺研究

应用正交试验和单因子实验分别确定了微氟循环蚀刻液的配比及微氟循环蚀刻的最佳工艺条件.结果表明,蚀刻的最佳工艺条件为:pH=5.5,温度为48℃,时间为2.2h.并经SEM和IR实验测试,玻璃表面蚀刻均匀,蚀刻深度为5.8μm,深度均一,表面平整,无侧蚀现象.蚀刻后废液经化学处理可实现循环使用.     

三维风沙运动的CFD-DEM数值模拟

采用计算流体力学（Computational Fluid Dynamics,CFD）和颗粒离散元（Discrete Element Method,DEM）耦合的方法模拟三维风沙运动,并且将三维模拟结果和二维模拟结果以及实验结果进行了对比.计算结果表明：沙粒水平速度随着高度按幂函数规律增加,沙床表面附近沙粒撞击和起跳速度的概率分布均可用对数正态函数描述,沙粒撞击和起跳角度的概率分布均可用指数函数描述,沙粒水平速度、展向速度和垂直速度在不同高度处的概率分布可分别用对数正态分布、正态分布和正态分布表示.与二维计算结果的分析对比表明：二维计算得到的颗粒速度的分布规律和三维计算结果类似,但二维计算的颗粒表观密度明显偏大,由此导致输沙量计算偏大.和实验结果的对比表明：三维计算得到的颗粒速度概率分布与实验基本保持一致.     

浸泡法快速制备超疏水黄铜表面

采用化学蚀刻和溶液浸泡相结合的方法制备具有超疏水性的黄铜表面.按比例配置HCl、HNO3和HF的混合溶液蚀刻黄铜,蚀刻后用硬脂酸溶液进行修饰以获得接触角大于150°的表面.通过扫描电镜对表面结构的观察以及能谱分析,发现蚀刻后的表面具有片状和微小乳突组成的微/纳二级结构,修饰后的这些结构可以捕获大量空气.根据Cassie模式的计算方程,水滴与空气的接触面积约占总接触面积的94.11%.实验研究了不同蚀刻时间对试件表面润湿性的影响,理论分析微结构的形成机理.发现最佳制备条件为：蚀刻时间5 min,浸泡时间1 h,此条件下制备的试件的接触角达到164.5°.
     

印制电路板蚀刻废水中重金属污染物分析

对印制电路板生产中表面酸洗去除铜箔表面氧化层和蚀刻后清洗过程中产生的清洗废水中的重金属污染物进行了分析。除总铜污染因子外,应关注总镍、总铬等第一类污染物,并分析计算了污染物浓度,提出了废水处理过程中应分质处理,确保达标排放。     

对4J42合金蚀刻问题的初步研究

本文通过对４Ｊ４２合金在喷淋条件下的失重腐蚀实验进行研究，结果表明：腐蚀速度随ＦｅＣｌ３Ｂｅ＾＋的提高而降低，随温度升高而增加，随盐酸浓度的增加而降低，在喷淋条件下的标准板实验和金相观察结果表明：腐蚀速度越快，蚀刻因子越大。     

对4J42合金蚀刻问题的初步研究

本文通过对４Ｊ４２合金在喷淋条件下的失重腐蚀实验进行研究，结果表明：腐蚀速度随ＦｅＣｌ３Ｂｅ°的提高而降低，随温度升高而增加，随盐酸浓度的增加而降低在喷淋条件下的标准板实验和金相观察结果表明：腐蚀速度越快，蚀刻因子越大     

离子束蚀刻固体表面形貌发展研究

本文导出了离子束蚀刻固体表面形貌发展的一般方程,利用非线性方程的特征曲线解法,建立了离子束蚀刻固体表面形貌发展的三维理论,并由该理论导出了Carter等人的二维理论。     

内送粉超音速等离子喷涂颗粒飞行状态分析

针对超音速等离子喷涂过程中飞行颗粒与气流相互作用过程难以从实验获得的问题,采用数值计算方法,对以内送粉形式加入的原料颗粒的飞行状态进行跟踪分析,并利用SprayWatch-2i仪对飞行颗粒进行在线监测。计算得到了粒子的动力学和热力学行为以及撞击基体前的速度和温度分布,发现颗粒在喷涂距离为80~100mm的速度和温度最大,这与实验收集到的此范围内单个颗粒的形态相符,可选择此范围为最佳喷涂距离。通过分析韦伯数以及小直径颗粒的速度分布得出,在内送粉超音速等离子喷涂过程中,颗粒在喷枪内部和近出口位置会发生破碎细化和雾化,这与实验观测的结果一致。该计算及分析结果可为颗粒在射流中的传热传质研究提供参考,为获得高质量涂层提供理论依据。     

新法腐蚀铜匾牌技术

腐蚀标牌是一种传统的工艺技术，在加工过程中，图文的转移均是由液体感光胶通过光化学法实现的。这种方法尽管具有图文变形小的特点，但制作工序多，生产效率低，且劳动强度大，能耗多。采用蚀刻网印铜匾工艺，可提高生产效率数倍，节约大量辅助材料和能源。传统的工艺大部分采用三氯化铁溶液进行蚀刻，因其缺点较多，现在已经不受欢迎。改革开放以来，我国双氧水工业发展很快，购买也十分容易，这就为我们探索新的蚀刻方法提供了有利条件，并用双氧水蚀刻铜牌，取得了预期效果。1蚀刻工艺1．1蚀刻波配方：28％工业过氧化氢（H2O2）16升98…     

共沉淀-酸蚀法制备磁性液体及其微粒分析

用共沉淀法制备了ＣｏＦｅ２Ｏ４超细微粒,不同表面活性剂而通过控制酸蚀,合成了稳定的磁性液体。通过Ｘ－射线衍射、振动样品磁强计、透射电子显微镜以及扫描隧道显微镜对微粒进行了分析。对共沉淀－酸蚀法制备磁性液体的机理进行了探讨。     

基于生物刻蚀原理制作微小齿轮结构

生物刻蚀是从生物学的角度研究加工制造的方法.采用氧化亚铁硫杆菌作为生物氧化剂,刻蚀铜及铜合金材料的基片表面,获得微小齿轮结构,并对细菌的生长环境进行了分析研究.     

一种新型的机械化学抛光模型

分析了机械化学抛光(CMP)过程中氧化剂与磨粒的化学机械协同作用机理,将CMP过程分为化学作用主导阶段和机械作用主导阶段.应用微观接触力学和颗粒粒度分布理论,对这两个阶段分别建立了表征芯片表面材料去除率的数学模型,根据这两个阶段的平衡点推出了表征芯片表面氧化膜生成速度的数学表达式.模型综合考虑了机械和化学作用因素、磨粒的浓度、磨粒的粒度分布特性及磨粒/芯片/抛光盘的材料特性参数对CMP过程的影响,并通过图表分析了磨粒体积浓度、磨粒平均粒径粒度、磨粒粒度分布宽度以及氧化剂浓度对CMP过程芯片表面材料去除率的影响规律.     

Research on the molecular scale material removal mechanism in chemical mechanical polishing

This paper investigates a novel molecular scale material removal mechanism in chemical mechanical polishing （CMP） by incorporating the order-of-magnitude calculations, particle adhesion force, defect of wafer, thickness of newly formed oxidized layer, and large deformation of pad/particle not discussed by previous analysis. The theoretical analysis and experimental data show that the indentation depth, scratching depth and polishing surface roughness are on the order of molecular scale or less. Therefore, this novel mechanism has gained the support from wide order-of- magnitude calculations and experimental data. In addition, with the decrease in the particle size, the molecular scale removal mechanism is plausibly one of the most promising removal mechanisms to clarify the CMP polishing process. The results are useful to substantiating the molecular-scale mechanism of the CMP material removal in addition to its underlying theoretical foundation.     

锡对Ly12铝合金化铣蚀坑的影响

本文研究了Ｓｎ对Ｌｙ１２铝合金化铣蚀坑的影响。结果表明，加Ｓｎ合金化铣后，不出现蚀坑，硬度高于不加Ｓｎ合金的硬度，产生上述作用的原因是合金中加Ｓｎ后抑制了第二相沿晶界的析出。     

激光清洗在金属表面处理中的应用研究进展

激光清洗可以高效去除金属表面杂质和氧化物,提高表面质量,具有无污染、对基体伤害小、清洗效率高等优点。本文综述了激光清洗在金属表面脱漆除锈、轮胎模具清洗、微型机械清洗、文物保护、去油污以及核净化等方面的应用研究进展,发现目前该领域存在的问题主要是激光清洗的机理、工艺还不够完善,对于不同的材料没有明确清洗阈值和损伤阈值之间的关系,未来应完善不同材料的清洗机制,明确清洗阈值,以实现精密高效清洗。     

求解DCMST问题的模糊离散粒子群优化算法

提出了一种求解度约束最小生成树问题（DCMST）的模糊离散粒子群优化算法（PSO）,粒子编码采用Prüfer数编码机制,并引入模糊矩阵产生Prüfer数,迭代过程中加入归一化运算对位置矩阵进行修正,利用最大数法进行解模糊化。通过仿真实验验证了算法的有效性。     

煤尘云最低引燃温度实验研究

 利用HY16429 粉尘云引燃温度实验装置,测定不同煤种不同粒径煤尘云的最低引燃温度,研究挥发分和煤尘粒径2 种因素对煤尘云最低引燃温度的综合影响。结果表明,同一煤种煤尘云最低引燃温度随粒径的减小而降低;当煤尘粒径≥250 μm 时煤尘云出现火星的温度受挥发分含量的影响较小,且不同煤种出现火星的最低温度相近;煤尘粒径较小时煤尘云最低引燃温度随挥发分含量的增大而降低。     

Observation of etch pits in Fe-36wt%Ni Invar alloy

To indirectly investigate the dislocation behavior of Fe-36wt%Ni Invar alloy by the etch pit method, polished Invar specimens were etched by a solution containing 4 g copper sulfate, 20 mL hydrochloric acid, and 20 mL deionized water for 2 min. Etch pits in the etched surfaces were observed. All the etch pits in one specific grain exhibited similar shapes, which are closely related to the grain orientations. These etch pits were characterized as dislocation etch pits. It was observed that etch pits arranged along grain boundaries, gathered at grain tips and strip-like etch pit clusters passed through a number of grains in the pure Invar specimens. After the addition of a small amount of alloying elements, the identification of a single dislocation etch pit is challenging compared with the pure Invar alloy. Thus, the observation of etch pits facilitates the investigation on the dislocation behavior of the pure Invar alloy. In addition, alloying elements may affect the densities and sizes of etch pits.     

A_r~+激光诱导氯气刻蚀硅

本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。