Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

溶胶-凝胶法制备的BaTiO3薄膜表面态

用溶胶-凝胶法和快速退火工艺在SiO₂/Si(111)基片上生长了钙钛矿结构BaTiO₃薄膜.用X射线光电子能谱技术(XPS)和角分辨X射线光电子能谱技术(ARXPS)研究了薄膜的表面化学态以及最顶层的原子种类和分布状况,结果显示在热处理过程中薄膜表面形成一层富含BaO的非计量钛氧化物层,并且钡-钛原子浓度比随着探测深度的增大而逐渐减小.     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

a—Si：H薄膜的激光诱导结晶

利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a—Si：H薄膜．使用KrF准分子脉冲激光对a-Si：H薄膜进行辐照，使a-Si：H晶化．拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a—Si：H层形成纳米硅颗粒．     

Fe／Dy非晶多层膜的晶化反应及相演化研究

由Miedema半经验公式计算的Fe/Dy二元系自由能图，及退火时Fe/Dy非晶多层膜晶化过程的XRD结果得出：多层膜晶化受热力学和动力学两种因素控制，Fe,Dy晶态自由能低于初始非晶态提供了晶化的驱动力，而形核势垒及临界晶核尺寸控制了晶化反应的相选择。     

晶格驰豫对Ni3Al的反相畴界能计算的影响

采用改进分析型嵌入原子法(MAEAM)计算了具有L12结构的金属间化合物Ni3Al的由反相畴界引起的多层驰豫及反相畴界能.计算结果表明,Ni3Al中{111}晶面的弛豫要比{001}和{011}两个晶面大几个数量级,可以认为弛豫主要表现在(111)方向;计算了Ni3Al中{001}、{110}和{111}三种反相畴界能...     

非均匀基底薄膜生长的Monte Carlo模拟研究

利用Monte Carlo方法对薄膜生长过程进行了计算机模拟,研究了在有缺陷的基底下,沉积粒子的能量和入射率对薄膜生长的影响.通过模拟发现,随着沉积粒子的能量提高或入射率的降低,沉积在基底上的粒子逐步由各自独立的离散型分布向聚集状态转变形成岛核.分析表明,这些变化是由于能量粒子的介入使得表面粒子的扩散能力增强,而入射率越小,每一步中对应粒子的扩散时间就越长,所以大量粒子能够充分扩散.     

水泥生料中Al、Si中子活化分析的探讨

本文对Al、Si的中子活化分析作了简要的评述。提出一种水泥生料中Al、Si无化学分离的中子活化分析方法,并作出了初步实验结果。证明这一方法可用于水泥生产中的人工分析或在线自动分析。并予言,如用于水泥生产线将会有很好的经济效果。     

单一相Ca_2Si膜选择性生长(英文)

磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h。使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试。沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca -Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜。并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关键因素。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

模拟空间原子氧对Teflon FEP/Al薄膜性能的影响

采用同轴原子氧模拟装置进行了空间原子氧效应对温控材料Teflon FEP/Al薄膜的影响研究.在束流密度为1.07×1016atoms/cm2·s的条件下,对材料进行不同剂量辐照,研究了Teflon FEP/Al薄膜的质量损失、表面形貌、表面粗糙度和光学性能的演化规律和表面元素的组成变化.试验结果表明,材料的质量损失与原子氧辐照剂量成正比例关系.随着原子氧辐照剂量的增加,材料的表面形貌由平整变为"地毯状"形貌,表面粗糙度、太阳吸收率和太阳吸收率与热发射率的比值发生明显变化,从而导致材料光学性能发生变化.辐照前后材料表面成份组成变化不大.     

Si衬底上金刚石薄膜的成核和生长机理

以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象.     

离子注入剂量对镁合金表面钛膜的性能影响

【目的】进一步提高AC91表面钛层的综合性能。【方法】采用离子注入技术研究了N离子注入剂量对镁合金表面Ti膜的力学和摩擦磨损性能的影响。【结果】随着N离子注入剂量的提高,镁合金表面Ti膜的显微硬度随之增大,这是由于表面Ti膜形成Ti/TiN复合涂层结构,摩擦磨损试验结果表明,N离子注入后摩擦系数降低,高剂量的N离子注入下摩擦系数进一步降低至0.299,摩擦试验前后磨损量失重最少,膜层的耐磨损性能得到提高。【结论】N离子注入可以有效提高镁合金表面钛层的综合性能,从而提高其防护效果。     

先进制造业“两化融合”关键技术与实现路径研究

【目的】为了解决先进制造业“两化融合”过程中问题复杂、技术嵌套、难以实现深度融合的问题,研究先进制造业“两化融合”的关键技术和实现路径。【方法】本研究从任务（Order）、过程（Process）和资源（Resource）三条经线出发,来分析先进制造业中要进行“两化融合”的关键技术。在分析过程中,从规划层、运作层和执行层三个纬度出发,对制造流程进行梳理。【结果】对研究框架中经纬交叉点的任务进行流程梳理与框架搭建,同时对先进制造业制造流程与关键技术进行研究。【结论】研究数据层面“两化融合”的相关技术,并对这些关键技术进行分析与融合,从而探寻先进制造业的实现路径。     

基于全地形的水果打包套膜小车设计

【目的】为了保证农民种植的果蔬质量，防止果蔬在运输过程中因磕碰而使CO₂浓度过高，导致水果腐烂。【方法】本研究通过使用旋转网袋装置、压力感应装置、球形扩展装置、双出入口以及选装清洗、烘干设计来对套膜打包进行仿真设计，并使用Ansys Workbench软件对该装置的关键部件进行有限元分析。【结果】在运输路面状况不良时，接触力会传递到果实的深处，果实内部的组织细胞会吸收该能量，对果实造成损伤，从而造成果实品质的下降。因此，合理巧妙地利用包装，能减少水果在运输过程中所受到的机械损伤，避免产品价值的流失。【结论】仿真结果表明，本研究所设计的水果打包套膜小车结构合理。     

隔热窗膜专利技术综述

【目的】揭示隔热窗膜近几十年的发展态势，研究隔热机理及工艺路线的演变。【方法】依托专利和期刊检索工具，对最早的多层复合隔热膜、磁控溅射/蒸发镀膜的无机隔热膜、原色膜/染色膜、涂布的隔热透明涂料，后期的智能窗膜进行系统全面的检索和多维度的分析研究。【结果】以上技术解决了汽车和建筑用隔热窗膜领域长久以来的隔热、环保、防晒等问题。【结论】国内隔热窗膜的相关企业应当加强专利布局，在隔热窗膜领域、待开拓的市场地域进行有针对性的专利布局，进行海外专利风险研判。     

溶胶-凝胶法制备ZnO:Al膜及性能研究

本文以玻璃为载体,应用溶胶-凝胶法制备掺铝ZnO镀膜玻璃,并对制备的ZnO:Al镀膜玻璃进行性能测试,研究透过率的影响因素、不同热处理温度对制备的ZnO:Al镀膜玻璃性能的影响。经研究发现,Al掺量为3%、层数为5、热处理温度450℃时,透射率最好,具有最好的透射性,可作增透膜;ZnO薄膜中晶体生长热处理温度为400～450℃,保温时间在90min时,晶体生长效果最佳。     

降低Si基有机光电探测器暗电流的研究

报道了以P型Si单晶为衬底,在其表面真空蒸发有机半导体材料苝四甲酸二酐（PTC-DA）,由此制作的异质结PTCDA/P-Si（有机/无机）光电探测器,通过Si单晶表面处理及衬底温度的控制可降低其暗电流提高灵敏度的方法.     

热流计SiO_2热阻层离子束溅射制备及耐热性研究

薄膜热阻式热流计具有响应速度快、结构微型化以及量程广、输出大等优点,是当前使用最广泛的热流传感器.热阻层SiO_2膜层与基底材料的结合性能对于热流计的高可靠性来说十分重要,而膜层特性与溅射沉积参数、后期热处理技术之间密切相关.因此,该文围绕离子束溅射SiO_2薄膜作为热流计热阻层材料,对不同镀膜时间、热处理工艺之后膜层的表面成分、形貌以及与基底结合强度进行了研究分析.研究发现,550℃热处理能够有效改善膜层的结合力,离子束溅射制备的SiO_2薄膜热阻层在高温循环考核的环境下依然保持了较强的结合力.     

原子轨道能与原子轨道的钻穿作用

原子轨道的钻穿作用是原子结构量子理论中的重要问题之一。我们以F.Herman和S.Skillman用Hartree方法计算得到的原子轨道能的数据(1963)为依据,系统地考察了从氦到铹(He—Lw)原子的价层轨道能量变化情况,进而探讨了原子轨道的钻穿作用问题。发现了两个重要现象。(1) Ga、Ge、As原子的4S轨道能分别低于同族元素Al、Si、P原子的3S轨道能。它显示了较强的钻穿作用。(2) 尚未发现Tl、Pb、Bi原子6s轨道有特殊的钻穿作用。