室温不可逆原电池技术制备BaMoO_4多晶薄膜(英文)

室温条件下于Ba(OH)2溶液中采用无外加电流的非可逆原电池技术在钼金属基片上制备了BaMoO4多晶薄膜.采用XRD、SEM和Raman技术表征了制备薄膜的微结构;同时探讨了BaMoO4薄膜的电化学形成机制.XRD,SEM和Raman分析结果表明制备的薄膜表面均匀、致密,是白钨矿结构的四方单相BaMoO4;非可逆原电池条件下BaMoO4薄膜的形成包括阳极氧化溶解反应和溶液沉积反应,原电池反应的驱动力是电池的正极与负极的电势差.     

TiO2纳米管阵列的制备及其光催化效率研究

以质量分数（下同）0.3%NH4F＋ethylene glycol＋1%H2O为电解液采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管,研究了阳极氧化时间和退火温度对TiO2纳米管表面形貌、晶体结构和光催化效率的影响,比较了不同电解液制备的TiO2纳米管和溶胶凝胶法制备的TiO2薄膜的光催化效率.应用X射线衍射（XRD）和场发射扫描电镜（FESEM）对TiO2纳米管的形貌和结构进行了分析.结果表明：在阳极氧化恒电压50 V、阳极氧化48 h、450℃退火4 h条件下制备的TiO2纳米管具有最高的光催化效率,其光催化效率明显高于溶胶凝胶法制备的TiO2薄膜（4.4倍）,也高于0.5%HF电解液和弱酸水溶性电解液（0.5%HF＋1 mol/L NH4H2PO4）制备的TiO2纳米管的光催化效率.     

电化学技术制备Ba_xCa_(1-x)MoO_4(0≤x≤1)固溶体陶瓷厚膜

作者采用恒电流技术,室温条件下直接在金属钼片上制备了白钨矿结构的BaxCa1-xMoO4固溶体厚膜和BaMoO4单组分厚膜,采用X射线衍射、扫描电子显微镜等手段对薄膜进行了分析表征,详细研究了溶液成分对BaxCa1-xMoO4厚膜的形貌及其晶格常数的影响.分析结果显示所制的BaxCa1-xMoO4(0≤x≤1)固溶体陶瓷厚膜为四方晶系的单相膜,粒径随Ca2 /Ba2 的增大而增大,形貌也逐渐由CaMoO4逐渐过渡到BaMoO4,溶液中Ba2 含量为0.2(阳离子原子百分比)时,膜的形貌为呈明显的四方锥体,晶格结构为BaMoO4结构.溶液中BaxCa1-xMoO4厚膜的生长先是Ca原子掺入到BaMoO4中,晶格结构接近BaMoO4的晶格结构.分析晶胞参数表明,Ca2 并不是随机取代Ba2 ,而是沿c轴优先取代Ba2 .     

草酸电解液中制备的多孔阳极氧化铝薄膜光致发光特性

用电化学阳极氧化工艺,在草酸电解液中制备了3个系列的多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜样品,分别考察了氧化电压、氧化时间以及电解液浓度对样品光致发光的影响.结果表明,AAO薄膜的光致发光发射谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的峰强随阳极电压的增加、氧化时间的延长及浓度的增大分别依次单调增强;阳极电压、氧化时间和电解液的浓度只对峰强起调制作用,并不改变发射谱和激发谱的峰位.分析了存在这种相关性的原因.     

草酸阳极氧化法制备氧化铝薄膜的微观结构及性质

目的使用阳极氧化法在草酸电解液中制备出氧化铝薄膜并分析其微观形貌和结构,从而提高材料的抗腐蚀性能,使铝合金在生产生活中的应用更加广泛.方法以2024铝合金为阳极,铂丝网电极为阴极,采用阳极氧化法在草酸电解液中制备氧化铝薄膜.实验中使用了恒电流法和恒电位法条件下四种不同电化学参数,制备氧化铝薄膜.通过扫描电子显微镜观察不同实验条件下的氧化铝薄膜表面形貌,利用X射线衍射仪对氧化铝薄膜结构进行表征,采用粗糙度测量仪测量薄膜表面粗糙度.结果随实验时间和电流密度增加,样品的阳极氧化程度加深,当实验时间为4 000 s、电流密度为0.04 A/cm~2时,阳极氧化程度最深;在阳极氧化过程中采用不同的电流密度和不同的电压,产生的氧化铝薄膜形貌不同.结论采用草酸电解液阳极氧化法可以在铝合金样品表面制备出多孔氧化铝薄膜,该薄膜为晶态结构.     

TiO2纳米管薄膜的制备与光学性能研究

用阳极氧化法以NH4F和含水丙三醇作电解液在室温条件下制备TiO2纳米管薄膜。采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射分析（XRD）和紫外可见光谱分析（UV-Vis）对纳米管薄膜的结构与性能进行表征,研究阳极氧化电压、退火处理对TiO2纳米管薄膜形貌的影响。研究结果表明：随着阳极氧化电压的增高纳米管直径增大,当阳极氧化电压为70V,80V,90V,100V时制备的纳米管直径为143nm,167nm,191nm,215nm;在阳极氧化电压为100V、退火温度为380℃时制备出的TiO2纳米管薄膜的吸收性能最好,其吸收率在紫外光区达到92%。     

场发射FED器件MIM结构Ta-Ta2O5-Al薄膜的制备及性能

利用直流磁控溅射Ta膜和阳极氧化法制备Ta2O5薄膜,能谱分析（EDS）和X射线衍射仪（XRD）研究表明,在H3PO4电解液中添加少量的乙二醇制备的Ta2O5薄膜,呈非晶态,没有β-Ta2O5晶相出现.利用电击穿场强测试系统研究Ta-Ta2O5-Al复合薄膜制备FED器件（MIM结构）的绝缘性,证明采用磁控溅射和阳极氧...     

具有纳米多孔结构的WO3薄膜的制备

研究了阶跃加压阳极氧化法在金属钨基底上制备具有多层纳米孔结构形貌的WO3薄膜的工艺,主要研究了阳极氧化条件对生成纳米孔结构的影响及热处理制度对样品形貌和结构的影响.结果表明:在60V电压和20℃反应温度条件下,在含质量分数为005%NH4F的电解液中阳极氧化20min得到的样品表面,具有形貌规则的自组装纳米多层网孔结构,且排列紧密.此外,将阳极氧化制得的样品以5℃/min的速率升温至450℃并保温3h,可使生成的无定形氧化钨薄膜在保持多孔结构形貌基本不变的条件下晶化.     

具有纳米多孔结构的WO_3薄膜的制备

研究了阶跃加压阳极氧化法在金属钨基底上制备具有多层纳米孔结构形貌的WO3薄膜的工艺,主要研究了阳极氧化条件对生成纳米孔结构的影响及热处理制度对样品形貌和结构的影响.结果表明:在60 V电压和20℃反应温度条件下,在含质量分数为0.05%NH4F的电解液中阳极氧化20 min得到的样品表面,具有形貌规则的自组装纳米多层网孔结构,且排列紧密.此外,将阳极氧化制得的样品以5℃/min的速率升温至450℃并保温3 h,可使生成的无定形氧化钨薄膜在保持多孔结构形貌基本不变的条件下晶化.     

氧化温度对阳极氧化法制备WO_3薄膜光阳极的影响

采用阳极氧化法,以含0.7%(质量分数)NH4F,浓度为1mol/L的(NH4)2SO4溶液为电解质制备WO3薄膜光阳极.研究发现,氧化温度对其结构、形貌和光电化学性能有着重要影响.光电化学性能评价发现,随着氧化温度的升高,光电流呈先减小后增加的趋势.0℃和15℃下制备的WO3薄膜光阳极的光电流密度较大,分别为2.14和1.97mA/cm2(偏压为1.0V(vs饱和甘汞电极).X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,较低温度下制备的WO3薄膜光阳极具有较高的光吸收面积、较窄的孔边界以及较好的光电化学性能.然而当温度升高至15℃时,尽管WO3薄膜光阳极的光吸收面积不大、孔边界较厚,但此时WO3薄膜光阳极具有较高的结晶度,可有效地促进光生电子和空穴的分离,提高光电化学性能.     

H2/(Ar+H2)流量比对AZO薄膜结构及光电性能的影响

在Ar+H2气氛下,用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量,降低AZO薄膜的电阻率,提高其霍尔迁移率和载流子浓度;H2/(Ar+H2)流量比为5%时,AZO薄膜的最小电阻率为1.58×10-3Ω.cm,最大霍尔迁移率和载流子浓度分别为13.17cm2.(V.s)-1和3.01×1020 cm-3;AZO薄膜在可见光范围内平均透光率大于85.7%。     

氧化锌薄膜的制备及掺Co2+对结构和性能的影响

采用溶胶-凝胶方法在Si(111)衬底上制备了ZnO:Co氧化锌薄膜,利用X射线衍射(XRD)仪和振动样品磁强计(VSM)分别测试了样品的结构和磁性.实验表明,采用溶胶-凝胶方法制备的掺Co2+氧化锌薄膜具有(002)峰的择优取向,同时ZnO:Co薄膜在室温情况下呈现出铁磁性.     

(Ba,Pb)TiO3铁电薄膜的制备及其光学性质研究

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术在(100)Si及石英衬底上制备了Ba0.95Pb0.05TiO3(BPT)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微术(AFM)对薄膜的物相结构、结晶性和表面形貌进行表征,结果表明晶化完整的BPT薄膜呈多晶钙钛矿结构,薄膜表面均匀致密.用紫外-可见分光光度计在190～1000nm波长范围内,测量了不同温度退火的BPT薄膜的光学透射率,并通过透射光谱计算了薄膜折射率和消光系数的色散关系.     

SnO_2薄膜的形貌及其电特性分析

我们用ＰＥＣＶＤ方法制备出ＳｎＯ_２薄膜，透射电镜ＴＥＭ分析表明沉积温度由高到低时，ＳｎＯ_２膜从多晶态转变为非晶态，并且其电阻率随之增加；沉积时氧气流量增加时，ＳｎＯ_２的电阻率增加。     

磁控溅射法制备Half-Heusler化合物半导体TiCoSb薄膜

设计一种特别的TiCoSb复合靶材, 通过调节各元素在复合靶材上所占面积的大小, 可以方便地调节薄膜的成分. 采用这种靶材, 利用直流磁控溅射和快速退火成功制备单一物相的多晶TiCoSb薄膜; 采用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)和原子力显微镜(atomic force microscopy, AFM)分析TiCoSb薄膜的结构和表面形貌; 利用Hall测试仪初步研究薄膜的电学性质. 结果表明, 所制备的TiCoSb薄膜对石英玻璃衬底具有良好的粘附力, 薄膜均匀致密. 经600 ºC, 5 min退火的TiCoSb薄膜的结晶质量较好, 薄膜的室温电导率为13.7 S/cm.     

化学溶液沉积法制备铁掺杂镍酸镧薄膜的结构及电学性能研究

 采用化学溶液沉积法,在（100）取向单晶硅衬底上制备铁掺杂镍酸镧（LaNi_1-xFe_xO₃,LNFeO-x）薄膜,研究了其结构和室温下的导电特性。X射线衍射测试结果表明,经700 ℃ 1 h退火的薄膜呈钙钛矿结构,没有可以观察到的杂相生成。薄膜表面平整、致密,没有微裂痕出现。随着铁含量的增加,薄膜电阻率由1.7 mΩ·cm 增加到 3.9 mΩ·cm。     

WO3_SiO2复合薄膜气致变色性能的研究

在室温下用溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了WO3-SiO2复合薄膜,通过改变氢气体积分数、催化剂浓度及热处理温度等实验因素,对薄膜的气致变色性能进行了测试,实验结果表明,将铂以K2PtCl4形式掺入WO3-SiO2混合溶胶中进行提拉成膜,经适当的热处理后可以获得性能稳定且具有良好气致变色性能的优质薄膜。     

Effects of substrate temperature and ambient oxygen pressure on growth of Ba(Fe1/2Nb1/2)O3 thin films by pulsed laser deposition

Ba(Fe1/2Nb1/2)O3 thin films were grown on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates with pulsed laser deposition (PLD) at temperatures ranging from 823 to 923 K with the varied ambient oxygen pressure. X-ray diffraction (XRD) data confirmed the single phase of polycrystalline Ba(Fe1/2Nb1/2)O3 thin films. The effects of substrate temperature and ambient oxygen pressure on the surface morphologies of the thin films were investigated by atomic force microscopy (AFM) and the growth dynamics of thin films was discussed. Larger grains and denser surface morphologies were observed with increasing substrate temperature. While finer grains were produced with increasing ambient oxygen pressure due to more frequent collisions between the ejected species and ambient oxygen molecules. The influence of the substrate temperature and ambient oxygen pressure on the dielectric properties was also discussed. Improved dielectric constant and decreased dielectric loss was observed for the thin film deposited at evaluated temperature.     

Polycrystalline ZnSx Se1—x thin films deposited on ITO glass by MBE

MBE growth of ZnSx Se1-x thin films on ITO coated glass substrates were carried out using ZnS and Se Sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃.The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-grown polycrystalline ZnSx Se1-x thin films had a preferred orientation along the (111) planes.The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD layer peaks showed strong growth temperature dependence,with the optimized temperature being about 290℃.Both AFM and TEM measurements of these thin films also indicated a similar growth temperature dependence.Hing qual-ity ZnSx Se1-x thin film growm at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS valus of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined columnar structure.