| 磁控溅射法制备Half-Heusler化合物半导体TiCoSb薄膜 |
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| 引用本文： | 张敏,秦娟,孙钮一,张小丽,史伟民.磁控溅射法制备Half-Heusler化合物半导体TiCoSb薄膜[J].上海大学学报(自然科学版),2013,19(1):71-74. |
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| 作者姓名： | 张敏 秦娟 孙钮一 张小丽 史伟民 |
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| 作者单位： | 上海大学材料科学与工程学院,上海,200072 |
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| 基金项目： | 上海市重点学科建设资助项目 |
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| 摘 要： | 设计一种特别的TiCoSb复合靶材,通过调节各元素在复合靶材上所占面积的大小,可以方便地调节薄膜的成分.采用这种靶材,利用直流磁控溅射和快速退火成功制备单一物相的多晶TiCoSb薄膜;采用X射线衍射(X-raydiffraction,XRD)和原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM)分析TiCoSb薄膜的结构和表面形貌;利用Hall测试仪初步研究薄膜的电学性质.结果表明,所制备的TiCoSb薄膜对石英玻璃衬底具有良好的粘附力,薄膜均匀致密.经600℃,5 min退火的TiCoSb薄膜的结晶质量较好,薄膜的室温电导率为13.7 S/cm.
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| 关 键 词： | 热电 half-Heusler 磁控溅射 TiCoSb薄膜 退火 |
Preparation of Half-Heusler Compound Semiconductor TiCoSb Thin Film by Magnetron Sputtering |
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| ZHANG Min
,
QIN Juan
,
SUN Niu-yi
,
ZHANG Xiao-li
,
SHI Wei-min.Preparation of Half-Heusler Compound Semiconductor TiCoSb Thin Film by Magnetron Sputtering[J].Journal of Shanghai University(Natural Science),2013,19(1):71-74. |
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| Authors: | ZHANG Min QIN Juan SUN Niu-yi ZHANG Xiao-li SHI Wei-min |
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| Institution: | (School of Materials Science and Engineering,Shanghai University,Shanghai 200072,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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