Au/(Si/SiO_2超晶格)/p型Si结构的可见电致发光研究

采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室温下的可见电致发光 .认为光发射主要来自于 Si O2 层中的发光中心上的复合发光 ,对实验结果进行了解释 .     

Au/Ge/SiO2/p-Si结构中的电流输运特性

用射频磁控溅射双靶交替淀积的方法在p-Si(100)衬底上制备了Ge/SiO2薄膜,利用Au/Ge/SiO2/p-Si结构的I-V特性曲线研究了该结构的电流输运机制.分析表明,在较低的正向偏压和反向偏压下,电流输运机制分别为Schottky发射和欧姆输运电流;而在较高的正向偏压下,Frenkel-Poole发射和空间电荷限制电流两种机制共同作用.     

ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构的低温控制合成及其光电性能

通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米管具有较好的结晶性.电流-电压曲线显示,n-ZnONT/p-Si异质结构在光暗两种条件下都表现出了较好的整流特性.在紫外光照射下,反向偏压区电流出现了较大的变化,反映出n-ZnONT/p-Si异质结构有较强的紫外光响应,有望成为潜在的紫外光探测器件.     

电磷光材料掺杂稀土配合物的有机发光二极管

以有机配合物（PPQ）₂Ir（acac）为发光掺杂剂,稀土配合物Tb（eb-PMIP）₃（TPPO）为主体材料,用铟锡氧化物(ITO)和铝分别作正负电极,采用真空蒸镀制备电磷光有机发光二极管.该器件发射红色光,主峰位于615nm,是磷光分子（PPQ）₂Ir（acac）的特征发射通过器件结构和浓度优化,器件的最大发光效率达3.14cd/A,在较高的电流密度下,该器件的电致发光效率无明显衰减.实验结果表明,带有相对较宽能隙配体的稀土配合物可能是制备高电流密度且稳定的电磷光有机发光二极管较好的主体材料.     

光谱方法研究长石的热释光过程

采用自行研制的三维热释光光谱仪分析测试伟晶岩中长石的诱导热释光光谱,研究其不同波长以及不同激发温度区间的热释光衰退现象,实验结果认为,长石矿物热释光的衰退特性依赖于激活温度以及发射波长,在预热160℃条件下,低激活温度范围（170～190℃）的紫外光、绿光和黄光成分的热衰退速率几乎相同,近似于指数衰减,而中高温激活温度范围（290～400℃）所对应波长的信号热衰退几乎可以忽略;而在室温条件下,中高温激活温度范围（290～400℃）的紫外光、蓝光、绿光和黄光4种发光成分的异常衰退速率并不相同,黄光明显衰退少,而其他3种发光成分衰退明显,并且近似于双曲线函数形式衰退,但是黄光强度相对较小,红光成分几乎没有探测到．研究认为长石的衰退依赖于发光波长,而长石矿物的三维热释光光谱以及不同波长段热释光信号的热衰退和异常衰退性质提示出固体热释光过程新的一面．     

上转换蓝色发光材料KY3F10: Tm, Yb的光电特性

制备了上转换发光显示器中发蓝光的上转换发光材料KY₃F₁₀:Tm,Yb.测试了该材料的XRD衍射图谱.给出了该材料在980 nm激光激发下的发光光谱.分析了该材料的上转换发光机理,得到480 nm峰值发光是由Tm³⁺的¹G₄→³H₆跃迁产生的.KY₃F₁₀:Tm,Yb具有较强的上转换蓝光,同时存在的较弱的红光易于用滤色膜滤除,满足显示对三基色中蓝色的要求.该材料是上转换发光显示所需的一种较好的蓝光材料.     

利用瞬态电致发光研究有机小分子发光器件中延迟荧光的发射机理

制备了两种基于Alq3的有机小分子发光器件,其结构分别为:ITO/NPB/Alq3/LiF/Al和ITO/NPB/Alq3:DCM/Alq3/LiF/Al.利用瞬态电致发光技术,研究了这两种发光器件中延迟荧光的发射机理.发现在Alq3的双层器件中,延迟荧光较弱,且主要是由电荷延迟注入所形成的单重态激子退激产生;而在Alq3:DCM染料掺杂器件中,延迟荧光较强.通过分析Alq3:DCM掺杂器件的延迟荧光对反偏压和脉冲偏压脉宽的依赖关系,进一步发现掺杂器件的延迟荧光主要来自于发光层中受陷电荷释放后的再复合过程以及DCM客体分子中的三重态-三重态激子淬灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)过程.其中,TTA过程是Alq3:DCM掺杂器件中延迟荧光产生的主要机制.     

齐聚芴的合成、表征与发光性能研究

为寻求高效的蓝光材料,用改进的Sonogashira法合成了一系列含三键齐聚芴,所得产物均经过核磁、质谱及元素分析等方法鉴定.这些化合物室温下在溶液中及薄膜状态均发射蓝色荧光,其发射峰随聚合度增大依次红移,并以OF3R4为发光材料制作了电致发光器件,器件最大发光亮度达到5 812 cd/m2.     

掺Nd^＋和掺Tb^3＋聚合物的光谱特性研究

合成了含钕离子和铽离子的聚甲基丙烯酸甲酯体材料。分析了两种聚合物在室温下的光吸收和光发射特性。结果表明随着稀土离子含量的增加，其吸收光谱出现红移现象。在紫外光的激发下，含Ｔｂ＾３＋聚合物可以获得５４５ｎｍ绿光和４９０ｎｍ的蓝光，而含Ｎｄ＾３＋聚合物的受激发射仅出现在３７０ｎｍ左右的紫外区域。     

Cu对O在ZnO(0001)面上吸附影响的第一原理研究

ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有从蓝光到紫外波段的发光性能.其室温下的激子结合能高达60 meV,制作发光器件可以获得更高的光增益,这在某些方面起着其它材料无法替代的作用.     

具有异质结的聚合物有机薄膜电致发光器件

本文报道了由一层电子传输材料ＰＰＱ和一层空穴传输材料ＰＤＤＯＰＶ构成的有机聚合物异常结发光二极管的实验结果。虽然双层器件的点亮电压高于由纯ＰＤＤＯＰＶ构成的单层器件,但是它在一定电压下,电流密度降低了一个数量级,而亮度却提高了近两个数量级。     

有机发光器件中空穴注入对负电容的影响

对不同结构的有机发光器件(OLED)进行了电容-电压(C-V)特性测量,研究了不同空穴注入结构对OLED负电容的影响。结果表明,负电容的产生与OLED内部电场的分布有着密切的关系,负电容开始出现的频率与电压的平方根呈指数关系。与超薄的单层空穴注入层相比,掺杂的空穴注入层不仅能降低器件的驱动电压,而且其载流子传输特性和出现负电容时的初始电压对频率有着更强的依赖性。     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.     

醇溶性聚芴作为电子注入层对绿光聚合物发光器件性能的影响

将醇溶性含膦酸酯基团的聚芴作为电子注入材料应用到聚合物电致发光器件中,并采用高功函金属铝作为阴极获得了高效率的聚合物电致发光.对聚合物发光器件光电性能的研究结果表明,与传统的Ca/Al阴极聚合物器件相比,以膦酸酯聚芴/Al为阴极的聚合物器件的流明效率达到了15.8cd/A,提高了25%以上,同时器件的工作电压降低了57%。     

一种具有离子传导功能的发光共聚物的合成

为了解决电化学发光电池 L ECs离子传导聚合物与发光聚合物两相分离的问题 ,采用 Wittig反应 ,合成了一种分子主链上带有刚性共轭发光链段——二 (二甲氧基取代苯乙烯 )萘与柔性离子传导链段——三聚氧化乙烯的新型发光共聚物 (EO- NV) ,用多种手段表征了分子的结构 ,并研究了 EO- NV的光致发光性能。实验表明 ,EO- NV可以溶于氯仿、四氢呋喃、苯、吡啶等许多普通有机溶剂 ,具有良好成膜加工性能。其氯仿溶液和固体膜的最大光致发光波长分别处于 4 70 nm,5 0 5 nm。由于将共轭长度的控制、材料的加工性和离子传导功能结合于一体 ,因此 EO- NV是一种适于装配电化学发光电池 (L ECs)的功能性蓝绿色发光共聚物。     

顶发射白光有机电致发光器件的优化

为满足大面积固态照明与全彩显示的需求,实现色度稳定的高效率顶发射白光有机电致发光器件,采用仿真和实验相结合的研究方法,模拟基于光学传输矩阵法和电磁场理论进行计算,用真空蒸镀法制备器件并测试其光电性能。确定传输层材料、厚度和结构,优化发光效率,逐步改进发光层结构,以改善器件的效率和颜色质量。结果表明,基于电学平衡的P-I-N传输结构和蓝/红/蓝三明治型发光结构,能实现色度稳定的高效率顶发射白光有机电致发光器件。     

电致发光材料酚基-吡啶硼配合物的合成及发光性能

合成一种新型硼配合物蓝光电致发光材料（酚基吡啶氟化硼PPBF₂, PP： 2-(2-酚基吡啶)）. 配合物PPBF₂在溶液和固态下均显示强的蓝色荧光（440 nm）. 用PPBF₂作发光层电发光器件, 依靠不同器件结构能显示不同颜色的发光.     

聚合物发光二极管的研究进展

对共轭聚合物中进行电运输及电致发光器件－聚合物发光二极管的研究进展进行了综述。     

基于量子点白光LED的可见光通信系统

针对目前可见光通信( VLC: Visible Light Communication) 系统中存在的光源照明效果差和效率低的问题,提出了以量子点白光发光二极管( QDs-WLED: Quantum Dots White Light Emitting Diode) 作为VLC 系统的光源,并以此设计了一套便携式点对点VLC 收/发终端。采用一步合成法合成了峰值在570 nm 高稳定性、高量子效率的核壳硒化镉( CdSe) 量子点材料,其量子产率达到81%。将该量子点材料取代传统的荧光粉材料,与环氧树脂混合后涂到蓝光LED( Light Emiting Diode) 芯片上制成白光LED 器件,并测试了其发光光谱、色坐标图和流明效率。然后阐述了VLC 系统的结构和原理,并编写了通信软件和制定了相关协议,实现了系统的软硬件集成,利用所研制的VLC 系统,开展了通信实验。实验结果表明,QDs-WLED 除了拥有出色的照明效果和节能特性外,也能实现数据传输的功能。在选择最佳直流偏置电压2． 70 V 的情况下,系统的最大通信距离为1． 3 m,可达到的最大通信速度为267 kbit /s,误码率( BEＲ: Bit Error Ｒatio) 小于10 ^{－ 3}。     

有机薄膜电致发光器件的研究进展（综述）

对近几年来有机薄膜电致发光（ＥＬ）器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜ＥＬ器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。