面内场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与直流偏场关系的…

本文研究面内磁场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与固定直流偏场（Ｈｂ）ｆ的关系。实验结果显示：（１）使ＩＤ发生条泡转变包需的面内场（Ｈｉｐ）ｓｂ随所高定的直流偏场（Ｈｂ）ｆ的增加而减小；（２）存在一个特征直流偏场（Ｈｂ）ｆ１，当（Ｈｂ）ｆ１时，在面内场     

直流偏场和面内场作用下OHB的条泡转变

实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转变后存在2个特征偏场(Hb)Ⅰ和(Hb)Ⅱ,当Hb≤(Hb)I时,条泡转变后的泡畴全是软泡,当Hb≥(Hb)Ⅱ时,条泡转变后的泡畴全是硬磁泡.随着直流偏场的升高,普通硬磁泡的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场逐渐降低.     

面内磁场作用下Ⅱ类哑铃畴的软化与静态偏磁场的关系

实验研究了在不同直流偏磁场Hb下,经面内场作用后Ⅱ类哑铃畴的剩余几率P随面内磁场Hin变化的规律.发现Ⅱ类哑铃畴剩余几率P随Hin的增加有一个缓降过程,而Ⅱ类哑铃畴全部变泡或消失的面内场阈值H inII随Hb的变化有一个骤降过程.     

温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响

实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多.     

直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失

研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 ,并且随着直流偏场的增加而减小     

面内场对第Ⅰ类哑铃畴"切尾"后畴壁内 VBLs解体的影响

实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场H(1)ip,H*ip和H(2)ip.通过"切尾"实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为.     

石榴石磁泡膜中哑铃畴缩灭行为的进一步研究

通过对于第一类哑铃畴（ＩＤ）缩灭行为的实验研究，发现在直流偏场增加的过程中，ＩＤ以稳定的圆形畴存在的直流偏场范围ΔＨｂ随着其条泡转变场的增加而减小，直至趋于零．据此也讨论了第二类哑铃畴的缩灭行为     

立方磁晶各向异性对面内场下硬磁畴的影响

实验研究了立方磁晶各向异性对面内场作用下非压缩状态的三类硬磁畴（普通硬磁泡（OHB）、第Ⅰ类哑铃畴（ID）和第Ⅱ类哑铃畴（IID））畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的影响,发现对应于垂直布洛赫线消失的临界面内场的数值变化与磁畴消失场的数值变化规律相反,且该临界面内场的变化呈六重对称性。此外,发现立方磁晶各向异性对垂直布洛赫线消失的临界面内场的影响很小。     

面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性

实验研究了面内磁场Ｈｉｐ对处于直流偏磁场Ｈｂ作下的第Ⅱ类哑铃畴的稳定性的影响。     

面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响

实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.     

直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性

研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.     

电磁连铸复合式结晶器内电磁场的数值模拟

通过简化条件下的理论推导和实验测试分别对交变磁场和静磁场计算方法进行了验证,在此基础上对电磁连铸复合式结晶器内的磁场进行计算,并分析了有无结晶器条件下两种磁场的相互影响·分析结果表明,该项技术是可行的     

电容近炸引信的物理场特性分析

电容近炸引信是利用振荡器在探测电极周围建立一个静电场进行工作的。本文将电容近炸引信简化等效为静态电偶极子,求解出其周围空间中距离偶极子为r处的场强。为了和其它原理的近炸引信的物理场特性进行比较,求解出时变场中电偶极子麦克斯韦方程的解。通过分析确认:利用静电场工作的电容近炸引信较之利用辐射场工作的其它近炸引信具有良好的定距特性、炸高散布小并具有反隐身技术的性能。     

磁多极场的场参数理论

通过对磁多极场的分析,其对称性可分为两大类:一类是二、六、十、十四、…极场,另一类是四、八、十二、十六、…极场.根据磁多极场的对称性,导出了磁多极场磁感应三个分量的泰勒级数展开式,定义了磁多极场的场参数.结果表明,通过y轴上By分量的数个参数,就可以近似计算得到整个空间的磁感应值.     

硬磁泡临界面内场的重新测定

实验找到了一种准确测量OHB临界软化面内场的方法,用这种经过改进的方法测量时,在面内场软化的起始值,OHB就会有较高的软化率,实验观察非常方便.同时,也证明了在临界面内场H(1)ip时开始丢失VBL的OHB对应的是那些含VBL较少的OHB.     

天然电磁场日变规律实验观测

开展了天然交变电磁场日变规律的实验观测工作,由此探讨日变场的变化规律,以及天然电场选频法的基本原理。在同一地点或两个分离的点上,采用两台仪器对天然电磁场的日变情况进行同点同时观测和异点同时观测,获得日变场的变化曲线。分析采集结果,在工作区范围内天然交变电磁场具有同源性和波动性的变化规律。结合实例,叙述了野外采集和数据处理的一些方法,以压制背景场干扰而造成的假异常。