硅微尘上金刚石膜的生长

采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜，并利用ＳＥＭ和Ｘ射衍射方法对金刚石膜进行了研究。     

DOS下屏幕保护程序的设计与实现

本文就在ＤＯＳ状态下如何实现屏幕保护进行了研究和探讨，在全面剖析ＤＯＳ的基础上，成功地解决了代码重入，任务切换、汉字系统伪文本方式的识别，计算机屏幕的保护与恢复等设计ＤＯＳ下屏幕保护程序的难题，实现了ＤＯＳ下的屏幕保护。     

退火对杂化膜驻极体PVDF／SiO2电荷贮存的影响

该文通过表面电位衰减实验和ＴＳＤ电流谱、研究了退火处理工艺对杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２电荷贮丰及稳定性的影响。用红外光谱实验对样品退火前，后驻极体性能改变的起因进行了初步探索，得出注极前样品的高温退火处理可明显改善杂化膜驻极体ＰＶＤＦ／ＳｉＯ２的电荷贮存及稳定性。     

汞对小麦幼苗损伤机制研究

本文研究汞对小麦种子萌发过程中幼苗膜脂过氧化水平，细胞膜透性，保护酶（ＣＡＴ、ＳＯＤ）、ＰＯＤ）活性，可溶性糖和可溶性蛋白质含量的影响。结果表明，随着汞浓度的升高，细胞膜脂质的氧化水平升高，细胞膜透性增大，ＣＡＴ活性降低、ＰＯＤ、ＳＯＤ活性 升高，组织可溶性糖和可溶性蛋白质含量升高。     

一种新颖的高阶CMOS OTA—C高通滤波器的设计方法

提出了一种新颖的高阶ＯＴＡ－Ｃ高通滤波器的设计方法：使用ＯＴＡ－Ｃ积分器及ＯＴＡ加法器对高阶高通滤波器传递函数的结构框图进行综合。其中ＯＴＡ加法器中的电阻由ＤＯ－ＯＴＡ实现，整个电路仅由ＯＴＡ及接地电容构成，而ＯＴＡ由ＣＭＯＳ器件构成，所以文中电路便于集成且与ＶＬＳＩ工艺兼容。对三阶巴特沃思高通滤波器进行了设计举例，并给出了其计算机ＰＳＰＩＣＥ仿真结果及非理想特性分析。     

金刚石膜的内应力研究

采用微波PCVD方法在单晶硅片上制备出了金刚石膜．利用拉曼光谱和X射线射三行射（XRD）研究了不同甲烷浓度对在硅基底上沉积金刚石膜的内应力的影响，同时用XRD研究，抛光对于自支撑金刚石膜的宏观应变和微观应变的影响．     

杂多阴离子柱撑水滑石类层柱状化合物的合成与表征

以硝酸根型水滑石做交换前驱体，采用离子交换法合成了过滤金属离子三元取代硅钨杂多阴离子柱撑水滑石Ｍ２Ａｌ（ＯＨ）６-ＳｉＷ９Ｚ３（Ｈ２Ｏ）３Ｏ３７（Ｍ＝Ｍｇ＾２， Ｚｎ＾２＋，Ｎｉ＾２＋，Ｚ＝Ｃｕ＾２＋，Ｃｏ＾２＋）。用元素分析，ＸＲＤ，ＩＲ，ＵＶ－ＤＲＳ和ＤＴＡ等手段对产物的组成和结构进行了表征。结果表明，杂多阴离子引入水滑石层间后，水滑石的层间距从０．９２ｎｍ增大到１．４７ｎｍ；提高了支撑材料的热     

DOS与Win9x下对逻辑分区的控制

本文从计算机系统安全角度出发,依据ＰＣ机上流行的操作系统ＤＯＳ和ＷＩＮＤＯＷＳ９Ｘ分区表的逻辑分区标志之间的差别,采用编程实现对特定分区的加密和恢复功能。     

硅衬底温度对金刚石薄膜品质影响

采用PCVD法制备金刚石薄膜的设备研究硅衬底温度变化对沉积金刚石薄膜品质的影响.实验发现,温度从750℃增加到950℃的过程中,随着硅衬底温度上升,金刚石薄膜的质量先变好,生长速率减小;850℃质量达到最好,生长速率降到最低;850℃后质量开始变差,生长速率增加;950℃膜由反聚乙炔构成.随着硅衬底温度增加,氢原子刻蚀作用逐渐增大且愈加集中,膜表面空洞缺陷和晶界缺陷增加.综合考量,金刚石薄膜的品质先变好后变差.     

玫瑰果的清除活性氧作用

通过透析后活性降低及凝胶过程分离获如，玫瑰果对活性氧的清除，除了ＳＯＤ的作用，大部分来自小分子物质，考察了维生素Ｃ与玫瑰果中Ｌ－ＳＯＤ之间的关系。     

SOD保健猕猴桃工程项目开发

ＳＯＤ保健猕猴桃工程项目开发西峡县在中国农业大学的大力支持下，１９９６年研究开发的高科技产品“益微ＳＯＤ保健猕猴桃”获得成功，经过生物工程生产出的猕猴桃，经中国农业大学检测鉴定，每克果肉增加ＳＯＤ酶活３０个国际单位，高于满红牌草莓含量的２倍多，是我国...     

马齿苋抗霜霉病的生理基础研究

本文以小白菜作对比，研究马齿苋遭受霜霉病侵染的过程中所发生的一系列生理化变化。结果表明：马齿苋植株的感染率，死亡率较低，对霜霉病抗性明显较小白菜强。这是由于马齿苋受到霜霉病侵染后，植株的呼吸速率，ＳＯＤ和ＰＰＯ活性的增加均比较明显；ＣＡＴ，ＰＯＤ变化稳定，根活力，植株相对含水量，叶片中叶绿素含量的下降，以及叶片膜脂过氧化产质膜透性的增加均相对较慢。     

CMOS与内存

初学者园地一、安全保护为了更可靠的保护电脑，可以设置ＣＭＯＳ口令。进入系统的ＣＭＯＳＳＥＴＵＰ程序（屏幕会有提示按哪一个键，通常是Ｄｅｌｅｔｅ键），在ＣＭＯＳＳＥＴＵＰ程序中，可以选择“Ｕｓｅｒｐａｓｓｗｏｒｄ”，输入您的口令，口令输入后系统还会要您再输入一次以便确认。如果您忘记了口令，您会有一点小麻烦。 忘记了口令怎么办？有三种办法：一是试试其它口令。您可以试试ＡＭＩ、ＡＷＡＲＤ、ＰＡＳＳＷＯＲＤ、ＣＭＯＳ、Ｈ９９６和ＳＹＸＺ这些字符串，这些通常是区分大小写的，还可试试这些字符串的大小写变体；…     

硅太阳电池类金刚石增透膜的研制

用类金刚石膜制作硅太阳电池的增透膜可以明显地改善它的光谱特性，实验表明，用类金刚石薄膜制作增透膜之后，硅太阳电池的短路电流增加38％，在较大的光谱范围内响应值增大，并且在650－750nm波长范围内有最大增透效应，在650－950nm波长范围内，量子效率接近1。     

关于WINDOWS95无盘工作站设置的保护问题

ＤＯＳ无盘工作站稳定，不易破坏，但ＷＩＮＤＯＷＳ９５无盘工作站比较脆弱，很容易由于改动配置造成不能正常使用。本文通过限制ＷＩＮＤＯＷＳ９５登录用户的使用资源达到保护系统配置从而防止系统被无意破坏。     

热阴极辉光PACVD金刚石厚膜的生长特性

对用热阴极辉光ＰＡＣＶＤ方法合成的金刚石厚膜，采用扫描电子显微镜进行了观察，研究了金刚石的生长机制。     

背面引线压力／氢离子敏传感器的研究

报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器，设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统，经实际工艺流水制成了样管，初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。     

异丙苯在不同硅含量SAPO—5分子筛上的裂化反应特征

在ＥＳＲ－ＧＣ－Ｃｏｍｐｕｔｅｒ联机的动态装置下，用固定床微型英催化反应器，研究不同硅含量ＳＡＰＯ－５（２２），ＳＡＰＯ－５（１９），ＳＡＰＯ－５（５）及ＡｌＰＯ４－５和ＨＹ分子筛是丙苯裂化反应的催化活性，ＥＳＲ幅值特征。     

光照对金刚石薄膜压阻效应的影响

分析研究ＣＶＤ方法制备的多晶金刚石薄膜的压阻效应，结果表明光照对金刚石膜的压阻效应有显著的影响，并对所得结果进行了讨论。     

氧化铝陶瓷／金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究

采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜,用抛电镜,Ｘ躬一衍射和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量,并测这和分析了氧化铝／铝金刚石膜复合材料的介电性质。