Na｜β－Al＿2O＿3｜Na＿xHg＿（1－x）（液态）电池电动势的测量和计算

应用Ｎａ｜β－Ａｌ＿２Ｏ＿３｜Ｈｇ固体电解质电池，制备了６８个钠汞齐Ｎａ＿ｘＨｇ＿（１－ｘ）（ｘ：０．０３５～０．８８４６）组分．从Ｎａ／Ｎａ＿ｘＨｇ＿（１－ｘ）电池电动势的测量，测定了Ｎａ＿ｘＨｇ＿（１－ｘ）的熔点和在熔化过程电池反应中的熵变和焓变．实验得出Ｎａ／Ｎａ＿ｘＨｇ＿（１－ｘ）（液态）电池电动势Ｅ和汞齐中的钠摩尔分数ｘ存在Ｅ＝α（－ｌｇｘ）￣ｂ的关系式．线性方程式ｌｇＥ＝ｌｇα＋ｂｌｇ（－ｌｇｘ）中的ｌｇα和ｂ在各个组分ｘ（０．０６５～０．１６，０．１６～０．３３３，０．３３３～０．７１５）和温度范围内分别是温度的线性函数．相应于ｘ≥０．７１５时的ｌｇα和ｂ值（１００≤ｔ≤３５０℃）为ｌｇα＝－０．１７８８－１．０１０×１０￣（－３）ｔ＋１．１０９×１０￣（－６）ｔ￣２，ｂ＝１．７８３－１．７１３×１０￣（－３）ｔ＋１．４７５×１０￣（－６）ｔ￣２     

Na3＋xLuxZr2—xSi2PO12钠快离子导体研究

Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２Ｐｏ１２系统的钠快离子导体，由Ｎａ２Ｃｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２和ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４为原料经高温（１０００－１２００℃）固相反应２０－２８小时制得。一个具有Ｃ２／结构的Ｎａｓｉｃｏｎ相可在起始组成为ｘ＝０－０．８范围内发现，Ｎａ３＋ｘＬｕｘＺｒ２－ｘＳｉ２ＰＯ１２系统的晶胞体积在Ｘ≤０．４时是随Ｘ增大而增大，当Ｘ〉０．４时则是随Ｘ增大而缩小，该系统的起始组成     

Eu1—xSrxFeO3—y的^57FeMossbauer谱

报导Ｅｕ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３－ｙ（ｘ＝０．０－１．０）的固相反应法合成，测量子其Ｘ射线衍射及室温下的＾５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱。实验结果表明，Ｓｒ掺入了ＥｕＦｅＯ３晶格，结构变化与掺杂量密切相关。     

二阶双时滞RDDE无条件稳定的代数判据

本文给出了二阶双时滞ＲＤＤＥｘ（ｔ）＋ａ１ｘ（ｔ）＋ａ２ｘ（ｔ）＋ｂ１ｘ（ｔ－ｌ１）＋ｂ２ｘ（ｔ－ｌ１）＋ｃ１ｘ（ｔ－ｌ２）＋ｃ２ｘ（ｔ－ｌ２）＝０无条件稳定的完整的代数判据，改正了（３）的结论，并举例说明。     

压力对铁电体Pb（Fe1／2Nb1／3）O3—Pb（Fe2／3W1／3）O3弥散相变的影响

在０－１４ｋｂａｒ之间的不同流体静压力和－１９０－１００℃温度范围内测量了Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３铁电体复合材料的介电常数ε随温度，压力的变化特性。     

VO（H2AsO4）2的合成与晶体结构

在五氧化二钒－三氧化二砷－砷酸－水体系中，以水热法合成了ＶＯ（Ｈ２ＡｓＯ４）２蓝色四棱柱状晶体，晶体属四方晶系，Ｐ４／ｎｃｃ群，ａ＝ｂ＝０．９１２０（１）ｎｍ，ｃ＝０．８１３１（１）ｎｍ，Ｖ＝０．６７６３（２）ｎｍ＾３，Ｚ＝４。     

R^N上非齐次非线性椭圆型方程的多解性

讨论了问题－△ｕ＋μｕ＝Ｑ（ｘ）／ｕ／＾ｒ－２ｕ＋ｆ（ｘ），ｕ∈Ｈ＾１（Ｒ＾Ｎ）的正解和变号解的存在性。这里Ｎ≥３，２〈ｐ〈２Ｎ／（Ｎ－２），μ〉０，Ｑ（ｘ）∈Ｃ（Ｒ＾Ｎ）。     

钙钛矿型四元复合氧化物——La0.35Sr0.65Co（1—x）CuxO3催化剂的表征

采用ＫＩ（ｐＨｘ）方法和真空红外技术研究了化学计量式的ＡＢＯ３的钙钛矿型完全氧化催化剂－－Ｌａ０．３５Ｓｒ０．６５Ｃｏ（１－ｘ）ＣｕｘＯ３上的表达过剩氧量和活性氧物种，实验得到的表面氧氧化能力分布曲线证明，只有具备高氧化能力的Ｏｓ氧种才能参与反应。对其红外吸收谱的解析表明，可能的表面活性氧种是Ｏ２、Ｏ２及晶格氧。根据ＣＯ氧化反应的催化剂活性评价数据，并与相应条件下该催化 Ｘ光衍射图谱相关联，探讨了     

掺Er的In_(1-x)Ga_xP的光致发光性质

金属有机物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）用于制备掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层。低温（１０Ｋ）下,研究了温度与光致发光性质的关系作为合金成分的函数,其中合金成分为ｘ＝０—０．９８,发现所有掺Ｅｒ的Ｉｎ１－ｘＧａｘＰ外延层都在０．８０１ｅＶ处有一个强光致发光峰,与合金成分无关,在２９５Ｋ时观测到Ｉｎ０．５２Ｇａ０．４８Ｐ样品的Ｅｒ３＋离子的光致发光（ＰＬ）特征峰,发光强度明显降低。     

(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系红外敏感铁电陶瓷的研究

通过改变材料组分并掺杂一定浓度的ＭｎＯ２，制备了系列（Ｐｂ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（ＰＳＴ）红外敏感铁电陶瓷材料．对其电热性能如介电系数的温谱特性、频谱特性和热释电性能等进行了研究．结果表明，材料的居里温度随组分化学计量比的变化大致成线性关系，每增加 ｍｏｌ比１％的 Ｐｂ，将使居里温度提高约 ５℃．而随着测试频率的增加，居里温度与温度系数基本不变，但介电常数却略有下降．通过对ＰＳＴ系样品热释电性能的测量，可知材料的热释电系数约在 １０－３Ｃ／（ｍ２· Ｋ）量级．     

用表面等离子体测量GaAs半导体的三阶光学非线性极化率

本文给出了用依赖于强度的表面等离子体色散关系研究三阶光学非线性极化率ｘ（３）的新方法．可得ｘ（３）的大小和符号．实验中所用激光波长为１．０５μｍ,样品为ＧａＡｓ,ｘ（３）（ω）～１．２×１０－９ｅｓｕ．     

压力对铁电体Pb（Fe_（1／2）Nb_（1／2））O_3－Pb（Fe_（2／3）W_（1／3））O_3弥散相变的影响

在０～１４ｋｂａｒ之间的不同流体静压力和－１９０～１００℃温度范围内测量了Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３铁电体复合材料的介电常数ε随温度、压力的变化特性．实验结果表明：温度和压力导致的相变都是弥散的；随压力的增加；介电常数峰值温度（或称宏观居里温度）Ｔｍ线性下降，其斜率ｄＴｍ／ｄＰ＝－３．１℃／ｋｂａｒ，介电常数峰值εｍａｘ降低，ε～Ｔ曲线弥散程度增大．用组分涨落模型对所得结果作了计算，并就压力对弥散相变的影响进行了唯象分析．     

一类生化反应方程极环问题的研究

采用一类生化反应方程ｄｘ／ｄｔ＝１－ｘ＾２ｙ＾２，ｄｙ／ｄｔ＝β（ｘ＾２ｙ＾２－ｙ），ｘ≥０，ｙ≥０，β≥０讨论了该方程极限环的不存在性及Ｈｏｐｆ分支问题。     

分子筛结构和无定形结构中Ti-O-SiO_3键的IR特性

在对用ＸＲＤ表征确证分属于ＴＳ－２分子筛和无定形ＴＳ氧化物（简称ＡＴＳ）结构的一系列样品进行红外表征时，首次发现在分子筛骨架与无定形表面都存在Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３健，但这两者在红外上是可区分的，前者作为骨架钛振动带出现在９６２．５～９６６．７ｃｍ－１处，而后者作为非骨架钛振动带则出现在９４５～９５６ｃｍ－１处，即后者明显发生了红移．分子筛骨架振动带（１２２６，５５６ｃｍ－１）强弱对其Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３带的位置影响不大，比较而言骨架带弱的约有２．０ｃｍ－１的红移．苯酚羟基化结果表明在分子筛骨架上的Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上苯酚羟基化生成邻苯二酚和对苯二酚；而处于无定形表面的非骨架Ｔｉ－Ｏ－ＳｉＯ３活性位上只生成邻苯二酚     

Linard型方程周期边界问题的Landesmen-Lazer条件

本文主要利用拓扑度理论，在“ｊｕｍｐｉｎｇｎｏｎｌｉｎｅａｒｉｔｉｅｓ”情形，给出周期边界问题．ｘ″＋ｆ（ｘ）ｘ′＋ｇ（ｔ，ｘ）＝０ｘ（０）＝ｘ（２π），ｘ′（０）＝ｘ′（２π）｛在共振情形解的存在性条件，从而推广了Ｃ．Ｆａｂｒｙ［３］最近的结果     

稀土固体超强酸SO^2—4—TiO2—La^3＋催化合成癸二酸二乙酯

研究以稀土因体超强酸ＳＯ＾２－４－ＴｉＯ２－Ｌａ＾３＋为催化剂,癸二酸和无水乙醇为原料,合成癸二酸二乙酯,并考察影响反应的因素。结果表明,最适宜的反应条件为醇酸摩尔比４．０：１,催化剂用量１．０ｇ（癸二酸０．１ｍｏｌ）,带水剂苯１５ｍＬ,反应时间３．０ｈ,经率达９６．８％。     

关于偶图中过给定独立边集的圈

本文的主要结果是：Ｇ＝（Ａ，Ｂ；Ｅ）是一偶图，｜Ａ｜＝｜Ｂ｜＝ｎ≥２，（ｘ，ｙ）∈Ｅ，有ｄ（ｘ）＋ｄ（ｙ）≥ｎ＋１，且ｘ１∈Ａ，ｙ０，ｙ１∈Ｂ，（ｘ０≠ｘ１，ｙ０≠ｙ１），｛ｘ０，ｙ０），（ｘ１，ｙ１）｝∩Ｅ＝φ，有ｄ（ｘ０）＋ｄ（ｘ１）＋ｄ（ｙ０）＋ｄ（ｙ１）≥（８ｎ＋５）／３，则对Ｇ的任意独立边集Ｍ，Ｇ有含Ｍ的圈．     

一类常微分方程的积分解

本文给出以下形式的微分方程的积分解：Ｐｎ（Ｄ）＝Π（ｋ,ｓ＝１）（Ｄ＾２－２α３Ｄ＋α＾２ｓ＋β＾２ｓ）．Π（ｎ－２ｋ,ｊ＝１）（Ｄ－λｊ）。其中Ｄ＝ｄ．ｄｘ．λｊ,αｓ,βｓ为实数,│αｓ│〉０,ｓ＝１,２,３,…,ｋｊ,ｊ＝１,２×,ｎ－２ｋ,λ＝ｍａｘ １≤ｓ≤ｋ,１≤ｊ≤ｎ－２ｋ｛│αｓ│,│λｊ│α,ｙ（ｘ）为（－∞,＋∞）上的有界函数,则方程Ｐｎ（Ｄ）ｆ（ｘ）＝ｙ（ｘ）,ａ．ｅ．,且满     

一维热方程奇异初边值问题

本文证明了形如：Ｕｘｘ＝Ｕｔ，Ｕ（ｘ，０）＝０，Ｕ（０，ｔ）＝Ｕｔ＾（－（ｋ＋１）／２，Ｕ（∞，ｔ）＝０，的奇异初边值问题，当ｋ＝１，３，５，…时没有相似解；而当ｋ＞－１且ｋ≠１，３，５，…时相似解一定存在。第一个断言推断了Ｐｈａｎ－Ｔｈｉｅｎ于文［１］中提出的一个重要结论。     

Tl2Bg2Ca2Cu3Ox单相超导块材的制备

本文研究了Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ（简称２２２３）单相超导块材的制备工艺。Ｘ射线衍射谱的分析和交流磁化率测量结果表明，对于名义组分为ＴｌＢａＣａ３Ｃｕ３Ｏｘ的配料，在相当宽的温度范围（８７５℃～９５０℃）内烧结都有２２２３相生成。在８９７℃烧结２ｈ得到了纯的２２２３单相样品，其Ｔｃ（Ｒ＝０）值达１２０Ｋ。