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1.
1986年,J.G.Bednorz 和 K.A.Müller 发现 La-Ba-Cu-O 陶瓷超导体,迅速掀起了世界范围的“超导热”,接着发现的 Y-Ba-Cu-O 超导体临界温度高达90K,实现了临界温度的大幅度提高。仅几个月的时间,几乎测量了 Y-Ba-Cu-O 超导体的各种参数,如临界温度、临界电流密度、临界磁场强度、比热、能隙、约瑟夫逊效应、氧缺位、铜价态、相图以及微观结构等,为理论研究和实际应用奠定基础。 相似文献
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研究了主组成及少量外加物对Y_xBa_(1-x)CuO_3系超导陶瓷导电性与超导电性的影响.研究表明,当配料组成Y∶Ba≈1∶2时最容易制取稳定的、零电阻为88K以上的高临界温度T_c的超导材料;采用Bi、Pb、Na、Co等对阳离子进行部分替位更换,仍能获得超导特性,但对T_c值没有改进;少量外加物对YBa_2Cu_3O_(7-δ)系超导陶瓷的T_c值有明显的影响,微量钴离子的掺入可使T_c提高到110K,但掺入量较多时反使T_c降低. 相似文献
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高T_c超导材料的实用化和超导电子学的进展,在很大程度上取决于超导薄膜技术的突破,因此国内外正广泛而深入地开展薄膜生长方法、薄膜结构和特性的研究。华中理工大学光学系薄膜实验室和激光技术国家重点实验室利用射频溅射技术、电子束蒸发技术和激光蒸发技术分别在ZrO_2和SrTiO_3等衬底上制备Y-Ba-Cu-O薄膜获初步成果。 测试数据表明:利用三种方法制备的薄膜其零电阻温度均在85K以上,其中最好的结果是用射频溅射法在ZrO_2衬底上制得的,开始转变温度为99K,零电阻温度90K,宽度为2K,电流密度在78K下测量为10~3—10~4A/cm~2。经X线衍射、扫描电镜和透射电镜等 相似文献
4.
朱宰万 《吉林大学学报(理学版)》1990,(2)
本文利用Eliashberg超导理论,分析了高T_c氧化物超导体的LO耦合机制,给出了此类超导体e-LO耦合参数λ、库仑赝势μ~n、临界温度T_c和0K能隙△_0与T_c比值的计算公式。 相似文献
5.
高T_c超导材料的实用化和超导电子学的进展,在很大程度上取决于超导薄膜技术的突破,因此国内外正广泛而深入地开展薄膜生长方法、薄膜结构和特性的研究。华中理工大学光学系薄膜实验室和激光技术国家重点实验室利用射频溅射技术、电子束蒸发技术和激光蒸发技术分别在ZrO_2和SrTiO_3等衬底上制备Y-Ba-Cu-O薄膜获初步成果。 相似文献
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《华中科技大学学报(自然科学版)》1988,(Z2)
高T_c超导材料的实用化和超导电子学的进展,在很大程度上取决于超导薄膜技术的突破,因此国内外正广泛而深入地开展薄膜生长方法,薄膜结构和特性的研究。华中理工大学光学系薄膜实验室和激光技术国家重点实验室利用射频溅射技术,电子束蒸发技术和激光蒸发技术分别在ZrO_2和SrTiO_3等衬底上制备Y-Ba-Cu-O薄膜获初步成果。 相似文献
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我们利用正电子湮没率对电子波函数敏感的特点研究了高T_c超导材料Y-Ba-Cu-O在相变温度附近区域的特性。正电子寿命、多普勒增宽线形参数H、S和电阻R的测量同时进行。本工作着重于利用电子密度及其动量的变化探讨高T_c超导材料相变的机制。 测量所用的寿命谱仪为标准的快-快符合系统,其分辨率为270ps;多普勒增宽仪采用液氮冷却下的高纯锗探测器测量;电阻的测量采用通常的四探针法,用镍膜为衬托的Na-22作为正电子源。样品按标准的1:2:3的配比将Y、Ba、Cu氧化物混合后烧制而成。 相似文献
8.
<正> 寻找液氮温度的高Tc超导材料是人们长期以来的奋斗目标.自Bednorz和Müller发现在Ba-La-Cu氧化物系统中可能存在35K的超导电性,Uchida和Takagi等人观察到Meissner效应,从而确定了该系统的超导电性的存在。中科院北京物理研究所的赵忠贤等人在Y-Ba-Cu氧化物体系中获得零电阻温度为78.5K的高Tc超导体。我们在自制的Y-Ba-Cu-O体系样品上获得零电阻温度为91.5K的好结果,得到国内有关专家的肯定。 相似文献
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Y—Ba—Cu—O超导材料的热分析研究 总被引:1,自引:1,他引:1
本文制备了T_c=95K的Y-Ba-Cu-O超导体。用热分析方法研究了Y-Ba-Cu-O超导体固相反应的烧结温度。并就烧结温度对超导体性能的影响机制进行了探讨。 相似文献