CsI(Tl)光电二极管探测器效率和输出电流的模拟

工业CT探测器由CsI(Tl)闪烁体和光电二极管器构成.用蒙特卡罗方法模拟探测器的探测效率与输出电流的大小,通过最佳探测效率求最佳晶体长度.模拟所用X射线能量为10～240keV,CsI(Tl)晶体的有效面积为1.1mm×1.1mm,长度范围为0.3～0.8cm.得到最佳晶体长度为0.5～0.6cm,探测器输出的平均电流的量级为10-10 A.     

基于高速电流脉冲前放的数字式电荷积分型能谱仪系统设计

基于电流脉冲前放的数字式电荷积分能谱仪可以对29 Mcps的信号发生器测试信号输入保证99.98%的脉冲通过率.该文设计的数字式电荷积分能谱仪系统连接NaI(Tl)探测器对Cs-137放射源测量,统计其通过率为82.3kcps,662keV射线能量分辨率为7.53%,系统死时间为2.26%.相同条件下,传统数字化能谱仪系统的能量分辨率为7.53%,系统死时间为24.5%.通过实验可知,该文设计的DQDC数字化能谱仪系统相比于传统数字化能谱仪具有更高的脉冲通过率,能量分辨率大致相当.     

采用光纤光栅的光交叉连接节点中的同频串扰

从均匀光纤光栅滤波器的窗口函数出发,研究了基于光纤光栅解复用器的光交叉连接中由于光栅非理想滤波特性引起的同频串扰问题,推导了两类同频串扰(同源相干串扰和非同源串扰)同时影响下的系统功率代价表达式,并由此计算了光栅耦合系数、光栅长度及偏振匹配因子等对系统性能的影响.     

探测器单元PAD的单道计数率和strip pattern的研究

探测器单元PAD的单道计数率是阵列探测器长期运行稳定性的一个参量.用单道计数率结合探测器单元整个的strip pattern来综合研究探测器的运行情况,对阵列运行维护和探测器研究都有重要的参考意义.     

CeO_2纳米线阵列的制备

以阳极氧化铝膜(AAO)为模板通过溶胶-凝胶法合成了CeO2 纳米线阵列,并通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及X射线光电子能谱(XPS)等对CeO2 纳米线进行了表征.     

激光液相烧蚀制备TiO2纳米颗粒的研究

利用脉冲激光器对金属钛靶进行液相烧蚀,在不同的激光烧蚀功率下,制备出了TiO2纳米颗粒．利用原子力显微镜、X射线衍射对TiO2纳米颗粒的形貌、结构进行了表征,讨论了TiO2纳米颗粒的尺寸随着激光输出能量的变化关系,并对TiO2纳米颗粒的烧蚀机制进行了分析．     

In-Al共掺杂ZnO纳米串的制备和光学性质研究

通过化学气相沉积方法(CVD)制备了In-Al共掺杂的氧化锌纳米串.扫描电镜观察到纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为50~150 nm,长度约为5~20μm.X射线衍射结果表明样品具有ZnO六角纤锌矿结构.并且研究了In-Al共掺杂的氧化锌纳米串的生长机制,并通过样品的光致发光谱可见所合成的样品具有较好晶体质量.     

简并微扰论中能量和波函数的二级修正

根据非简并微扰中能量和波函数的二级修正推导思路,对简并微扰中能量和波函数的二级修正进行推导,得出了二级修正的表达式.     

半导体辐射探测器（英文）

在探测器领域,半导体材料的重要性有三个:(i)可以充分利用辐射的贯穿性;(ii)能检测辐射对生物的有害性;(iii)是我们周围信息的有效载体.目前有以下几种探测器:(1)粒子计数探测器;(2)粒子能量探测器;(3)粒子与物质作用时间探测器;(4)粒子单位体积单位时间能量探测器.有多种被探测的电离粒子和能量范围,因为不同的粒子与探测器物质的相互作用不同所以需要不同的探测器.该文综述了不同的探测器种类(包括不同的材料和结构),它们的应用和面临的挑战.     

电沉积硫化镉纳米膜的形态结构

采用电沉积法在表面活性剂和电解液的液-液界面制备CdS纳米薄膜,硫化镉纳米膜是由50～60 nm的球形颗粒构成.透射电镜、X射线光电子能谱、X射线衍射对纳米膜进行分析表明,制备的硫化镉纳米膜是由六方和立方混合相的CdS和六方相金属Cd组成,Cd与CdS的摩尔比近似1:3.由于表面效应导致纳米晶粒的晶格常数增大,晶格发生膨胀.     

钠钨青铜（NaxWO3）晶体的制备及其成分,结构测试

文中采用熔盐电解法，电解钨酸钠与三氧化钨熔盐制备出系列钠钨青铜晶体，选用离子选择电极分析法快速、简便、可靠地测定了晶体中的钠含量，并通过Ｘ－射线粉末衍射确定了晶体的晶型结构及晶格常数ａ．     

定向耦合器型4×4光波导开关陈列的研制

LiNbO_3光波导开关陈列是宽带光通信中重要的元器件之一.作者设计并制作了采用阶跃△β方法调制有5个定向耦合器构成的4×4光波导开关陈列.器件性能为插入损耗:-10dB左右,串话:-20dB左右,驱动电压:15V左右,开关响应时间:<1.4ns,工作波长为1.3μm.     

用电子束感生电压技术检测锑化铟红外探测器

在DX-3A扫描电子显微镜上加上了低温样品架,在83K用电子束惑生电压技术(EBIV)检测了锑化铟光生伏特型红外探测器的若干性能.探测器的EBIV像可清楚地显示出光敏面扩大的程度及多元探测器中各敏感元之间的隔离不完善性.光敏面上缺陷引起的响应不均匀性也可灵敏地检测出来.对于具有腐蚀台阶的台面型探测器,从EBIV分布曲线可估计出p-n结的深度.     

过渡族金属离子掺杂ZnS纳米棒的制备及光学性质研究

利用溶剂热法制备过渡族金属Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋掺杂ZnS纳米棒．通过x射线衍射（XRD）、X射线能谱仪（EDX）、扫描电显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析研究过渡族金属离子（Cu^2＋、Mn^2＋、Fe^2＋）掺杂对样品的结构和形貌的影响．利用紫外可见分光光度计和共聚焦显微拉曼一荧光光谱仪（PL）对样品的光学特性进行表征．结果表明,样品为六角纤锌矿结构,过渡族金属离子成功掺入到ZnS晶格中．另外,金属离子的引入对ZnS纳米棒的发光特性有很大影响．     

利用自组装技术制备二维胶体球阵列

利用自组装技术制备了二维有序胶体阵列,并对其自组装机制进行了分析．以此二维有序胶体阵列为掩模可以制备二维金属薄膜孔洞阵列和硅基孔洞阵列,这在传感器和记录介质方面具有广泛应用．     

活性炭负载P-Mo-W杂多酸催化苯硝化反应活性的研究

以活性炭为载体,采用浸渍法制备了负载磷钼钨杂多酸催化剂,利用XRD和IR对催化剂进行了表征,并对其苯的催化硝化反应活性进行初步评价,考察了钼钨比、负载量、催化剂用量、反应时间等因素对硝基苯收率的影响.结果表明,活性炭负载后,催化剂仍保持了杂多酸的Keggin结构,并表现出较强的催化硝化反应活性,在适宜条件下,硝基苯收率可达到73.20%.     

硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.     

一个改进的Love电子能量损失方程

给出一个改进的Love电子能量损失方程——ML方程,该方程既保持了Love方程可积分得到Bethe路径解析式特点,能量较低时又能较好地描述电子能量损失.用ML及Love方程对Al、Ag、Au的电子阻止本领与电子作用区作了计算比较.基于Mott截面以及ML与Love方程,用Monte Carlo方法模拟了E≤5keV的低能电子在Al、Ag、Au中的散射,计算的电子背散射系数表明,改进后的ML方程计算结果与实验符合较好。     

球磨时间对Cu-MoSi2粉末结构与形貌的影响

采用X射线衍射分析、扫描电镜、能谱分析等手段,研究了Cu-MoSi2粉末在球磨过程中的组织形态特征以及微观结构的变化.结果表明：混合粉末在球磨过程中表现出先形成机械包裹体再破碎细化的演变过程;球磨60 h混合粉末性能最佳,Cu的最小晶粒尺寸为14.4 nm,MoSi2的最小晶粒尺寸为24.1 nm;混合粉末中MoSi2表现出衍射峰强度和晶粒尺寸先减小后变大,而显微应变先增大后快速减小的反常现象.