水热合成BaTiO3薄膜及其微观结构分析

利用水热反主尖，成功在地１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ。对比快速热退火前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射谱发现：薄膜呈多层结构，退火前为立为ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔｉ／Ｓｉ，退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。     

CMOS和BIOS的区别

ＣＭＯＳ是微机主板上的一块可读写的ＲＡＭ芯 片，主 要用来 保存当 前系统 的硬件 配置和 操作人 员对某 些参数 的设 定 ＣＭＯＳＲＡＭ芯片由系统通过一块后备电池供电，因此在关机状态后信息也不会丢失。由于ＣＭＯＳ ＲＡＭ芯片本身只是一块存储器，只具有保存数据的功能，所以对ＣＭＯＳ中各项参数的设定要通过专门的程序。目前多数厂家将 ＣＭＯＳ设置程序做到了 ＢＩＯＳ芯片中，在开机时通过按下某个特定键就可进人 ＣＭＯＳ设置程序而非常方便地对系统进行设置，因此ＣＭＯＳ设置又通常被叫做ＢＩＯＳ设置。 所谓ＢＩＯＳ，实际…     

掺Sb对Bi（Pb）SrCaCuO超导电性的影响

研究了掺Ｓｂ对ＢｉＳｒＣａＣｕＯ超导电性的影响，对Ｂｉ系统料中Ｓｂ，Ｐｂ的最佳含量和烧结工艺进行了探索。     

Ca8Mg（SiO4）4Cl2中Ce^3＋的光谱与晶体学格位

合成了新型蓝色光致发光材料Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ４：Ｃｅ＾３＋，并对其进行了光普测试。分析了Ｃｅ＾３＋在Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中应占据的晶体不格位。测试结果表明，在紫外光激发下，Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋的发射光谱为一峰为在４１０ｎｍ－４２５ｎｍ之间的宽谱带，经分析确认作为发光中的Ｃｅ＾３＋占据Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２晶体中多面体八配位的Ｃａ格全。     

CoSi2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术

研究了一种新型自对准硅化物ＭＯＳ晶体管制备技术，通过Ｃｏ／Ｓｉ固相反应在源漏区和栅电极表面形成一层自对准的低电阻率ＣｏＳｉ＿２薄膜，在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中进行杂质离子注入，用计算机模拟程序对离子注入杂质分布及损伤进行计算，选择适当的注入能量，使注入的杂质浓度峰值位于ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ界面附近，经快速退火，可获得界面载流子浓度较高、性能优良的增强型和耗尽型ＮＭＯＳ晶体管。该文还研究了注入在ＣｏＳｉ＿２／Ｓｉ结构中的杂质在不同的热处理条件下的分布变化，结果表明，磷在热处理过程中，存在向硅衬底较强的扩散趋势，而硼则明显不同。     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。     

MoSi2与B4C反应合成复合材料的显微结构及力学性能研究

研究了在热压过程中ＭｏＳｉ与Ｂ４Ｃ反应合成的硅化物与硼化物复合 显微结构及力学性能。结果表明,得到的复合材料以ＭｏＳｉ２,Ｍｏ２Ｂ５为主要组成相。复合材料的力学性能较纯ＭｏＳｉ２有较大改进。当Ｂ４Ｃ添加量ｗ＝１０％时,σｂ及ＫＩＣ均达到最大值,分别为３８０ＭＰａ和３．９ＭＰａ．ｍ＾１／２复合材料的硬度值则随添加量增加而增加。     

机械通气治疗ALI/ARDS的研究

研究了旨在导找ＡＬＩ／ＡＲＤＳ最佳机械通气时机。将９４例ＡＬＩ／ＡＲＤＳ患者分为３组,Ａ组ＰａＯ２／ＦｉＯ２０１６０２６．６７ｋＰａ,Ｂ组２６．６７ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ２≤３３．３３ｋＰａ,Ｃ组３３．３３ＫＰａ〈ＰａＯ２／ＦｉＯ≤４０．００ｋＰａ,分别予机械通气,比较３组间ＶＴ、ＰＥＥＰ、ＰＩＰ、Ｐｐｌａｔ、ＰａＯ２、ＰａＣＯ２、Ｐａ、ＨＲ、ＭＶ时间、存活出率、死亡率差异性。用Ｘ＾２、ｔ检验进     

换位子AP权有界性

设μ，λ∈ＡＰ〈Ｖ＝（μλ＾－１）＾１－Ｐ，１〈ｐ〈∞，ｂ∈Ｅ＾１（ｄｘ），如果ｂＢＭＯＶ，则换位子「Ｔ，Ｍｂ」满足，存在一个常数Ｃｆ与ｆ有关，使得∫／「Ｔ，Ｍｂ」ｆ－Ｃｆ／＾ｐλ≤Ｃ∫／ｆ／＾ｐμ；相反地若Ｃｉ＝「Ｒｉ，Ｍｂ」是Ｌ＾ｐ（Ｒ，μ）到Ｌ＾ｐ（Ｒ，λ）有界算子，即∫Ｒ＾ｎ／「Ｒｉ，Ｍｂ」ｆ／＾ｐλ≤Ｃ∫Ｒ＾ｎ／ｆ／＾ｐμ，（ｉ＝１，２，…，ｎ），则ｂ∈ＢＭＯＶ，此结果推广了Ｂｌｏｏｍ（     

ZnO—Bi2O3—Sb2O3BaO系压敏陶瓷组成相的显微分析

用Ｘ射线衍射及电子探针微区成分分析技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ为基的压敏陶瓷的显微结构。除通常的ＺｎＯ，Ｂｉ２Ｏ３和Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４晶相之外，发现了一新的晶界相。分析表明，新的晶界相是固溶有微量Ｚｎ的ＢｓＳｂ２Ｏ６晶相；它以颗粒状夹杂于弥散的Ｂｉ２Ｏ３晶界相中；随钡含量增加，ＢａＳｂＯ６相的数量增多，粒径也增大，相应地Ｚｎ２．３３Ｓｂ０．６７Ｏ４相的则减少。     

自动门限转速测量仪的设计

本文提出了自动门限测量转速的方法,同时介绍了采用8098单片机的A/D输入及PWM输出来实现自动门限,并且采用HSI及定时器实现转速测量的硬件电路及相应的软件设计方法.     

低功耗胰岛素泵控制器的设计

论文介绍胰岛素泵控制器的软硬件设计.该控制器由十个模块电路构成,论文详细介绍了电源管理模块、电机控制模块、转速测量模块和电机堵转模块的具体实施方法,论文还进一步介绍了降低系统功耗的软硬件措施.样机测试结果表明系统成本低廉、性能稳定、使用方便,具有广泛的应用前景.     

一种GP参数优化的有效方法

本文提出了一种双极集成电路GP模型参数优化的有效方法.该算法对GP模型迭代方程的参数和节点电压初值的要求大为降低,同时代替非线性方程的求解,以确定本征结电压的多次迭代过程.另外,对优化过程中所采用的简单变换处理箱型约束的方法进行了分析,确定所存在问题并在优化过程中采用了Watchdog方法使这类约束问题得到方便地解决.实验表明,这些处理对GP参数的优化是极为有效的.     

GaN基发光二极管波长偏移的研究

在不同环境温度及不同驱动电流条件下,测试GaN基绿光发光二极管峰值波长的变化,结果表明,环境温度及驱动电流的增加，均会引起结温的增加,但是峰值波长的变化却有区别.在环境温度不变，驱动电流增加过程中，出现LED峰值波长的蓝移现象；在驱动电流不变、环境温度变化过程中，出现LED峰值波长的红移.用能带及极化场耦合模理论，分析实验结果，得到In0.25 GaN0.75阱层的极化场强为3.304MV/cm，垒层的极化场强为-0.826MV/cm；首次引入能隙变量随结温变化率的概念，在LED额定驱动电流范围内，热效应、载流子对极化效应引起的内建电场的屏蔽作用所引的能隙变量随结温变化率分别为3.637×10-4ev/k及1.3025×10-3ev/k，研究认为，二种效应引起的能隙变量随结温的变化率决定着峰值波长偏移的方向.     

用于低阻半导体器件结电容测量的混频-锁相检测技术

本文提出一种利用低频锁相放大器测量高频信号的混频-锁相检测技术.将这一技术用于低阻半导体器件的结电容测量,获得了满意的结果.测量装置的工作频率在400千赫~4兆赫间连续可调,可以测出结电阻低到50欧姆的器件的结电容.文中列出了碲镉汞光电二极管结电容的测量结果.     

用电子束感生电压技术检测锑化铟红外探测器

在DX-3A扫描电子显微镜上加上了低温样品架,在83K用电子束惑生电压技术(EBIV)检测了锑化铟光生伏特型红外探测器的若干性能.探测器的EBIV像可清楚地显示出光敏面扩大的程度及多元探测器中各敏感元之间的隔离不完善性.光敏面上缺陷引起的响应不均匀性也可灵敏地检测出来.对于具有腐蚀台阶的台面型探测器,从EBIV分布曲线可估计出p-n结的深度.     

基于双状态机空间映射的设计及应用

空间映射是异构总线之间实现数据高速交换的主要技术手段.用户自己研发此类产品时快速高效地设计出具有自己特色的映射电路意义重大.该文讨论以双状态机方式实现空间映射,对其结构框架、工作原理和应用实例进行详细分析.该设计具有易于开发、升级、扩展功能的特点.     

组合电路中延迟故障的功能测试生成

提出一种用于测试组合电路中延迟故障的新功能邦联模型,讨论该模型的功能测试生成。实验表明,这种功能测试集具有实现低路径延迟故障覆盖范围的功能。     

轴对称挤压过程中速度和温度关系的计算

建立了轴对称挤压过程热平衡的有限差分模型，在该模型中采用了动可容球形速度场，综合考虑了塑性变形，摩擦、热声望地以及材料流动等引起的挤压温升，利用该模型分析了等速挤压的温度变化、模拟等温挤压和等温挤压的速度，温度的变化关系，其结果与实验数据相符，可用于热挤压工艺参数的优化设计。