MAOS晶体管的存貯特性及其在只讀存貯器中的应用

随着MOS大规模集成电路技术的发展,半导体MOS存贮器在电子计算机中获得了广泛的应用。MOS存贮器大致分为存贮信息挥发和不挥发两类。前者有MOS晶体管电路的随机存取存贮器,在1μs以下可写入和读出信息,但在切断电源后,不能保持存贮内容;后者具有永久保持存贮内容的特性,不受电源通断的影响,但存贮内容不能随便改变。在数据处理工作中,要求经常或定期改变和部分的改变存贮器的存贮内容,需要少量多品种的不挥发性存贮器。采用MOS只读存贮器,须按预编程序一一设计掩模,这样造价高、浪     

MOS—183电子数字计算机

MOS—183电子计算机是北方交通大学电子工程系和北京市半导体器件五厂协作研制的通用性多功能小型计算机。该机的中央处理机、外围控制器和接口采用 P—MOS 集成电路,内存仍用磁芯,其控制线路和驱动线路用 TTL 集成电路,MOS—183机目前配有16KB 字节存贮器,光电输入、穿孔输出、键盘输入、键盘输出等外设。MOS—183机是从 DJS—183机简化而来的,简化后其指令系统、中断系统、和外部件工作方式仍然相同,软件兼容。本文将简要介绍 MOS—183机基本指标,基本特点及其改进意见。     

一个小型MOS串联存贮器的初步实践

前言 近年来,金属──氧化物──半导体集成电路(简称MOS集成电路)有了很大的发展,由于它具有制造工艺简单,集成度高,功耗小,可靠性强等优点,因此正日益广泛地被应用到计算机里。在毕业实践中,我组十一名工农兵学员承担了用MOS动态移位寄存器做小型串联存贮器以取代DJS-11机的磁芯宽行存贮器的研究任务,在三个多月的时间内,我们完成了以下几项工作: 1.MOS动态移位寄存器集成电路性能的测试; 2.外围电路的设计与定型; 3.宽行打印机的逻辑设计; 4.模型实验及稳定性的初步考验。 一、MOS动态移位寄存器集成电路性能的测试 1.DVJ-D40集…     

用于双极型集成电路的共岛金属——氧化物——半导体(MOS)电容器

本文提出一种新的金属——氧化物——半导体(MOS)电容器结构,取名共岛MOS电容器。在双极型集成电路中,它具有和各种元件共置一个隔离岛的特点,能增加集成电路设计的灵活性,缩小芯片面积,为振荡器集成化提供一个只需要四块掩模版的简单工艺的设计方法。最后,本文介绍共岛MOS电容器在晶体振荡器集成化中应用的满意结果。     

CMOS集成电路中MOS管匹配特性分析

目的研究CMOS集成电路中MOS管匹配特性。方法通过分析MOS管在饱和区和线性区的工作方程,分别推导了引起MOS管电压、电流失配的因素,并分析对MOS管匹配特性的影响。结果系统地提出一些进行MOS管匹配设计的方法及应该采取的版图设计规则。结论可作为CMOS集成电路设计提供必要的理论依据。     

MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨

基于CMOS（互补金属氧化物半导体）的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础。     

用C-V特性三点法测量表面电荷的原理和应用

本文提出一种利用MOS结构C—V特性测量Si—SiO_2介面固定表面电荷和可动离子的新方法。此方法的特点是:(1)不需要x—y函数记录仪;(2)测量程序简单,可快速求值;(3)测量结果准确,故最适宜作MOS集成电路工艺或平面工艺的监控手段。     

半导体存贮器——关于电子计算机中RAM、ROM的讨论

随着大规模集成电路的迅速发展,半导体存贮器正在向磁芯存贮器“挑战”,今后,计算机的内存贮器将如何发展,是我们十分关心的问题。本文希望通过讨论,以期获得大家的帮助。一、历史和现状从五十年代开始直到现在,磁芯存贮器在计算机中是占主导地位的。据统计,铁氧体磁芯存贮器约占全部操作存贮器的90%,二十几年来国内外磁芯存贮器工作者,从磁     

高浓度硼、磷扩散后光刻中“染色现象”的分析

引言MOS 集成电路是近年来发展起来的一种新型集成电路,它的工作原理完全不同于普通双极型集成电路,由于它具有输入阻抗高。噪音系数低、功耗小、制造工艺简单等优点,目前 MOS 集成电路已成为国防工业和国民经济中迫切需要的产品。     

“银河”灿烂

沙洲计算机存贮器厂 你厂为我委某地生产的半导体存贮器(MOS),进度快、质量好、服务周到,在“331”任务中发挥作用,完成了任务,受到中央军委副秘书长张爱萍同志和国防科工委领导的赞扬,为此,特向你们表示祝贺。 国防科学技术工业委员会 1984.2.9 不久,我们又收到了中共中央、国务院、中央军委发给我们的贺信,祝贺我厂     

微型计算机处理课堂信息的接口电路

本文介绍一种利用国产集成电路制作的处理课堂信息的接口电路,应答分析器配上这种接口以后,就能通过廉价的盒式录音带作为缓冲存贮器寄存课堂信息,并可随时输送给SYM——1型微型计算机进行数据分析.除了硬件方面,本文对数据采集、处理程序也作了详细叙述.     

BD7503硅栅N沟道1024位MOS随机存贮器的研制

我们小组遵照毛主席“中国人民有志气,有能力,一定要在不远的将来,赶上和超过世界先进水平”的教导,怀着必胜的信念,在兄弟单位大力协同下,于去年三月研制成功了硅栅N沟道1024位MOS随机存贮器。     

80386／486微机系统缓冲存贮器的硬件结构及其性能分析

论述了８０３８６／４８６微机系统缓冲存贮器的结构原理，对几种不同结构缓冲器的性能进行了比较，并介绍了在缓冲控制器专用集成电路方面的新发展     

利用可编程序台式电子计算机进行MOS集成电路的设计

本文报导利用可编程序台式电子计算机设计MOS集成电路的一种方法,其中包括:阈电压、反相器的直流与瞬态特性以及饱和MOS负载反相器的设计程序,计算时采用了简化的模型,并把计算结果与实验数据进行了比较。     

非饱和MOS负载倒相器的上升时间

E/EMOS倒相器的负载管处于常导通状态,当其工作在非饱和区时,称为非饱和MOS负载倒相器(见图1)。由于工作在非饱和区,提高了电路的开关速度,较饱和MOS负载电路有更好的瞬态特性。倒相器的瞬态特性决定了倒相器的开关时间和工作速度,是设计MOS集成电路的主要依据,而影响瞬态特性的主要参数又是上升时间t_r。t_r定义为     

等离子体腐蚀特性

等离子体腐蚀是七十年代初期在半导体工业中发展起来的一项新技术。在集成电路、特别是 N 沟硅栅 MOS 集成电路中,用它来腐蚀多晶硅和氮化硅显示出巨大的优越性。本文深入地讨论了等离子体腐蚀机理,给出了若干等离子体腐蚀特性的实验测量结果,并给了等离子体腐蚀的最佳工作条件。     

一种低成本计算机花型显示系统的设计

计算机花型显示系统包括微型计算机、彩色图形显示器、帧缓冲存贮器、图形显示接口等4大部分。根据系统的总体要求首先要选择合适的主机和彩色图形显示器,为接口和缓存的设计提供依据。本文详细介绍了显示控制脉冲频率的确定、帧缓冲存贮器的模块结构、缓冲存贮器与微机之间接口、伪彩色解码、行数控制电路、象素控制电路和显示地址信号产生电路。本设计全部采用常用的中小规模集成电路。系统价格低廉,性能稳定。     

提高MOS中小规模集成电路管芯成品率的几点措施

本文报导了提高MOS中小规模集成电路管芯成品率的研究结果.单片管芯成品率最高达到67.9%,批量管芯成品率最高达到57.3%,平均管芯成品率稳定在37.5%～49.2%之间.     

运用器件模拟软件验证一种GGNMOS ESD保护电路的设计方案

随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25 μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD (electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一.     

MOS大规模集成电路阵列布局方法

在中、小规模MOS集成电路中采用的随机布局方法不再适用于MOS/LSI的布局设计.本文从布局观点出发,把MOS/LSl分为规则阵列和逻辑阵列,提出了对MOS/LSI版图设计很重要的几种布局方法。详细地介绍了组合和时序ROM逻辑阵列以及PLA逻辑阵列的布局方法及其逻辑设计依据.“ROM”法和“PLA”法是直接将其阵列逻辑图用于MOS/LSI版图布局设计的先进布局方法。这些布局方法对MOS/LSI版图设计是普遍适用的,既能解决随机布局对复杂逻辑系统版图设计难以解决的布局问题,又为版图设计带来了图形规整,便于修改,检查、测试和安排计算机程序进行辅助设计的优点。还对各种布局方法作了举例说明,对比分析了各自的优缺点,并就MOS/LSI的整体布局设计考虑作了一般原则性论述.