Determination of L-cysteine in Microbial Conversion Liquor by Spectrophotometry with 5, 5'-Dithiobis-(2-nitrobenzoic acid)

以5,5’-二硫硝基苯甲酸(DTNB)分光光度法测定微生物法转化液中的L-半胱氨酸,测定波长为412 nm,L-半胱氨酸在5～40 μg/mL浓度范围内呈良好的线性关系(R2＞0.999 3),高、中、低浓度水平的L-半胱氨酸加标回收率为99.2％～102.5％,RSD为2.3％.该法准确、简单、快速,可以用于对微生物转化进行实时检测.     

微生物法制备L一半胱氨酸分离提纯的方法

采用微生物法制备L-半胱氨酸,产物浓度低、易氧化和被脱巯基酶进一步分解,L-半胱氨酸的分离提纯难度较大,是制约产品收率提高的控制步骤.目前多采用将L-半胱氨酸氧化为L-胱氨酸,分离后再电解还原的氧化法和离子交换法,离子交换法以其简洁的工艺成为今后的研究方向.     

DL-ATC对TS1138菌株酶法生产L-半胱氨酸的影响

以假单胞菌(Pseudomonas sp.)TS1138菌株为供试菌株,研究了在转化DL-ATC生产L-半胱氨酸过程中.DL-ATC对产酶和转化的影响.结果表明:DL-ATC对TS1138菌株产酶具有诱导作用,产酶培养中必须适量添加.从L-半胱氨酸的产量和DL-ATC转化率两个方面综合考虑,酶法生产L-半胱氨酸的最适DL-ATC为9 g·L-1,采用间歇流加DL-ATC方式可使L-半胱氨酸的产量提高56.25%.     

L-半胱氨酸修饰银电极用于测定食品包装塑料中的锡

采用自组装方法,通过L-半胱氨酸分子中的硫与银基底较强的亲和性,L-半胱氨酸在电极表面吸附并定向排列形成单分子层,得到L-半胱氨酸修饰银电极.循环伏安实验表明银电极表面自组装上L-半胱氨酸后,灵敏度明显提高,在0.2 mol/L HAc-NaAc(pH=5.0)缓冲溶液中研究Sn(Ⅱ)的伏安特性,由于Sn(Ⅱ)与电极表面L-半胱氨酸的吸附富集作用,在-37.5 mV产生一个灵敏的还原峰,其峰电流与Sn(Ⅱ)浓度成线性关系,线性范围为5.0×10-10～1.0×10-6mol/L,检测下限可达1.0×10-10mol/L.测定食品包装塑料中的锡,获得与原子吸收法一致结果.     

L-半胱氨酸自组装单层膜修饰金电极测定抗坏血酸

选用L-半胱氨酸(L-Cys)通过S-Au键修饰到金电极上形成L-半胱氨酸自组装单分子膜修饰金电极(L-Cys/Au),探讨了该电极形成机理并发现它对抗坏血酸具有电催化作用.进而利用示差脉冲伏安法对各种样品中的抗坏血酸含量测定,结果令人满意.     

L-半胱氨酸配位合成CdTe量子点的理论研究

本文利用密度泛函理论，研究了L-半胱氨酸及L-胱氨酸在CdTe上的吸附特征. 优化之后分别得到了四种稳定的吸附构型，计算了它们的吸附能、电荷密度、前沿分子轨道以及紫外可见吸收光谱等. 研究发现:L-半胱氨酸在CdTe上的吸附能较大、紫外可见光吸收较强，说明L-半胱氨酸在CdTe上的吸附较稳定，容易产生分子荧光，而L-半胱氨酸转化为L-胱氨酸之后，吸附稳定性降低、紫外可见光吸收强度减弱. 该研究为L-半胱氨酸配体合成的CdTe QDs荧光材料用于生物体内H2O2和葡萄糖的检测提供了理论支撑.     

多壁碳纳米管修饰玻碳电极测定L-半胱氨酸

将多壁碳纳米管滴涂于玻碳电极表面,制作多壁碳纳米管修饰玻碳电极(MWNTs/GCE),研究L-半胱氨酸(Cys)在此修饰电极上的电化学行为,并建立一种电化学检测L-半胱氨酸的新方法.在最佳实验条件下,L-半胱氨酸在2.0 × 10-6～1.0×10-4 mol/L浓度范围内与峰电流呈良好线性关系.其回归方程为Ip(μA...     

细胞色素C/L-半胱氨酸修饰电极的电化学行为研究

采用自组装修饰法将细胞色素C修饰到以L-半胱氨酸为连接剂的金电极上,并运用循环伏安法(CV)、电化学阻抗法(EIS)等方法研究了该电极的电化学行为.测定了细胞色素C有关的电化学参数.     

聚胸腺嘧啶寡核苷酸介导的铜纳米粒子荧光探针高灵敏检测L-半胱氨酸

以聚胸腺嘧啶寡核苷酸为模板分子,利用一步法温和快速合成了稳定性好、荧光性能优异的铜纳米粒子。基于L-半胱氨酸能通过巯基高选择性地与铜纳米粒子发生相互作用形成Cu—S键,从而淬灭铜纳米粒子荧光的现象,建立了测定L-半胱氨酸的荧光检测新方法。此方法测定L-半胱氨酸的线性范围为3~50μmol/L,检出限为0.56μmol/L,可望用于尿液中L-半胱氨酸含量的测定。     

高山花椰菜多酚氧化酶活性影响因素的研究

研究了几种还原剂对高山花椰菜多酚氧化酶(PPO)活性的影响.结果表明:150 mg/L的L-半胱氨酸、200 mg/L的抗坏血酸、150mg/L的亚硫酸钠可分别抑制PPO活性的91.7%、79.2%和83.2%,其中L-半胱氨酸是对PPO抑制效果最好的还原剂,L-半胱氨酸的添加量应以500mg/L为宜.     

L-半胱氨酸自组装膜对铜的缓蚀功能研究

在金属铜表面上制备了L-半胱氨酸自组装膜,采用循环伏安法、电化学交流阻抗以及极化曲线研究了各种浓度的L-半胱氨酸溶液制备的自组装膜对铜的缓蚀性能,研究发现,1×10-3 mol/L的L-半胱氨酸溶液的自组装膜在0.5 mol/L的NaCl溶液中有较好的缓蚀效果,缓蚀效率84.9％.     

L-半胱氨酸对酪氨酸酶的抑制酪氨酸酶催化动力学

L-半胱氨酸对酪氨酸酶活性有抑制作用,随着L-半胱氨酸浓度的增加而酶活不断受到抑制,并且延滞时间也相应延长。相对稳态酶活力则随着L-半胱氨酸浓度的增大而下降。同时,对酪氨酸酶催化反应的影响及作用动力学机理进行了研究,分析延滞时间产生的根本原因,提出了酪氨酸酶的单酚酶将醌转化为多巴黑色素的非酶反应偶联的反应机理,研究其对酪氨酸酶催化反应的影响及作用动力学机理,为酪氨酸酶抑制剂的设计提供分子模板。     

新型无标记h-IgG电流型免疫传感器的研究

采用自组装技术,以L-半胱氨酸为基底结合纳米金(NanO-Au),然后再固定抗体,利用L-半胱氨酸对多巴胺的直接电催化作用放大电信号,制备了无酶标记且无电子媒介体的h-IgG电流型免疫传感器.通过交流阻抗、差示脉冲技术考察了电极表面的电化学特性,并对该免疫传感器的作用机理及性能进行了详细研究.免疫反应发生后,将电极转入含多巴胺的缓冲溶液中,用差分脉冲伏安法(DPV)测得h-IgG线性范围为0.80～90 ng/mL,检出限为0.25 ng/mL.实验结果表明,该免疫传感器具有制备简单、灵敏度高、稳定性好、线性范围宽等优点.     

极化玻碳电极和聚L-半胱氨酸玻碳修饰电极稳定性的研究

在含有5.0×10-3mol·L-1 EP的浓度为0.5 mol·L-1H2SO4溶液中,采用循环伏安法研究并比较了极化玻碳电极与聚L-半胱氨酸修饰电极的稳定性.实验结果表明,两者都表现出较为可逆的伏安响应,并对肾上腺素的电化学氧化具有良好的电催化性能,但极化玻碳电极的稳定性差,而聚L-半胱氨酸修饰电极则表现出良好的稳定性.     

噻唑烷-4-羧酸苄酯的合成

以L-半胱氨酸为原料,对甲苯磺酸为催化剂,合成L-半胱氨酸苄酯对甲苯磺酸盐,得到L-半胱氨酸苄酯对甲苯磺酸盐合成的较佳条件是：L-半胱氨酸、对甲苯磺酸、苯甲醇的物质的量比为1：1．1：3．7,50mL苯,在此条件下L-半胱氨酸苄酯对甲苯磺酸盐的产率是86．5％。然后用L-半胱氨酸苄酯对甲苯磺酸盐和醛类反应生成相应的噻唑烷-4-羧酸苄酯,产率为72．3％,化合物的结构经^1H NMR,IR,元素分析得以确证,该化合物为新型ACEI的设计与合成提供一种重要的中间体。     

一种新型铜离子-席夫碱印迹膜的制备与电化学性质研究

以L-半胱氨酸和香草醛为原料合成了一种新的席夫碱(Schiff-base),用红外光谱对席夫碱进行了表征.将金电极置于席夫碱和铜离子的乙醇水溶液中,用自组装方法在金电极上制备了铜离子席夫碱印迹膜,该印迹膜是一种新型的铜离子电化学传感器.用循环伏安法和交流阻抗法研究了印迹膜电极的电化学行为,用差示脉冲伏安法研究了铜离子在该电极上的响应,实验表明铜离子在3×10-6～5×10-5 mol·L-1浓度区间内与峰电流呈线性关系,其相关系数为0.997 2,检出限为1×10-7 mol·L-1.该印迹电极可用于铜离子的电化学测定.     

L-半胱氨酸产生菌恶臭假单胞菌TS1138的鉴定和诱变育种

从土壤中分离得到一株利用DL-2-氨基-△^2-噻唑啉4-羧酸合成L-半胱氨酸的TS1138菌株，通过形态学特征、生理生化特征、（G＋C）（摩尔分数）和16S rRNA基因序列对其进行了分类鉴定，确定TS1138菌株为恶臭假单胞菌（Pseudomonas putida）．该菌株具有将DL-2-氨基-△^2-噻唑啉-4-羧酸不对称地水解生成L-半胱氨酸的性能．采用了L-半胱氨酸产物的检测方法即18-磷钨酸法、薄层层析法和旋光度法．将TS1138菌株进行亚硝基胍诱变，得到TS1138菌株脱巯基酶缺失突变株TS1138-10，其产L-半胱氨酸能力较出发菌株提高了50％以上．TS1138-10的稳定性实验表明，该菌株的高产L-半胱氨酸能力具有稳定性的遗传特性．     

二茂铁甲酸/L-半胱氨酸修饰金电极的制备及对抗坏血酸的电催化测定

实验制备了二茂铁甲酸/L-半胱氨酸自组装金电极,并用循环伏安法和电化学阻抗予以表征,研究了该电极在磷酸氢钾-磷酸氢二钾溶液(pH=7.0)中的电化学行为,考察了介质、酸度对修饰电极伏安行为的影响.实验表明,该电极对抗坏血酸(AA)的电化学氧化具有明显的催化作用.用示差脉冲伏安法对AA进行了测定,其氧化电流于AA的浓度在2.52×10-5-6.31×10-3mol L-1范围内呈良好的线性关系,线性相关系数为0.9931,检出限为1.30×10-6mol L-1.     

聚L-半胱氨酸修饰电极对食品中香兰素的测定

用循环伏安法制备聚L-半胱氨酸修饰电极并研究了香兰素在聚L-半胱氨酸修饰电极上的电化学行为,建立了一种测定香兰素的新方法。实验结果表明:在pH=2.2磷酸盐缓冲溶液中,香兰素检测线性范围为1.2×10-5~1.2×10-4 mol/L;检出限为8.0×10-7 mol/L。同时该修饰电极具有良好的灵敏度、选择性和稳定性,可用于食品中香兰素的检测,结果满意,有较广的应用前景。     

氢化物发生原子荧光法同时测定丹参中痕量砷和锑

采用L-半胱氨酸做预还原剂,建立了氢化物发生原子荧光光谱法测定丹参中砷、锑含量的方法.研究了酸度、硼氢化钾浓度、L-半胱氨酸浓度等条件对原子荧光强度的影响.结果表明,在最佳工作条件下,砷、锑检出限分别为0.09μg/L和0.03μg/L;在取样量为1.000g时,砷、锑的检出限分别为1.13 ng/g和0.38ng/g.本方法操作简单、灵敏度高、分析速度快,适用于植物药材及其制剂中痕量砷、锑含量的检测.