Al_xGa_（1－x）As虚晶近似LMTO能带的自洽计算

对于包含芯态的全电子势的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，建议用一种虚晶近似的合金能带计算方法（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ－ＶＣＡ），文中着重研究该方法的能带自洽迭代计算方案，在Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ合金能带计算中获得合理的虚晶近似的能带结构。     

一种计算半导体合金能带的LMTO-ASA-VCA方法

本文依据全电子LMTO-ASA能带计算方法的特点,提出LMTO-ASA-VCA合金能带结构计算的虚晶近似方案,用于Ga_(1-x)AlxAs的计算,所得各组分下的能带结构、态密度及弯曲参数等均显示虚晶近似的特征,合金的价电子能量总和及ASA球中包含的价电子电荷数随组分的变化都接近于线性,表明本计算方案是合理可行的.     

多元合金异质InxGa1—xAs／InxAl1—xAs的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算法，研究了三元合金ＩｎｘＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ值。     

多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ（ｘ）值．研究表明：该异质结的ΔＥｖ（ｘ）值随合金组分ｘ的变化接近于线性；ΔＥｖ（ｘ）的理论计算值与实验结果相当符合．     

GaAs／GexSi1—x系统的电子能带结构

采用紧束缚方法计算生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｊ２）４／（ＧａＡｓ）的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。     

过渡合金A15相稳定性判定的新方法

提供一种与能带计算相容的相稳定性判定方法，通过对过渡合金Ａ１５相的计算，所得结果与能带计算十分接近，证明该法的有效性。同时还根据判定结果推测了Ａ１５超声现象的机制，为了高ＴＣ提供了新的理论论据。     

GaAs／Ge_xSi_（1－x）系统的电子能带结构

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金（００１）面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｉ２）４／（ＧａＡｓ）４的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响．     

立方相CdS能带LMTO计算

本文利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了具有闪锌矿结构的ＣｄＳ的电子能带结构．在计算中，Ｃｄ的４ｄ电子作为价电子考虑，自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合．计算给出了主价带宽度，得出与实验一致的价带特征．能带结构计算表明本文的计算结果与实验符合的较好并和其它理论计算结果相一致．     

添加剂的吸附行为及其对锌镍合金镀层结构的影响

采用电化学法研究锌镍镀液中有机添加剂ＡＡ－１和ＤＩＥ的吸附行为及其对电沉积过程的阻化作用，并用ｘ射线衍射法研究所获得Ｚｎ－Ｎｉ合金沉积层的相组成和织构，结果表明，ＡＡ－１和ＤＩＥ在电极表面吸附并阻化Ｚｎ－Ｎｉ合金共沉积；它们单独存在或共存时，均造成合金沉积物的Ｎｉ含量较无添加剂的为低，合金沉积物的相组成由单独存在时的η相转变为共存时的η＋ｒ相；由于ＡＡ－１和ＤＩＥ的协同作用而强烈地促进沉积物（１００）晶面的形成。     

纳米晶Fe—B—Si合金的高温蠕变

研究了Ｆｅ７８Ｂ１３Ｓｉ９合金纳米晶（２７ｎｍ）和粗晶（２５０ｎｍ）试样的高温拉伸蠕变。纳米晶和粗晶试样蠕变初期阶段的应变－时间关系均符合Ａｎｄｒａｄｅ的指数律。根据稳态蠕变激活能和应力指数的数值，认为纳米晶试样的蠕变由界面扩散机制控制，而粗晶试样的蠕变由一种复合机制控制。文中报道的Ｆｅ－Ｂ－Ｓｉ合金与以前报道Ｎｉ－Ｐ合金高温蠕变的结果有相同的规律。     

SiC晶须增强Al－2．0％Li合金的拉伸性能

研究了压力铸造法制备的ＳｉＣ晶须增强Ａｌ－Ｌｉ合金的时效硬化行为与拉伸性能．结果表明，ＳｉＣ晶须的引入不仅可以加速δ′相的长大，使时效峰提前，而且ＳｉＣ晶须的加入还明显提高Ａｌ－Ｌｉ合金的强度，而拉伸延伸率降低较少；ＳｉＣｗ／Ａｌ－Ｌｉ复合材料的拉伸断口呈穿晶韧窝状，不存在通常Ａｌ－Ｌｉ合金中因时效引起的断口形貌由穿晶型向沿晶型过渡的现象     

从第一原理反演计算同类原子间的对势

在晶向族表象中，以三晶向族的Ｍｂｉｕｓ反演公式为零级近似，其余晶向族的贡献为微扰给出了陈－任微扰公式。内聚能函数对晶格间距的关系由第一原理的ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法计算得到。原子间对势以改进的陈－任公式计算。文中在没有考虑体积效应的情况下给出金和铜的同类原子对势的计算结果。     

InAs／GaAs应变异质界面能带排列的极端应变效应

建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自旋－轨道耦合等因素对能带排列的影响。结果表明，ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ异质界面的能带排列具有极端显著的应变效应，通过人工控制其平面内晶格常数（可由选择不同的衬底来实现），可使其成为Ⅰ型，Ⅱ型超晶格或金属。此应变效应主要来源于单轴应力及其与自旋－轨道分裂的耦合，而流体静压和界面电荷的作用则相对很小．本文对以ＧａＡｓ为衬底情况下的计算结果与Ｘ射线光发射实验数据相一致。     

电磁搅拌对Al—Si合金凝固组织的影响

利用电磁搅拌凝固Ａｌ－Ｓｉ亚共晶合金,实验中发现,电磁搅拌使合金的宏观组织得到明显细化在显微组织中,随着电磁搅拌增强,α－Ａｌ枝晶向非枝晶转化;同时,液相流动促进了Ｓｉ相生长,使之发生经,相间距离增加。     

CrC的能带结构研究

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了ＣｒＣ的能带结构，对引起Ｓｉｎｇｈ与ｚｈｕｋｏｖ等人计算结果差异的原因进行了探讨．结果表明，特殊ｋ点数的选取对计算结果有较大影响，而在原子球间隙区添加空原子球有助于改善计算结果     

静高压在多层Al／Fe—Mo—Si—B纳米合金复合材料…

在３￣５．５ＧＰａ的压力范围内，经过８７３Ｋ，３０ｍｉｎｈ等温热处理由非（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３（ＦＭＳＢ）条带和纯金属Ａｌ片交替叠成的样品，制备出多层Ａｌ／Ｆｅ－Ｍｏ－Ｓｉ－Ｂ纳米合金复合材料。研究了静高压在复合材料制备中影响非晶ＦＭＳＢ合金晶化相，Ｆｅ－Ｍｏ－Ｓｉ－Ｂ纳米合金晶粒度和Ａｌ／Ｆｅ－Ｍｏ－Ｓｉ－Ｂ复合材料界面相的规律及机制。     

用电磁力模拟空间微重力效应装置制备Al—Bi偏晶合金

利用微重力电磁模拟装置成功地制备了二元偏晶合金Ａｌ－Ｂｉ,与地面普通样品进行对照,结果表明利用电磁模拟装置能够有效地消除由于重力影响而产生的分层现象,可以制备出少数相弥散良好的Ａｌ－Ｂｉ偏晶合金。     

予形变度晶粒度对马氏体转变及其晶界行为的影响

以铜基形状记忆合金为例，从热力学途径进一步分析了ＳＭＡ中热弹马氏体相变及其穿晶可能性，并讨论了Ｃｕ－Ｚｎ－Ｓｎ合金中予形变度，晶粒度对马氏体取向效应及晶界行为的影响。     

多晶 CuZnAl 合金马氏体变体群结构及其生长过程研究

利用金相动态观察及Ｘ－射线衍射研究了多晶Ｃｕ－１８．５２Ｚｎ－６．３７Ａｌ合金Ｍ１８Ｒ马氏体变体群组态及其生长过程。多晶Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金一个晶粒内多以一个变体群为主。每群由Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ四个变体组成，形成ＡＣ型矛头状、ＡＢ平行及ＡＤ分叉型三种组态。变体群形成过程中，马氏体变体的消长及变体内小孪晶结构的形成等动力学特征反映了马氏体的热弹性及相变应力、应变自调节。在相变热循环中，变体群内形成大量非常稳定的残留马氏体。     

机械合金化法制备简单金属合金玻璃的研究

将晶态Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ元素粉末混合，用机械合金化方法制备了Ｍｇ－Ｚｎ、Ａｌ－Ｍｇ合金玻璃。用Ｘ射线衍射技术测定了不同球磨时间样品的Ｘ射线衍射图谱，分析考察了非晶化的过程及其影响因素，讨论了重新晶化的现象．