硅微尘上金刚石膜的生长

采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜，并利用ＳＥＭ和Ｘ射衍射方法对金刚石膜进行了研究。     

光照对金刚石薄膜压阻效应的影响

分析研究ＣＶＤ方法制备的多晶金刚石薄膜的压阻效应，结果表明光照对金刚石膜的压阻效应有显著的影响，并对所得结果进行了讨论。     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

影响微波等离子体炬法制备金刚石薄膜的参数

本文采用微波等离子体炬法制备了金刚石薄膜。并在一定的微波功率下,研究了Si基片到火炬喷嘴距离(L)对金刚石膜质量的影响,结果表明:距离L为6mm时沉积的金刚石薄膜的结晶性好、金刚石相纯度高。     

丙酮对金刚石膜生长速率的影响

采用灯丝热解化学气相沉积方法，在不同的碳源气体氢气中合成金刚石薄膜，并研究不同工艺条件下金刚石膜生长速率。结果表明，在较低的灯丝分解气体温度和较近的灯丝与衬底距离条件下，以丙酮为碳源气体合成的金刚石膜具有 的生长速率的较好的质量。     

热阴极辉光PACVD金刚石厚膜的生长特性

对用热阴极辉光ＰＡＣＶＤ方法合成的金刚石厚膜，采用扫描电子显微镜进行了观察，研究了金刚石的生长机制。     

Fe_(50)Cu_(50)合金的形成及动力学分析

本文用机械合金化方法制备了Fe（50）Cu（50）合金，采用XRD研究了合金化过程．计算了晶格常数、晶粒尺寸及微观应变随球磨时间的变化．对Fe-Cu合金的形成进行了动力学分析．     

N离子注入金刚石膜方法合成的CNx膜的成键结构

使用N离子（能量分别为10keV,60keV)注入金刚石膜方法合成CNx膜，用Raman光谱和XPS光谱研究注入前后金刚石膜的成键结构。结果表明，金刚石膜经10keVN离子注入后，在Raman光谱中出现一个较强的金刚石峰（1332cm^-1)和一个弱的石墨峰（G带，-1550cm^-1)。而XPSN1s资料显示两个主峰分别位于～398.5eV和～400.0eV。金刚石膜经60keVN离子注入后，N1sXPS光谱中的主峰位于～400.0eV；相应地，Raman光谱中的石墨峰变得较强，通过比较，对注入样品的XPS谱中N1s的成键结构作如下归属：～400.0eV属于sp^2C-N键；～398.5eV则属于sp^3C-N键。     

CMOS／SOD抗核加固电路辐照后的恢复特性

以金刚石膜作为绝缘埋层，利用金刚石膜上的薄层硅（ＳＯＤ）技术，制作５４ＨＣＴ０３ＣＭＯＳ／ＳＯＤ结构的集成电路，对该电路在辐照后的恢复特性进行研究，结果表明，ＳＯＤ电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路；常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的ＳＯＤ电路的快速恢复。     

氧化铝陶瓷／金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究

采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜,用抛电镜,Ｘ躬一衍射和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量,并测这和分析了氧化铝／铝金刚石膜复合材料的介电性质。     

不锈钢上草绿色钼酸盐转化膜组成的研究

用阴极电沉积法从钼酸盐溶液中获得了草绿色的不锈钢转化膜。该膜具有良好的热稳定性。ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明，膜厚约为１７３ｎｍ，膜的表面钼以Ｍｏ存在，而在膜内则以Ｍｏ和Ｍｏ共存。从ＡＥＳ深度剥蚀曲线的组成恒定区求得膜的组成为：Ｏ５２．８％，Ｍｏ３０．４％，Ｐ１２．５％和Ｆｅ４．３％。循环伏安的氧化峰也证明膜内存在Ｍｏ。     

超导薄膜在垂直磁场作用下的应力应变分布

研究主要分析了YBCO高温超导薄膜在垂直磁场作用下的应力、应变分布规律。基于Bean临界态模型,并且在超导薄膜仅受外加磁场的作用下,分析了超导体内产生感应磁场与电流密度的关系,由此推导了YBCO高温超导薄膜在外加磁场作用下的应力应变表达式,使用Origin、Matlab程序做出了应力应变分布图。结果表明:超导薄膜在外加磁场的作用下其应力应变主要分布在薄膜的两侧;同时发现在外加磁场逐渐增大的过程中,薄膜的应力应变极值会随着增大。     

TiO2薄膜制备及光诱导超亲水性能研究

以玻璃为基底,采用溶胶一凝胶法,利用旋涂技术在玻璃表面制备了膜厚小于100nm,粒径在10-30nm之间的纳米TiO2薄膜;利用XRD,AFM系统研究了煅烧温度及膜厚对薄膜亲水性的影响．结果表明,煅烧温度可以控制TiO2薄膜晶相类型,从而强烈影响薄膜的亲水性,煅烧温度为550℃时TiO2薄膜亲水性能达到最佳,经紫外光照2h后接触角为6°;研究还发现TiO2薄膜的亲水性随膜厚增大而提高,当膜厚超过85nm后趋于稳定．     

在高真空条件下镀制的光学膜

本文论述了在高真空条件下(P<2×10~(-3)Pa)制备的电介质膜、高反射金属膜、吸收材料的半透明膜.讨论了产生高透射率电介质膜和反射率金属膜的某些重要因素.     

十钨酸薄膜的制备及电催化活性

运用LBL法将同多酸Na4W10O32(简记为W10)和聚阴离子PEI沉积到多层膜中,进而制得{PEI/[W10/PEI]n/W10}多层薄膜,用UV-vis光谱监测整个膜增长过程,并研究了多层膜修饰的ITO电极的电化学性质.以具有分析价值的化合物NaNO2为底物,研究了多层膜的催化性质,并通过安培计时法进行了进一步的研究.研究结果表明,多层膜对NO2-具有优良的电催化性能,且具有较低的检出限和较高的灵敏度.作为一种原料简单、制备简易的复合膜电极,有望在传感器领域得以应用.     

Sol-Gel法制备纳米TiO2薄膜及性能研究

采用TiO2溶胶,利用溶胶-凝胶技术在玻璃表面制备了TiO2薄膜．用原子力显微镜（AFM）分析了样品的形貌,结构和粒度的分布;用自动椭圆偏振测厚仪测量了薄膜的厚度．研究了TiO2颗粒的催化机理、薄膜上粒子的性能以及薄膜的光催化性能,130nm左右的TiO2薄膜对甲基橙溶液的降解率达到28．2％．     

泵用串联式干气密封的优化设计及其性能校核

通过多目标优化理论构建了螺旋槽气膜开启力与泄漏量之比的协调函数,并利用该目标函数,通过Maple软件,对泵用串联式干气密封进行近似求解,获得螺旋槽的最佳槽形参数,获得气膜厚度2.14μm.应用Solidworks软件建立螺旋槽和气膜模型,并利用Gambit软件对模型划分网格.运用Fluent软件,在给定的工作条件下,对螺旋槽内部微间隙三维气体流场进行数值模拟,得到了速度分布、压力分布和泄漏量等数据,经计算得到最终的气膜厚度2μm,与优化气膜厚度的误差仅为6.5%.从而证明可以利用该方法对此类干气密封装置进行优化设计及性能校核.     

聚一氯对二甲基苯膜的热稳定性与介电特性

以一氯对二甲基苯二聚体为原料,通过真空化学气相沉积法制备聚一氯对二甲基苯(Parylene C)膜,对该高分子薄膜材料的热稳定性和介电性能进行研究.通过DSC测得Parylene C膜的玻璃化转变温度为85℃,熔点为300℃,且Parylene C膜在不同的升温速率都表现出很好的热稳定性.测定膜厚为0.05 mm的介电常数为2.35,通过对绝缘性能的分析,以膜厚0.05 mm为测试基准.当蒸发温度在75~115℃,裂解温度在675~680℃时,介电强度达到5 500 V/mm,证明在合适的工艺条件下,Parylene C膜有很好的绝缘性.     

加工硬化对薄膜/基底体系临界压痕极限的影响

使用有限元法模拟了具有加工硬化的薄膜/基底体系在Berkovich压痕下的力学响应,讨论了薄膜与基底屈服强度比、薄膜/基底的加工硬化和压头尖端半径对临界压痕极限的影响.研究发现：薄膜的加工硬化使临界压痕极限减少,而基底加工硬化没有产生明显的影响;同时,随着压头尖端半径的增大,临界压痕深度减少.     

YIG单晶薄膜在垂直泵下铁磁共振折叠效应和第二级自旋波不稳定性的临界场

YIG单晶薄膜在垂直泵下铁磁共振折叠效应的实验结果已被作者及其同事报道了.该工作是进一步分析这些实验结果和讨论薄膜样品的第二级自旋波不稳定性的临界场.分析结果表明,连续波高功率激发的铁磁共振折叠效应主要是由于样品发热引起的.在脉冲微波功率激发下,当静磁场平行薄膜平面时,铁磁共振不存在明显的折叠效应,但对静磁场垂直于薄膜平面的铁磁共振观察到折叠效应.