Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

磁控溅射ITO透明导电薄膜的研究

采用直流磁控反应溅射法制备锡掺杂氧化铟 （ Ｉ Ｔ Ｏ） 薄膜, 研究了不同的基片温度、氧分压等工艺参数对 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜电学、光学性能的影响, 制备出方块电阻为２０ － ５０ Ω、可见光透射率高于８６ ％ 的 Ｉ Ｔ Ｏ 薄膜     

超微粒子—有机聚合物薄膜的研究

我们用离子团束－飞行时间质谱（ＩＣＢ－ＴＯＦＭＳ）系统制备了金（Ａｕ）超微粒子－聚乙烯（ＰＥ）薄膜和Ｃ６０－聚乙烯薄膜。用透射电子显微镜（ＴＥＭ）分析了所制备的样品。它们的结构是Ａｕ超微粒子镶嵌在多晶的ＰＥ薄膜中，其中Ａｕ原子团呈球形，直径分布在２．０－５．０ｎｍ窄范围内，当沉积基底温度为９０℃时，Ａｕ原子团相互靠近，几乎连接起来，但仍保持原来大小。基底温度为１４０℃蒸积的Ｃ６０－ＰＥ薄膜具有晶态     

前驱体溶体pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响

采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜，讨论了前驱体溶液的酸碱度（ｐＨ值）对薄膜结构和结晶性的影响。ｐＨ〈２和ｐＨ〉３．５的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７和Ｂｉ２Ｔｉ４Ｏ１１杂相。ｐＨ＝２．５￣３．５的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ２结构的取向薄膜。     

液相外延生长Bi：YIG薄膜的溶性模型

在Ｂｉ２Ｏ３－ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３复合助熔剂中，采用等温浸渍液相外延技术在ＧＧＧ基片的（１１１）面上生长了（Ｂｉ，Ａｌ）：ＹＩＧ薄膜，建立了掺铋钇铁石榴石在Ｂｉ２Ｏ３－ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３溶液中的溶性模型，并利用实验数据对该模型进行定量检验，发现在实验误差范围内饱和温度Ｔｓ的计算值与实验值基本相符，提出了进一步完善该溶性模型的方法。     

靶材制备工艺与配比对ZrW2O8薄膜制备的影响

分别采用钨酸锆靶（ZrW2O8）和氧化锆（ZrO2）与氧化钨（WO3）的复合靶，在磁控溅射条件下制备钨酸锆（ZrW2O8）薄膜，研究了靶材制备工艺、复合靶成分配比以及热处理温度对薄膜成分的影响，并对薄膜生长方式进行了初步探讨．结果表明：ZrW2O8靶材制备的薄膜在700℃处理后薄膜中ZrW2O8纯度较高，相同配比下，复合靶制备的薄膜经750℃处理后薄膜中ZrW2O8含量最高；以凡（ZrO2）：n（WO3）为1：2．8的复合靶材制备的薄膜经热处理后，结晶度优于凡（ZrO2）：n（WO3）为1：2获得的薄膜，并且ZrW2O8最佳含量的热处理温度较低；热处理时薄膜的生长机制为岛状生长方式；ZrW2O8薄膜在（211）和（220）晶面上的热膨胀系数均为负值．     

（Ba0.7Sr0.3）TiO3铁电薄膜热敏电容器的研制

采用射频磁控浅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的ＢＳＴ（（Ｂａ０．７Ｓｒ０．３）ＴｉＯ３）铁电薄膜热敏电容器，介绍了热敏电容器上下电极的选材和制备及铁电薄膜的制备工艺。根据热敏电容器的电容－温度曲线，分析了热敏电容器的工作原理。实验结果表明ＢＳＴ铁电薄膜热敏电容器可以工作在室温附近，约２６℃处。     

前驱体溶液pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响

采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度（ｐＨ值）对薄膜结构和结晶性的影响．ｐＨ＜２和ｐＨ＞３５的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７和Ｂｉ２Ｔｉ４Ｏ１１杂相．ｐＨ＝２５～３５的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构的取向薄膜     

多层氧化物薄膜气体敏感特性的研究

报道了采用ＰＥＣＶＤ方法制备多层薄膜材料，研究了不同结构薄膜材料的气敏特性，制得了具有优越性能的ＮＯｘ、乙醇和ＴＭＡ气体传感器     

溶胶—凝胶法制备TiO2—CeO2薄膜

采用溶胶－凝胶法制备了鲜黄色的高反射ＴｉＯ２－ＣｅＯ２薄膜，研究了环境湿度和醋酸添加剂对薄膜形成的影响，研究表明，醋酸加入能显著提高薄膜质量，得到均匀透明的高质量薄膜；涂膜环境温湿度对薄膜质量有决定性作用。     

用阳离子置换法制备汞系高温超导薄膜

介绍了最近发明的一种制备汞系高温超导薄膜的新方法—阳离子置换法．采用Ｔ１ 系外延超导薄膜作为先驱薄膜,将Ｔ１ 系超导薄膜在Ｈｇ 气氛下进行热处理,用Ｈｇ 置换先驱薄膜中的Ｔ１,进而生成Ｈｇ 系外延超导薄膜．用此方法,成功地在ＬａＡｌＯ３ （００１）衬底上制做出了高质量的ＨｇＢａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ 超导薄膜．Ｘ－光衍射θ－２θ扫描和极图测试表明,薄膜具有很纯的超导相和很好的外延结构．超导临界温度可达１２２Ｋ．在７７Ｋ温度下,临界电流密度达到３．４×１０６ Ａ／ｃｍ ２,在１１０Ｋ 温度下,临界电流密度仍可保持在０．７×１０６Ａ／ｃｍ ２ ．     

溶胶—凝胶法制备SiO_2薄膜

本研究采用ＴＥＯＳ－ＥｔＯＨ－Ｈ２Ｏ－ＨＣｌ体系原料，应用低温合成技术，成功地在玻璃基底上制备了完整透明的ＳｉＯ２薄膜。对合成材料进行了差热—失重分析，Ｘ射线衍射分析，红外透射光谱分析及理化检验。结果表明，无序ＳｉＯ４四面体网络已经形成，薄膜的固体物理状态可控制为晶态、非晶态，并赋予基底优良的理化性能。     

掺Bi石榴石单晶薄膜的磁光特性

报导了（ＰｒＤｄＹｂ）３－１Ｂｉｘ（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２石榴石单晶薄膜生长工艺，生产材料以及样品的实验结果；讨论了Ｂｉ＾３＋离子的加入使材料的Ｆａｒａｄａｙ，４πＭｓ，Ｔｃ和光散强度增加的线性关系。     

不同衬底温度下制备的Co-Al-O介质颗粒薄膜的巨磁电阻效应

利用射频反应溅射的方法在不同衬底温度（Ｔｓ）下制备了Ｃｏ－Ａｌ－Ｏ介质颗粒薄膜。薄膜的本征电阻及磁电阻值密切依赖于薄膜制备过程中的衬底温度。通过原子力显微镜对样品表面的观察发现：以Ｃｏ为基的纳米磁性颗粒的尺寸随Ｔｓ的增加而变大,并且颗粒之间由完全初介质分离逐渐变化到互相连接．对应这种结构上的变化,薄膜的电导机制由隧道效应向金属性电导转变,相应地薄膜的磁电阻值也发生了变化。     

高临界电流密度外延T12Ba2CaCu2O8超导薄膜

本文用直流磁控离子溅射及后热处理工艺在（００１）ＬａＡ１０３单晶衬底上制备的Ｔ１２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８高温超导薄膜，经Ｘ－光衍射θ－２θ和Φ扫描测试证明，薄膜是外延生长的。薄膜的超导转变温度高达１０８．６Ｋ。在液氮温度下，零磁场时的临界电流密度达７．６×１０６Ａ／ｍ２。薄膜具有很强的磁通钉扎能力。当垂直于膜面外加一个４特斯拉的磁场时，临界电流密度仍可保持１．１×１０６Ａ／ｃｍ２。     

染料敏化后ZnO超微薄膜的光电性能

采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法,成功制备了ＺｎＯ超微薄膜。通过ＳＥＭ、紫外吸收光谱对ＺｎＯ超微薄膜性质进行了分析。采用罗丹明－Ｂ、叶绿素铜钠盐等染料对ＺｎＯ超微薄膜进行敏化,制作了光电化学电池。对敏化剂的特性进行了研究,实验证明罗丹明－Ｂ是很好的敏化剂。获得单位面积的最大开路电压为２２６ｍ Ｖ,最大短路电流为２２μＡ。     

本征超导辐射探测器的研究

报道了本征超导辐射探测器的实验过程及结果分析．探测器是利用超导的临界电流与温度的关系（Ｉｃ－Ｔ）来工作的，而且完全工作在超导本征态．高温超导薄膜为采用准分子激光消融法制备的ＹＢＣＯ外延超导薄膜．采用离子束干法刻蚀进行器件的图形制备．在８～１４μｍ红外波段进行了探测器的光响应测试．调制频率为１０Ｈｚ时，探测器的等效噪声功率（ＮＥＰ）为１．８×１０－１２Ｗ·Ｈｚ－１／２；归一化探测度为２．５×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２·Ｗ－１．实验表明，在低于Ｔｃ的温度范围内，探测器具有平坦的光响应与温度的曲线，从而克服了传统的Ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ探测器工作温度过窄的缺点．     

新型磁光石榴石薄膜的液相外延生长

对高掺铋（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２及（ＥｒＧｄＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２激光单晶薄膜的液相外延生长进行了实验研究，用液相外延法将薄膜生长在大晶格常数的ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ基片上，实验中采用新的材料配方与工艺技术，特别是在薄膜晶体生长中采用变化熔料温度与基片转速的新技术，生长出多分层而不开裂的薄膜，使用Ｄ／ＭＡＸ－ⅡＢ型晶体衍射仪测量了样品的Ｘ射线衍射谱，并对实验结果进行了分析。     

金属微粒—介质复合薄膜（Ag—BaO）的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒－介质复合薄膜，会存在各种不同的微观结构缺陷，为研究它的这种缺陷，制备了Ａｇ微粒－介质（ＢａＯ）复合薄膜，并在不同温度下退火，对这些样品做了正电子湮没有寿命实验，结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少，这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷退火而得到改善。     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。