非均匀磁场中（1／2，1）混合自旋海森堡XXZ模型的热纠缠

研究在非均匀磁场作用下的两混合自旋（1／2，1）各向异性海森堡XXZ模型的热纠缠特性．在均匀磁场下，随着各向异性参数的增加，临界磁场和临界温度都增大．在非均匀磁场体系中磁场不均匀度在提高纠缠的临界温度和扩大纠缠存在的范围方面起着很重要的作用．     

冷却囚禁原子的基本方法——磁光阱

 讨论了磁光阱的基本原理——光作用力理论和实验方法:用1对反向电流线圈和3对相互垂直的(上下左右前后)的圆偏振激光束照射气体原子,使原子受到耗散力被冷却,而且还会因受到非均匀光电场的梯度力作用而被囚禁与光束交汇中心,从而达到冷却囚禁原子的目的,为实现玻色-爱因斯坦凝聚奠定了基础.     

基于腔衰减辅助的受激拉曼绝热跟随技术的量子计算方案

提出了一个基于腔QED系统实现无退相干子空间中任意两比特纠缠逻辑门的理论方案,结合已有的单量子比特的逻辑操作,就可以完成任意的量子计算.两个相同的原子囚禁在单模光学腔中,并受到外加激光场的驱动,在腔场初态处于真空态的情况下,大的腔场衰减相当于对腔场进行频繁测量,而使之保持在真空态,这种效应就是腔场衰减协助的量子Zeno效应,它通过生成腔场的无退相干子空间而有效地抑制了腔场衰减的影响.另一方面,利用受激Raman绝热过程来克服原子自发辐射的影响,所以方案可以获得很高保真度的纠缠逻辑门.     

基于量子理论方法的原子激光冷却机理分析

应用含保守系统和非保守系统的薛定谔方程分析了激光冷却机制,用该理论证明了原子在激光场中被冷却.并预言了原子冷却温度与原子振动频率成正比,该结论与最近在Nature发表的实验结果完全一致.     

原子与耦合腔相互作用系统中光场的量子特性

研究了耦合腔A和B中各囚禁一个二能级原子的情况,给出了总激发数为2时系统态矢的演化。采用数值计算方法研究了腔场的反聚束效应和亚泊松分布等量子特性的演化规律。讨论了原子的选择性测量和腔场间的耦合强度变化对腔场量子特性的影响。研究结果表明:腔场的反聚束效应和亚泊松分布随腔场间耦合系数变化存在非线性关系。另一方面,采用选择原子测量方法可增强腔场A的亚泊松分布的性质。     

激光冷却和操控原子:原理与应用

 利用激光进行冷却和囚禁原子,可降低原子热运动速度、实现原子的量子操控,在精密测量等领域具有重要应用。本文概述了激光冷却和囚禁原子技术的发展历程及其基本原理,综述了该技术在玻色-爱因斯坦凝聚、原子钟和原子干涉仪等领域的应用。     

Ξ型原子与腔场的非共振作用实现量子逻辑门与猫态的传送

提出了利用Ξ型三能级原子与腔场的非共振相互作用产生原子腔场纠缠态，并实现量子逻辑非门及薛定谔猫态的隐形传送。     

用B-样条函数研究频率调制场中的态囚禁

利用B-样条函数展开方法结合碱金属原子的模型势,研究了里德堡钾原子处于静电场、微波场和频率调制场中的方波振荡,得到了与实验相符合的结果,并且通特殊控制频率调制场的性质得到了两种原子态囚禁的方法.     

两量子比特海森堡XY模型中的热纠缠

研究外加非均匀磁场下包含交叉积项的两量子比特海森堡XY模型中的热纠缠,计算了纠缠度量:C.仔细讨论存在交叉积项时非均匀磁场对基态纠缠和热纠缠的影响.     

囚禁离子的非线性对压缩效应的影响

从描述囚禁离子与驻波激光场相互作用的Jaynes-Cummings(J-C)模型出发,导出了囚禁离子谐振动单量子共振激发相互作用的非线性J-C模型.通过求解这一模型的系统状态随时间变化,利用数值模型研究了离子质心运动的压缩效应的规律.结果表明,离子压缩效应与Lamb-Dicke参数和离子在驻波激光场中的位置有关.     

海森伯格XXZ模型在不均匀磁场下的负值度

利用负值度(Negativity)研究了两量子比特各向异性海森伯格XXZ模型在外加不均匀磁场下的热纠缠.耦合系数越大,系统的纠缠度越大,临界温度越高.磁场越大,临界磁场越高,但系统的最大纠缠度却降低,且负值度随的绝对值的增大而减小.     

非均匀磁场作用下四量子比特海森堡自旋链中的热纠缠

研究在外加非均匀磁场作用下的四量子比特海森堡XX模型中的纠缠特性,并得到具有周期性边界条件系统中纠缠度量的解析表达.发现能得到较高的成对纠缠,这意味着系统中的磁不均匀性可以提高某些量子比特对的热纠缠度.     

量子阱内磁极化子自陷能的温度关系

采用推广的Larsen微扰理论,在有限温度情况下,对量子阱内的电子体LO声子耦合系统进行研究,得到了磁极化子自陷能的解析表达式,并以GaAs量子阱为例,进行数值计算.结果表明,磁极化子自陷能随阱宽的增大而增大;随温度的变化受磁场的影响特别显著,“低磁场”时,磁极化子自陷能随温度升高而变大;“高磁场”时,却随温度的升高而变小     

Non-saturating magnetoresistance in heavily disordered semiconductors

The resistance of a homogeneous semiconductor increases quadratically with magnetic field at low fields and, except in very special cases, saturates at fields much larger than the inverse of the carrier mobility, a number typically of the order of 1 T (refs 1, 2). A surprising exception to this behaviour has recently been observed in doped silver chalcogenides, which exhibit an anomalously large, quasi-linear magnetoresistive response that extends down to low fields and survives, even at extreme fields of 55 T and beyond. Here we present a simple model of a macroscopically disordered and strongly inhomogeneous semiconductor that exhibits a similar non-saturating magnetoresistance. In addition to providing a possible explanation for the behaviour of doped silver chalcogenides, our model suggests potential routes for the construction of magnetic field sensors with a large, controllable and linear response.     

复杂周期磁超晶格的电导共振劈裂

利用转移矩阵方法,研究了在非均匀垂直磁场作用下的二维电子气中弹道电导的共振劈裂.这一非均匀磁场可以通过在异质结上沉积铁磁条来实现.结果显示:对于n个周期且每个周期含有m个构筑块的复杂的磁超晶格结构,弹道电导的共振区将劈裂为m个子能窗,并且在每个子能窗中,弹道电导具有n-1重的劈裂峰.本质上,弹道电导的劈裂规则仍然是隧穿几率劈裂的反应.     

小型双向聚焦质谱计磁分析器的CAD

报道了扇形磁分析器的计算机辅助设计.特点是:利用离子束倾斜入射与出射实现双向聚焦;采用非均匀磁场修正二级象差;适当减小极靴宽度并附加磁垫片,实现了磁场成形。     

非均匀磁场作用下海森堡XXZ模型中的热纠缠

研究了存在沿Z轴方向的非均匀磁场作用下两量子比特各向异性XXZ模型中的热纠缠。计算了纠缠度Concurrence。对反铁磁和铁磁两种情况下各向异性参数Δ对热纠缠的影响进行了详细的研究。还发现临界温度Tc也受各向异性参数Δ的制约。     

任意形状载流线圈在非均匀磁场中所受的力矩

本文对任意形状载流线圈在非均匀磁场中所受的力矩进行讨论，给出计算公式为张圈中电流，为面积元ｄｓ的法线方向单位矢量。     

东鞍山贫铁矿石磁选预富集行为

针对东鞍山贫铁矿石(Fe质量分数34.60%)中含有赤铁矿、磁铁矿和少量的菱铁矿,提出了一种弱磁粗选-高梯度扫选的预富集工艺,并借助XRD、铁的化学物相分析及扫描电镜(SEM)考察了磁场强度和原料磨矿细度对东鞍山铁矿石预富集行为的影响.结果表明,在磨矿细度-0.074mm占70%(质量分数)、弱磁粗选磁场强度120mT、高梯度扫选Ⅰ磁场强度300mT及高梯度扫选Ⅱ磁场强度800mT的条件下,可获得Fe质量分数42.67%、回收率95.45%的预富集精矿;磁铁矿富集于弱磁粗选作业中,赤铁矿和菱铁矿在高梯度扫选作业中得到有效富集,尾矿中丢失的铁矿物主要为微细粒赤铁矿(＜10μm),由于受到的磁性捕获力弱而无法得到回收.