KZnF3:Mn2+晶体光谱和EPR谱热移动的研究

对掺杂晶体，由于杂质离子的大小及其所带电荷与它所替代的基质晶体离子不同，这些杂质离子附近的局部结构和局部性质(如局部热膨胀系数和局部压缩率)就会与基质晶体的数据不一样．研究这些杂质中心的局部结构(或称缺陷结构)和局部性质对认识杂质与基质晶体的相互作用，进而认识材料掺杂     

萤石掺杂稀土发光材料的合成与应用

天然萤石材料是一种很好的制备发光材料的基质,可以通过稀土离子掺杂的手段来制备优质的发光材料。本文综述了稀土掺杂CaF2晶体的制备方法和具体应用。     

复合基质类F2^＋型色心晶体初探

首次报导了复合碱卤化合物基质色心晶体材料的研究结果。在掺OH~-的KBr-KCl复合基质晶体中,成功地研究出(KBr-KCl)(?)(F_2~+)_H心激光晶体系列,开拓了色心激光材料研究的一个新领域。     

氧化还原对掺铁LiNbO3晶体的吸收边和透过率的影响

着重研究了经过不同氧化还原处理的不同掺杂及浓度的掺铁铌酸锂晶体的吸收边和透射谱，认为晶体的能带结构随掺杂离子及离子的价态变化而变化，并解释了吸收边的有关实验结果．     

一种材料霍尔系数测试系统的设计

硅酸铋（BSO）晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应，通过BOS晶体的偏振光将受电场和磁场的调制，利用这一特性，设计了一种基于BSO晶体传感器的材料霍尔系数测试系统。     

低量浓度掺杂La~(3+)对KDP晶体生长质量的影响

在低浓度掺杂下,利用溶液降温法生长了KDP晶体和掺杂不同量浓度三价La3+的KDP晶体。通过对未掺杂KDP晶体和掺杂La3+生长的KDP晶体对比研究发现,随着La3+离子掺杂量浓度的增加,抑制了柱面的扩展,减慢了KDP晶体生长速度,但是提高了生长溶液的稳定性,同时减少了晶体中缺陷的产生。对晶体柱区进行显微硬度的测量发现,随La3+离子掺杂量浓度的增加,晶体的致密度降低;用紫外/可见分光光度计在200~800 nm波段对样品柱区做了透过率测定,发现低量浓度(La3+≤4×10-3mol/L)的La3+掺杂可以提高KDP晶体在紫外波段的透过率,改善晶体的质量。     

水热法制备ZnS:Mn纳米晶体及其发光特性

研究了水热法(200°C)制备的不同浓度Mn掺杂ZnS纳米晶体发光特性。所合成样品为10～16 nm的立方相纤锌矿结构,随着Mn掺杂浓度的增加,PL光谱峰值产生了红移。在摩尔比为10 ％ Mn掺杂时PL发光最强。讨论了样品的发光机理,计算了晶体场强度,同时观察到摩尔比为10 ％ Mn掺杂样品发出白光,说明其在白光LED及全色荧光粉中具有潜在的应用价值。     

掺钕KGW晶体不同晶轴的光谱分析

在室温下测量和分析了掺钕浓度不同的钨酸钾钆(KGW)晶体的荧光光谱,利用Judd-Ofelt理论研究了Nd3 掺杂浓度的原子百分数为5%的KGW晶体不同轴向的吸收光谱和荧光光谱,计算结果表明通光方向沿着晶体的a轴向相对于b轴向和c轴向在810 nm处的积分吸收截面和在1.06 μm处的受激发射截面都是最大的.     

一维掺杂光子晶体带隙结构的研究

基于传输矩阵法,数值研究了掺杂一维光子晶体带隙特征。研究表明:一维掺杂光子晶体的带隙是由光子晶体结构决定的,不掺杂时,禁带中心无导带;当掺杂时,禁带中心位置出现一个极窄的导带,并且导带深度随着掺杂位置的不同而变化,当掺杂位置一定时,改变杂质层的折射率,发现随着折射率的变化,禁带中心的导带深度也会随折射率变化而变化,这样我们可以根据晶体的结构,适当选择掺杂位置和杂质折射率,就会在禁带中心出现一个极深的导带,一维光子晶体的这种特性可应用于滤波器件和光学谐振腔的设计。     

虚部光子晶体掺杂介质色散模型

虚部光子晶体的新颖结构使得它具有很强的频率依赖特性,其掺杂介质的色散关系已成为被广泛研究和应用的障碍.利用线性振子的强迫振动模型和有效介质理论,建立虚部光子晶体掺杂介质的色散模型,该色散模型可推广到掺杂多种共振分子材料的情况.通过拟合得到与实验数据相符的色散曲线,从而验证了模型的有效性,有利于进一步研究虚部光子晶体光学特性.     

掺杂ZnWO4晶体的研究现状与进展

ZnWO4单晶是一种优良的基质晶体材料,过渡金属离子和稀土离子能够较容易地掺杂进去,从而使掺杂ZnWO4晶体具有闪烁发光、上转换发光、可调谐激光等性能。本文从闪烁发光、上转换发光、可调谐激光和大功率LD泵浦发光等几个方面,介绍了掺杂ZnWO4晶体在生长技术、性能测试和发光机理等方面的研究进展。     

CdS纳晶掺杂铅硅酸盐玻璃晶相组成和非线性光学性能研究

采用传统的高温熔融法制备CdS纳米晶体掺杂铅硅酸盐玻璃.结构分析表明,因基础玻璃中PbO含量不同,导致热处理后析出的纳米晶体种类不同;电极化处理诱导了CdS掺杂玻璃样品阳极面非线性层中偶极子的取向排列和正交型CdS晶体的结构变形,进而有利于该样品二次谐波的产生.     

硅酸镓镧晶体的旋光及声学性质研究

研究了新型压电材料硅酸镓镧的旋光性质和声学性质．实验得出硅酸镓镧的旋光率p比石英小;旋光率色散满足渡尔兹曼方程,并由克里斯托夫方程推导出声光沿硅酸镓镧晶体x,y,z轴的传播特性以及声波沿着yz,xy,xz3个面的慢度(倒速度)曲线方程,并绘制了3个主晶面内声的慢度分布曲线图,以便于LGS纯切变波、准纵波和准切变波波速的计算。     

光束在一维光子晶体中的古-汉位移特性

根据传输矩阵法,研究光束在一维光子晶体中的古斯-汉森位移.结果表明,光子晶体结构的随机误差能够增强光子禁带中的古斯-汉森位移.该位移与光子晶体材料的折射率、光子晶体的周期数,以及光束的入射角有关.研究结果还表明,在掺杂的一维光子晶体中,结构的随机误差会降低缺陷态附近的古斯-汉森位移,同时在禁带的其他地方,位移得到增强.     

掺镱钨酸锶晶体的生长及其性能表征

镱离子掺杂晶体材料是一类优秀的固体激光增益介质,已获得广泛应用。使用提拉法生长了不同镱离子掺杂浓度的钨酸锶(Yb∶SrWO_4)晶体,通过X射线粉末衍射仪测定了其单晶结构,对粉末衍射数据精修得到了其晶胞参数。使用X射线荧光光谱法测定了晶体中镱离子的实际掺杂浓度,结果表明Yb∶SrWO_4晶体中Yb~(3+)离子存在掺杂上限,随着Yb~(3+)离子掺杂浓度增加,晶体中主要的电荷补偿机制变为基质阳离子空位。同时,Yb∶SrWO_4晶体的比热、热膨胀系数、热导率与纯钨酸锶(SrWO4)晶体相比无明显变化,在钨酸盐系列晶体中热学性能优良。上述结果表明Yb∶SrWO_4晶体是一种具有一定应用潜力的固体激光增益介质。     

人工晶体材料的研究进展

本文主要对人工晶体材料中半导体晶体、激光晶体、非线性光学晶体、压电晶体和纳米晶体的概念、用途以及最新研究做了进一步的阐述,并总结了某些晶体的发展方向。     

双端泵浦Nd:YVO4晶体温度场及热形变场的研究

为了研究激光二极管双端泵浦激光晶体引起的热效应问题,建立了轴向加热、周边恒温的圆柱形激光晶体热模型.通过热传导方程,利用半解析方法得出了双端泵浦激光晶体温度场和端面热形变场的通解形式,同时研究了泵浦功率、泵浦光斑尺寸以及晶体钕离子掺杂质量分数等因素对晶体温度场和端面热形变场的影响.研究结果表明:当泵浦功率增加、光斑尺寸减小、钕离子掺杂质量分数增加时,激光晶体端面处的温升和热形变量也相应地增大;在相同泵浦条件下,钕离子掺杂质量分数为 0 5%的掺钕钒酸钇晶体中截面处的温升大于其他掺杂质量分数的晶体的相应温升.     

掺杂均匀ATGSAs单畴晶体的生长

通过观察晶体的畴结构和测量晶体的铁电,热电,介电性能,确定了ATGSAs 晶体的畴结构,性能和生长条件之间的关系,并利用定向生长技术,成功地培育出了大面积掺杂均匀的 ATGSAs 单畴晶体,已用来制出高质量的热释电摄象管和探测器。     

掺杂Ca2+对YVO4晶体拉曼性能的影响

采用提拉法(Czochralsk i)生长了不同Ca2+掺杂浓度的CaxY1-xVO4晶体,计算了晶体中Ca2+的分凝系数.结果表明,随着Ca2+掺杂浓度的增加,分凝系数变小;对CaxY1-xVO4晶体进行了XRD分析,计算了其晶胞参数.测试了常温下晶体的拉曼光谱,对其谱线进行了归属,计算了晶体的受激拉曼散射参数,研究发现Ca2+的掺入有利于提高晶体的拉曼性能.     

硅基一维光子晶体微腔光发射特性的调制

利用一维光子晶体带隙结构对光发射特性进行调制，采用掺杂光子晶体微腔限制电磁场从而控制材料中的光传输。采用不同组分的氢化非晶氮化硅（a-SiNx：H）薄膜作为介质层和发光层，由等离子体化学气相淀积（PECVD）方法制备出一维全a-SiNx：H光子晶体微腔。观察到微腔对于发光层a-SiNx：H薄膜光致荧光显著的调制作用，发光峰的半高宽从原始的208nm强烈的窄化为11nm，峰值强度提高了2个数量级。品质因子为69。通过透射谱测量，清晰地观察到710nm处的谐振峰出现在一维光子晶体带隙中，进一步证实了微腔的选模特性。