超晶格界面上的TM电磁表面波

该文研究超晶格体中TM电磁表面波的传播特性.分析了超晶格体液晶层晶轴取向θ角对TM表面波传播的重要影响,导出了TM表面波色散关系,给出了其电场和磁场的分布曲线.理论揭示:超晶格中TM表面波存在的条件是:(1)θ=0或θ=π/2;(2)超晶格体覆盖层的复介电常数ε满足Re (ε)<0.     

单模光纤的测量

本项研究完成了在短波长(0.82μm)处测量单模光纤的工作.长波长单模光纤在短波长处工作,存在单模色散与模间时延两种色散.本工作以频域与时域两方法完成了这两类色散的分离.测量结果表明,频域法与时域法基本一致.在0.82μm处的单模色散在85~130ps/km·nm之间.     

金刚石、Si、Ge和α-Sn的声子色散曲线

用6参数Born-von Karman模型计算了金刚石、Si、Ge和α-Sn的声子色散曲线.除Si、Ge和α-Sn的TA声子外,计算结果与实验符合较好.     

单模光纤长波长(1.3μm)色散测量

本文介绍了全部采用国产元器件建立的时域法脉冲展宽测量系统的原理、设计、结构及测试结果.该系统可用来测定单模光纤长波长(1.3μm)色散.测试结果及分析表明,本系统可满意地用于多模光纤色散和光电探测器响应速度测量;对单模光纤色散测量,当待测光纤长度达10km以上时,相对测量误差小于3%.在待测光纤较短时,相对误差增大,但此时仍可满意地鉴别单模光纤在1.3μm波长下是否符合6ps/km·nm这一技术指标.     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

固体粒子对浓悬浮液流变性能的影响

以高氯酸铵和铝粉为分散相,端羟聚醚二醇为连续相,考察了总固体粒子的体积分数φ,粒度比R,以及小粒子占固体总量的体积分数φ_s对浓悬浮液流变性能的影响.对双峰分布分散系,浓悬浮液的粘度在φ_s=0.30时达到最小,并随R的减小而下降.固体细粒子对浓悬浮液的假塑性程度关系极大.当悬浮液中细粒固体增加或粒度比减小时,体系假塑性程度增大;有非球形粒子的悬浮液中,φ和φ_s的影响更大,但宽分布球形粒子构成的二元系,φ对假塑性的影响比窄分布体系小.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

剩余寿命的若干极限性质

设非负随机变量T₁,T₂,…,T_n,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T₁,T₂,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的.     

金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法

详细讨论了金属-绝缘层-半导体结构一维泊松方程的数值解法.推导了非均匀结点下的牛顿迭代公式.提出了边界条件的恰当形式.作为具体应用的实例,由热氧化MOS结构的高频C-V测量曲线进行了数值计算,获得了Ψ_s-V_G关系及界面陷阱密度分布.将这种方法与常用的准静态C-V法作了实验比较,两者的结果符合良好.但前者在制样、测量方面都比后者简单得多,故适合作为工艺监测的常规手段.     

Nd3+:YAG激光器的132μm连续激光腔片

掺钕钇铝石榴石是一种性能优异的激光晶体,它可以分别产生1.06μm、1.32μm等波长的激光.其中,1.32μm附近的激光在光纤通信、医疗等方面具有重要的应用.但是,由于高增益的1.06μm谱线的竞争,使得1.32μm难以形成激光振荡.     

硅全离子注入的GaAs双栅MESFET

本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10¹²cm^-2,接触层注入条件为50keV、8×10¹²cm^-2,退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.     

自由孔口应力集中及深切口应力奇性的有限变形分析

本文运用增量分析方法,得到了含椭圆孔及抛物线孔的无限弹性平板的有限变形应力表达式.新的应力表达式是载荷、孔口形状及材料性质的函数.特别还分析了深切口根部的应力奇性,发现它可以与线性断裂力学的应力强度因子相联系,但应力奇性改变为αln 1/√ρ,ρ为切口根部的曲率半径,α为与材料有关的常数.新的结果还解释了平面应力和平面应变问题的区别.     

Fe-Ni系粉末机械合金化热力学

参考Miedema半经验理论,建立了Fe-Ni系机械合金化(MA)过程的热力学模型.热力学计算分析指出,Fe-Ni系粉末MA过程一般不存在发生非晶化反应的化学驱动力.Fe-Ni系MA粉末由α(bcc)和γ(fcc)两相固溶体组成.在球磨过程中两相相互转化,控制这一转化的因素是形成焓的结构项.对不同球磨时间Fe₆₀Ni₄₀MA粉末的X射线衍射(XRD)分析,证明了所建立的热力学模型的正确性.根据XRD图确定了Fe₆₀Ni₄₀MA粉末在不同球磨时间的物相组成、各相成分、晶格参数、晶粒尺寸和晶格畸变等结构参数.     

一种用于ADC电路的高速高精度比较器设计

在分析各种比较器设计失调消除技术基础上,提出了一种用于ADC电路的高速高精度比较器设计技术和失调消除技术.该比较器由主动复位和被动箝位的预放大器和输出锁存器构成,具有失调自动校准功能.仿真结果表明,在Chartered 0.35 μm COMS工艺下,电源电压3.3 V,调整后的比较器失调误差为56.8 μV,比较器的精度0.1mV,比较速率100 MHz.     

三对角阵与其主子阵的特征值之间的偏差

本文考虑下列三个问题:估计d_l(λ)=min|μ_i-λ|的上界,其中μ_i(i=1,2,…,n)是B_n的特征值.     

溶胶-凝胶法制备的BaTiO3薄膜表面态

用溶胶-凝胶法和快速退火工艺在SiO₂/Si(111)基片上生长了钙钛矿结构BaTiO₃薄膜.用X射线光电子能谱技术(XPS)和角分辨X射线光电子能谱技术(ARXPS)研究了薄膜的表面化学态以及最顶层的原子种类和分布状况,结果显示在热处理过程中薄膜表面形成一层富含BaO的非计量钛氧化物层,并且钡-钛原子浓度比随着探测深度的增大而逐渐减小.     

扫描电子显微镜在红外探测器材料分析中的应用

用国产DX-3A型扫描电子显微镜分析红外探测器材料,可成功地检测线度10μm以下的碲镉汞中的富磅夹杂相和碲锡铅中的金属夹杂相.精密测量了Hg_1-xCd_xTe和Pb_1-xSn_xTe的微区组成,可分辨出△x/x>2%的横向组成不均匀性.也可相当精确地测量PbSnTe-PbTe异质外延层的厚度.     

一种新型高速高分辨率采样保持电路

提出了一种新型的基于运算放大器的开关电容采样保持电路结构.采用速度补偿解决了高速高分辨采样保持电路对放大器要求增益高和速度快之间的矛盾.具体设计了采样保持电路,特别设计了其中的快速时间连续电压比较器.用Chart 0.35μm CMOS工艺,进行HSPICE仿真,结果表明,本文设计的采样保持电路的分辨率为10位,采样速率高于70 MHz/s.     

驻极体辐射剂量计的制备和剂量测量研究

介绍了电晕法制备的驻极体在电离辐射γ射线剂量测试中的应用,重点介绍了驻极体的电晕法制备装置和驻极体剂量测试装置的设计制作,描述了剂量测量装置的感应电流法工作原理、结构和特点,说明了这些特点对准确测量辐射剂量的重要性,给出了电晕法制备驻极体的电荷稳定性及辐射剂量测试的实验结果.结果表明电晕法制备的驻极体及其所建实验装置能够用于γ辐射剂量的测量.     

棱镜耦合器的输入耦合效率与入射波传播常数的关系

在集成光学实验中,为了正确地使用棱镜耦合器,有必要研究输入耦合效率η与入射波传播常数β_i的关系.