在负折射率材料中的Goos-h(a)nchen位移

左手介质具有不同的电磁特性,光入射到RHM-LHM界面上发生全反射时,将会发生一些违反"常规"的现象.本文计算了Goos-h(a)nchen位移,并证明了在RHM-LHM界面,Goos-h(a)nchen移位总是负的,与能流的方向一致.     

光在不同界面反射时的Goos-Hnchen位移

分别计算了光由正折射率材料入射到负折射率材料,由负折射率材料入射到正折射率材料,由一种负折射率材料入射到另一种负折射率材料时,反射光束所产生的Goos-Hnchen位移.材料的吸收作用以及TE和TM极化对Goos-Hnchen位移的影响被分析.     

单负介质表面的Goos-Hnchen效应

从电磁场基本方程出发推导得到单负介质表面的Goos-Hnchen位移和相移的计算公式,发现:电磁波以任意入射角投射到单负介质表面时只能发生全反射,不存在临界角。对它们进行的数值计算中得出,单负介质表面的Goos-Hnchen位移、相移的符号和大小随入射角大小以及单负介质的介电常数或磁导率的正负的改变而做周期性变化。     

非常偏振光在两单轴晶体界面间的隐失波

通过求解透射波函数和由菲涅尔公式求解反射相位差并对其求导的方法,研究了非常偏振光在两单轴晶体(晶体光轴在入射面内)分界面处发生全反射时的隐失波,分析了全反射条件和反射光与入射光的相位差,给出了非常偏振光在两单轴晶体分界面处隐失波穿透深度和Goos-Hnchen位移的一般表达式.     

全球招聘新闻(英文)

博士后岗位[德国]Ludwig-Maximilians-Universitt München (LMU) The Division of Neurobiology at the LMU Bio-center in Munich invites applications for several postdoctoral positions (Auditory Processing) in experimental neurobiology and computational     

电磁波在双轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移

首先详细地推导了在常规介质和双轴各向异性左手介质界面发生的Goos-H?nchen位移表达式,并对此进行了讨论,结果发现负Goos-H?nchen位移的发生并不要求介电常数张量和磁导率张量的所有元素都为负.其次,简要讨论了波通过双轴各向异性左手介质传播时透射波的后向位移.     

关于Goos——Hnchen位移的探讨

本文介绍了Gooe——Hnchen位移的由来,并对其作了简化推导,指出通过该位移的测定,可以得到媒质(?)射率;该原理可作为设计一类偏光器件的物理基础。     

有限微波波束在对称双三棱镜结构中的Goos-Hnchen与Imbert-Fedorov位移研究

通过实验测量确立了对称双三棱镜结构内受阻全反射的能流模型,并且发现增大或减小两块棱镜的间距d,棱镜空气分界面上反射波束发生的Goos-Hnchen(GH)位移和Imbert-Fedorov(IF)位移也随之增大或减小。为了理论定量研究GH位移和IF位移,从经典电磁理论出发分析了有限Gauss平面波束通过对称双三棱镜后各分界面反射和透射场分布,从而基于能流模型计算出消失态Poynting矢量流中与位移有关的那部分能流。然后借助Renard能流法推出了新的GH位移和IF位移表达式。最后通过数值仿真得出位移随空气隙间距d的变化曲线,并将其与实验结论对比,结果表明所得的理论估算式是有效的。     

Goos-Hnchen效应在被动调Q激光器中的应用

本文扼要地描述了Goos—H(?)nchen效应,给出了入射光进入第二介质在入射面内沿界面方向的位移D的表示式以及位移D随入射角度变化的理论曲线。首次提出了Goos—H(?)nchen效应在被动调Q激光器中的应用,设计了Goos—H(?)nchen效应用作激光器被动调Q的器件。实验结果表明,Goos—H(?)nchen效应调Q器件有利于获得稳定的、高功率的激光脉冲。     

单负介质表面的Goos-H(a)nchen效应

从电磁场基本方程出发推导得到单负介质表面的Goos-H(a)nchen位移和相移的计算公式,发现:电磁波以任意入射角投射到单负介质表面时只能发生全反射,不存在临界角.对它们进行的数值计算中得出,单负介质表面的Goos-H(a)nchen位移、相移的符号和大小随入射角大小以及单负介质的介电常数或磁导率的正负的改变而做周期性变化.     

消失态与Goos-H(a)inchen位移研究

假定媒质1中有一个光束以入射角0.向两媒质组成的界面入射,而界面两侧的媒质折射率为,n1、n2(n1>n2),入射角大于临界角即θ1>θ2 ;那么几何光学预期将发生全反射.但在实际上,光束进入了媒质2并在与界面平行方向前行一段距离,然后才返回媒质1.反射光束的令人惊奇的平移于1947年由Coos和H(a)nchen测出.在媒质2中,波由两个渡数所描述--与界面平行方向k11=kon1sinθ1,与界面垂直方向的虚波数k⊥=jko√n21sin2θ1-n22;而在垂直方向波呈指数式下降,即消失态.本文对消失态与GH位移作原理性研究,特别关注双界面问题.正如人们后来所知,部分反射时在入射波束与反射波束之间也有位移.然而,关于GH位移的精确理论至今尚不存在,实验研究变得重要了.例如,关于GHS谐振.关于反向GH位移,关于负群延时等等,均有待作进一步研究.     

石墨烯中的电子光学

从原理和应用两个方面阐述了石墨烯中电子光学研究的进展,介绍了石墨烯的电子能带结构和量子力学对它的理论描述,分析了电势和磁势对电子束传输的影响,探讨了负折射效应以及利用该效应设计的电子透镜,讨论了电子在石墨烯界面全反射时产生的Goos-Hnchen效应和石墨烯电子波导的构建方案,最后说明了电子光学其他方面的应用.     

Khler流形的若干判定定理

利用Khler流形的有关理论知识,证明了3个结论：局部共形Khler流形为Khler流形的若干等价条件;满足一定条件的曲率张量的局部共形Khler流形一定是Khler流形;判定Khler流形的两种具体方法。     

广义旗流形上的齐型爱因斯坦度量

利用MATHEMATICA里的Nsolve命令计算出满旗流形G2/T在差常数倍的情况下有十二个G-不变的爱因斯坦度量,其中六个是Khler爱因斯坦度量,六个非Khler爱因斯坦度量.同样用此方法可计算出旗流形E(8)/U(1)×SU(2)×SU(3)×SU(5)的爱因斯坦方程组有五个正实数解,其中一个是Khler爱因斯坦度量,四个非Khler爱因斯坦度量.     

广义多孔介质方程的条件Lie-Bcklund对称和对称约化

本文运用条件Lie-Bcklund对称方法研究了广义多孔介质方程.允许二阶条件Lie-Bcklund对称的方程被确定给出.继而,通过相应的对称约化得到了方程的精确解.     

光在不同界面反射时的Goos—Hanchen位移

分别计算了光由正折射率材料入射到负折射率材料,由负折射率材料入射到正折射率材料,由一种负折射率材料入射到另一种负折射率材料时,反射光束所产生的Goos-H(a)nchen位移. 材料的吸收作用以及TE和TM极化对Goos-H(a)nchen位移的影响被分析.     

非线性扩散方程的条件Lie-Bcklund对称和符号不变量

考虑了径向对称非线性扩散方程的条件Lie-Bcklund对称和符号不变量.允许二阶条件Lie-Bcklund对称和一阶Hamilton-Jacobi型符号不变量的方程被确定给出,并由对称约化得到了方程的不变解.     

仿射流形上的Monge-Ampere度量

作者研究了仿射流形上的Khler仿射度量,其势函数满足仿射超球方程,证明了满足此条件的Khler仿射度量是Monge-Ampere度量.     

C~3中曲面Khler角的刚性定理（英文）

浸入到近复Hermit流形的曲面的Khler角是一个重要的不变量,可以用于刻画曲面偏离拟全纯曲线的程度.近年来,具有常Khler角的曲面仍是很有意义的研究对象.对于3维复欧氏空间C~3中具有常Khler角的曲面收缩子,本文证明了两个刚性定理.这些定理是有关C~3中曲面自收缩子的相应定理的直接拓展.     

第一类超Cartan域上Khler-Einstein度量与Bergman度量的等价性

进一步讨论了第一类超Cartan域上Khler-Einstein度量与Bergman度量的等价问题.运用Khler-Einstein度量与Bergman度量的显表达式以及连续函数的一些性质,得到了第一类超Cartan域上这两类度量等价的简单证明.