化合物Ho_3Co_2Al_4的结构精修及德拜温度

以电弧熔炼的方法制备了三元化合物Ho3Co2Al4的合金样品,利用X射线衍射技术对合金样品进行了物相分析,并利用Rietveld方法对Ho3Co2Al4的X射线粉末衍射数据进行全谱图拟合,成功地修正了该化合物的晶体结构并计算其德拜温度。Rietveld精修的可靠性因子为:Rp=0.083,Rwp=0.108。该化合物属六方晶系,为MgZn2结构类型,空间群为P63/mmc(No.194),点阵常数a=0.541 71(2)nm,c=0.860 86(4)nm。精修结果说明Co2Ho3Al4具有Co2Er3Al4结构,Ho和部分Co原子分别占据4f和2a位置,另一部分Co原子和Al原子混合占据6 h位置。不同于以往的德拜温度计算方法,根据德拜近似方法,利用Rietveld精修获得的Ho3Co2Al4的温度因子计算得到该化合物的德拜温度约为QD=354 K。     

温度作用后花岗岩强度特性及矿物成分变化特征

文章基于传统三轴压缩试验,对温度作用后的花岗岩强度特性与破坏形式开展研究,借助X射线衍射仪,从微观角度上分析了强度劣化的相关机理。结果表明:在20~900℃范围内,随温度升高,试样色调变暖;单轴压缩下热处理岩样为对锥形或柱状劈裂破坏,三轴下均为剪切滑移破坏;除了300℃下抗压强度出现增强外,高温作用后花岗岩单轴抗压强度整体呈下降趋势;随温度升高,围压对强度的增强作用变得明显,但这种增强作用难以抵消高温对岩石的损伤劣化效果;在500℃及以下时,岩样主要成分的衍射信息未见明显变化;达到500℃后,在26.5°~27.0°衍射角内石英的衍射峰明显减小,27.5°~28.0°范围内斜长石的衍射峰完全消失。岩样矿物成分改变以及结晶态相变是导致高温作用后岩石力学性质与强度降低的重要原因。     

纳米金刚石的熔点和德拜特征温度

报道了炸药爆轰法制备的纳米金刚石的熔点及德拜特征温度。根据纳米金刚石的Ｘ射线衍射强度，计算得出了其德拜特征温度为４１１．７Ｋ，比高温高压俣成大颗粒金刚石单晶的德拜特征温度（２２００Ｋ）低了５倍多，且其原子晶格振动的振幅比高温高压合成大颗粒金刚石单晶原子的振幅增大了４．３７倍，用Ｌｉｎｄｌｍａｎ公式计算出纳米金刚石的熔点为２０７０Ｋ，约为高温高压合成出大颗粒金刚石单晶熔点（４４００Ｋ）的一半。     

X射线衍射强度公式的修正

X射线衍射技术在物相分析、点阵参数测量以及微应力的测定等方面被广泛应用,为了更精确地确定物理参数,X射线衍射强度的精确计算是十分重要的.目前单晶X射线衍射的强度公式的理论计算结果与实验数据有较大偏差.对衍射强度公式进行合理修正,使计算结果得到较大改善,并与实验测量的数据符合得更好.     

氢化铝的制备与表征(英文)

使用有机金属合成法制备了α-AlH3。采用X射线衍射、扫描电镜和差示扫描量热法对其进行表征。X射线衍射结果表明产品为α-AlH3。扫描电镜结果表明,其形貌主要为长条状。热分析表明其起始分解温度为454K。     

新金属间化合物YAl0.27Ge2热膨胀特征的研究

用高温X射线粉末衍射技术在298K~773K的温度范围内研究了新金属间化合物YAl0.27Ge2的热膨胀特征,测定了化合物的相关平均热膨胀系数.数据表明,该化合物的热膨胀特征是各向异性的.     

氢化铝的制备与表征

使用有机金属合成法制备了α-AIH3采用X射线衍射、扫描电镜和差示扫描量热法对其进行表征。X射线衍射结果表明产品为α-AIH3。扫描电镜结果表明，其形貌主要为长条状。热分析表明其起始分解温度为454K。     

钨对铁的原子键强度的影响

用室温和低温下对同一样品进行 x 线衍射照相的方法测量了各种金属和合金的德拜强度,以此标志其原子键强度.比较了上述方法和测量弹性模量的方法所得的德拜温度数据,提出了对上述方法的异意.我们认为在使用这种方法估计原子键强度时确实应该十分小心.对于复杂结构,原子踺在各处是不均匀的,只能得到平均反应的 x 线衍射方法不能得到有用的结果.此     

热致性液晶共聚酯PET/PHB的相态研究(Ⅱ)

本文在前文实验结果的基础上采用热台X射线衍射法、流变测定法,进一步说明DSC测得的相转变峰机理和偏光显微镜下的结构转变机理.结果表明,热X射线衍射法测得强度及峰位的变化规律能很好地说明DSC曲线在260℃时的转变峰确为体系的熔融峰;同样,粘弹参数随温度的变化规律又能很好地说明和解释偏光显微镜下的(?)区分离现象;小角X射线衍射结果表明,其相态在260～320℃为向列型液晶,说明共聚酯体系在液晶温度区不存在近晶型相.     

衬底温度对NiTi薄膜晶化温度的影响

采用直流磁控溅射方法, 制备出沉积在不同温度衬底上 的NiTi薄膜. 应用X射线衍射、 小角X射线散射和差热扫描量热法研究了两种衬底温度(室温和573 K)溅射的NiTi合金薄膜晶化温度和在763 K退火1 h的晶化程度.     

永磁材料SmTiFe11—xCox的磁性及穆斯堡尔谱的研究

用X射线衍射、扫描电镜和等离子体发射电子谱研究了SmTiFe_((?)-x)Co_x(0≤x≤5)的组分及结构,其主相为ThMn_(12)型的结构相,同时包含杂质相α-Fe和TiFe_2;穆斯堡尔谱分析表明Co原子择优取代8f,8j晶位的Fe原子;随着Co含量的增加,在x≈2处,单位质量的饱和磁化强度有一最大值,为112.3Am~2/kg;居里温度随Co含量的增加而增加;粗略推出SmTiFe_(?)的德拜温度约400K。     

铋系超导体的57Fe穆斯堡尔谱效应

对铋系超导体的正常态和超导态之间的转换进行了与温度相关的穆斯堡尔谱、X－射线衍射、磁化系数ac和电阻率的测量。铋系超导体的穆斯堡尔谱测量显示出两个通常的四极劈裂峰值，表明材料的组成成分是2223相。^57Fe占位的讨论采用点电荷模型。与温度相关的^57Fe穆斯堡尔谱和X－射线衍射研究晶格振动的动力学信息都是从77K到室温的范围。实验结果表明在120K和200K附近时，Cu-O层中出现了晶格软化。在Tc以上温度出现晶格软化是超导转变的先驱效应。     

新型分子筛VPI—5结晶度的研究

应用多晶X射线衍射法,通过无定形强度图分离样品中结晶相和无定形相的衍射强度,测定了新型磷酸铝分子筛VPI-5的结晶度.     

Fe_2P化合物的一种新制备方法及其磁性研究

采用机械合金化方法制备了非晶态Fe2P化合物.在1273K下晶化处理5h,得到晶态Fe2P二元化合物,通过X射线衍射和磁性测量分析了样品的晶体结构和磁性能.X射线衍射结果表明:随着球磨时间的增加,Fe、P粉末混合物的颗粒度逐渐减小,当球磨时间增加到100h时,衍射峰基本消失;经过退火的样品形成单一的Fe2P六角结构,空间群为P-62m.磁性测量结果表明:随着温度的升高,Fe2P化合物经历了由铁磁到顺磁的转变过程,居里温度为290K;在1.5T的磁场变化下,Fe2P化合物的最大磁熵变为0.74J/(kg.K),并且具有较大的半峰宽.     

谷氨酸铜(Ⅱ)配合物的稳定常数的pH电位法测定及其量子化学计算

采用pH电位滴定法测定铜离子与谷氨酸配合物在离子强度为0.1mol/L(NaCl)、温度25℃条件下体系pH的变化,用半整数作图法得出配合物的稳定常数:lg K1=9.67,lg K2=4.25,并运用量子化学密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法在6-311g*水平上优化产物构型,同时计算出热分解反应的标准热力学量变,从理论上进一步证明配合物的稳定性,并对其进行X射线单晶衍射.     

X射线粉末衍射法测定不同温度下生成的TiO2晶体的物相组成

用X射线粉末衍射方法测定了不同温度下生成的TiO     

测量微球覆层厚度的X射线衍射法

对采用X射线衍射测量微球覆层厚度的方法进行了研究,首先在建立微球X射线衍射数学模型的基础上,利用一组已知厚度和X射线衍射线积分强度的标样,通过计算机模拟求解的方法,得到微球衍射线积分强度和覆层厚度的关系.然后,在相同条件下进行待测试样的X射线衍射实验,将其衍射线积分强度代入求解模型得到的结果中就能得到待测试样的覆层厚度.实验结果表明,X射线衍射法是可行的,具有快速、方便、非破坏、不接触等特点.     

测量微球覆层厚度的X射线衍射法

对采用X射线衍射测量微球覆层厚度的方法进行研究,首先在建立微球X射线衍射数学模型的基础上,利用1组已知厚度和X射线衍射线积分强度的标样,用计算机模拟求解的方法,得到微球衍射线积分强度和覆层厚度的关系.然后,在相同条件下进行待测试样的X射线衍射实验,将其衍射线积分强度代入求解模型得到的结果中就能得到待测试样的覆层厚度.实验结果表明,X射线衍射法是可行的,具有快速、方便、非破坏、不接触等特点.     

一种用于同时去除NOx和碳烟的新型高效催化剂

同时用K和Cu分别部分取代钙钛矿型催化剂LaMnO3上的La和Mn,得到了催化剂La0.8K0.2Cu0.05Mn0.95O3.采用程序升温反应(TPR)方法对催化剂同时催化去除NOx和碳烟的活性及选择性进行评价;在350°C温度条件下进行恒温反应,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段考察催化剂在恒温反应前后的物理化学性质变化,并评价催化剂的稳定性.实验结果表明:该催化剂在同时去除NOx和碳烟方面具有较高的活性和选择性,NO向N2的最大转化率和碳烟的起燃温度分别为58%和280°C;催化剂具有良好的稳定性,长时间热处理后催化剂的物理化学性质保持不变.     

CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究

采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.