频率和磁场对非晶薄带的磁感应效应的影响

研究了频率、磁场对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场的增强而减弱;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着磁场的增强而增大,当频率低于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

铁硅硼非晶薄带的磁感应效应研究

研究了频率、磁场强度对Fe78Si9B13非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大,当频率低于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

铁硅硼非晶薄带的磁感应效应研究

研究了频率、磁场强度对Fe78Si9B13非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响.结果 表明:磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大,当频率低于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小.     

限流电阻对FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应的影响

研究限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9山非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着限流电阻的增大而减弱;当限流电阻小于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而增大,当限流电阻大于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而减小。     

限流电阻对FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应的影响

研究限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响.结果 表明:非晶薄带的磁感应效应随着限流电阻的增大而减弱;当限流电阻小于100 Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而增大,当限流电阻大于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而减小.     

FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B^9非晶薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响因素。结果表明：当励磁信号为正弦交流电时,线圈感应电压也为同频率的正弦交流电压,当励磁信号为矩形电压时,线圈感应电压则为同频率的尖脉冲电压。磁感应效应随着励磁电压幅值的增大而增强;随着磁场强度和限流电阻的增大而减弱。磁感应效应变化幅度随着磁场强度和励磁电压幅值的增大而增大;随着限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势。     

FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响因素.结果 表明:当励磁信号为正弦交流电时,线圈感应电压也为同频率的正弦交流电压,当励磁信号为矩形电压时,线圈感应电压则为同频率的尖脉冲电压.磁感应效应随着励磁电压幅值的增大而增强;随着磁场强度和限流电阻的增大而减弱.磁感应效应变化幅度随着磁场强度和励磁电压幅值的增大而增大;随着限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势.     

铁硅硼非晶薄带的磁阻抗效应

研究了频率、磁场强度、线圈匝数、薄带长度以及退火对Fe78Si9B13非晶薄带的磁阻抗效应的影响.结果表明:非晶薄带的阻抗随着频率的升高和线圈匝数的增多而增大,随着磁场强度和薄带长度的增大而减小;非晶薄带的阻抗变化幅度随着频率的升高、磁场强度的增大和线圈匝数的增多而增大,随着薄带长度的增大而减小;退火可以提高非晶薄带的磁阻抗效应.     

FeCuNbSiB多层非晶薄带的压应力阻抗效应研究

采用单辊法制备宽3.2 mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9非晶薄带,利用4294A型阻抗分析仪测试了非晶薄带的应力阻抗效应。结果表明:当测试频率较低时,双层Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9非晶薄带的应力阻抗效应较弱,随着频率的升高,双层Fe73.5Cu1Nb3S i13.5B9非晶薄带的应力阻抗效应出现了明显的增强;多层非晶薄带的应力阻抗效应比单层的小。     

FeCuNbSiB非晶薄带的模量和线膨胀系数研究

采用单辊法制备了宽4．5mm、厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9晶薄带。并用Q800动态热机械分析仪（DMA）测试了非晶薄带的弹性模量、线形变和线膨胀系数随着测试温度的变化关系。结果表明，非晶薄带的弹性模量随着测试温度的升高而减小；非晶薄带的线形变都随着测试温度的升高而增大；非晶薄带的线膨胀系数在50-150℃温度范围内随着测试温度的升高而增大，在150-300℃温度范围内随着测试温度的升高而减小。     

退火工艺对铁基非晶薄带压应力阻抗效应的影响

采用单辊法制备了宽4.5 mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si3.5B9非晶薄带,且对薄带进行了退火处理和金相分析,并研究了退火工艺对非晶薄带SI效应的影响.结果表明,非晶薄带经300℃退火后开始出现晶化现象;与淬态非晶薄带相比,退火可以增强非晶薄带的SI效应,经300℃×2 h退火后薄带的SI效应最大,当测试频率为50 MHz,测试压应力为3.6 MPa时,淬态非晶薄带的SI效应为5.63%,而经300℃×2 h退火后薄带的SI效应可达7.83%.     

FeCuNbSiB非晶薄带的模量和线膨胀系数研究

采用单辊法制备了宽4.5mm、厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9晶薄带.并用Q800动态热机械分析仪(DMA)测试了非晶薄带的弹性模量、线形变和线膨胀系数随着测试温度的变化关系.结果表明,非晶薄带的弹性模量随着测试温度的升高而减小;非晶薄带的线形变都随着测试温度的升高而增大;非晶薄带的线膨胀系数在50～150℃温度范围内随着测试温度的升高而增大,在150～300℃温度范围内随着测试温度的升高而减小.     

Fe78Si9B13非晶合金薄带线膨胀系数的研究

应用光的干涉原理,通过观察干涉条纹吞进或吐出圆环个数,采用电加热法,用迈克尔逊干涉仪测量Fe78Si9B13非晶合金薄带在加热状态时纵向的微小伸长量,进而实现该非晶合金薄带纵向线膨胀系数的测量。实验结果表明:当温度t在(12—33)℃之间,该合金线膨胀系数α随测量温度升高而逐渐增大;当温度t在(33-131)℃之间该合金的线膨胀系数α随测量温度升高而逐渐减小。     

非晶铁磁纤维应力阻抗效应的理论分析

玻璃包裹非晶铁磁纤维的应力阻抗效应在应力传惑器以及智能吸汲材料寺万回有巳大的潜在应用．本文从LLG和Maxwell方程出发,从理论上分析了非晶铁磁纤维的应力阻抗效应以及诸多内外部因素对它的影响．分析结果表明,当其他因素不变时,应力阻抗效应分别随着外应力、外磁场、饱和磁致伸缩系数、饱和磁化强度以及频率的增大先增后减,但对纤维半径变化最敏感,而饱和磁化强度对应力阻抗效应的影响则很小．上述研究对非晶铁磁纤维制造工艺的优化以及应力阻抗效应最佳实验条件的探索具有一定的指导意义．     

外磁场作用下乙醇团簇的分子动力学模拟

采用NVT正则系综对乙醇分子团簇进行了分子动力学模拟．模拟结果表明,外加磁场和温度对乙醇分子簇的影响比较大．同一磁场下,乙醇分子簇的自扩散系数随温度的升高而逐渐增大;同一温度下,随着外加磁场的不断增强体系的自扩散系数逐渐减小．值得注意的是：当磁场增加到0．5T时,298K温度下的自扩散系数变化最为明显．同时,在273K和298K时随着外加磁场的增大乙醇分子簇的径向分布函数的峰值逐渐增大;而在323K时径向分布函数基本重合．     

磁场对惰性气体物态方程的影响

计算了磁场作用下氦、氖等惰性气体的第二维里系数 ,发现磁场对惰性气体第二维里系数的影响较大 (可以达到 1 0 %～ 30 % ) ;当温度不变时 ,惰性气体的第二维里系数随磁场的增强而增大 ;当磁场变化到一定范围时 ,存在一个临界磁场 Bc,当外磁场 B Bc时第二维里系数随温度的增加而减小 .     

磁场惰性气体物态方程的影响

计算了磁场作用下氦、氖等惰性气体的第二维里系数，发现磁场对惰性气体第二维里系数的影响较大（可以达到10％－30％）；当温度不变时，惰性气体的第二维里系数随磁场的增强而增大；当磁场变化到一定范围时，存在一个临界磁场Bc，当外磁场B＜Bc时，第二维里系数随温度的增加而增加，当B＞Bc时第二维里系随温度的增加而减小。     

非晶Co基软磁合金巨磁阻抗效应研究

巨磁阻抗可应用于微型高灵敏度磁传感器．我们研究了三种非晶合金薄带的巨磁阻抗效应．实验表明,在一定频率范围内提高测试频率,磁阻抗效应有明显提高;适当温度的退火也有助于磁阻抗效应的提高．其中成分为Ｃｏ７０Ｆｅ４．５Ｎｉ４Ｎｂ１Ｓｉ１２．５Ｂ８的非晶合金带的效应最显著,制备态非晶样品在频率为 ５ＭＨｚ下达 １２０％左右,经过退火处理的非晶样品在 ５ＭＨｚ下的效应可达４００％左右。     

FeNi基非晶薄带的巨磁阻抗效应研究

采用甩带快淬法制备了FeNi基[(Fe50Ni50)77.5Cr0.5Si11B11]软磁非晶薄带,测试与分析了FeNi基合金薄带的微结构、静磁性能和磁阻抗.结果表明:FeNi基合金薄带在快淬态便具有良好的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应,薄带的几何尺寸对其GMI效应有明显影响,尺寸为宽2 mm,长20 mm的薄带具有最佳GMI效应,在5 MHz下,最大纵向GMI比达到25.0%,最大横向GMI比达到19.7%.讨论了最佳几何尺寸样品的磁阻抗比在不同的频率下随外加直流磁场的变化规律.     

含钴基非晶带线圈LC振荡电路谐振特性的研究

含Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15非晶带的电感线圈与电容Cs串联再与电容Cp并联,组成仿石英晶体振荡电路.实验发现,与石英晶体振荡电路有2个固有谐振频率不同,仿石英晶体振荡电路有3个固有谐振频率,一个串联谐振频率fs,另一个并联谐振频率fp,还有第3个谐振频率ft.当外磁场作用在钴基非晶带上,仿石英晶体振荡电路串联谐振频率fs和并联谐振频率fp向高频移动,第3个谐振频率ft基本不变.根据钴基非晶带在交流磁化下的磁滞损耗和巨磁阻抗效应,解释了上述现象.