2.8 MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面的测量

用中子活化法和离线γ能谱测量技术对2.8MeV中子引起的~(232)Th(n,γ)~(233)Th反应截面进行了测量.2.8 MeV强流中子由D-D中子发生器获得,中子注量率的波动通过测量伴随~3He粒子得到;中子的平均能量通过~(64)Zn(n,p)~(64)Cu和~(115)In(n,n′)~(115m)In的反应截面比得到.γ能谱采用低本底高分辨率高纯锗伽马谱仪进行测量.实验结果与已发布的截面数据及评价核数据库ENDF/B-Ⅷ.b4、JENDL-4.0u+和CENDL-3.1的数据进行了比较.利用模型程序TALYS-1.8对~(232)Th的中子俘获反应激发函数曲线进行理论计算,并与实验数据和评价数据进行了对比分析.     

~(65)Cu(n,2n)~(64)Cu,~(63)Cu(n,α)~(60)Co 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc反应截面测量

本文用活化法以~(27)Al(n,α)~(24)Na 反应截面为中子注量标准,测得的14.9 MeV 中子~(65)Cu(n,2n)~(54)Cu 和~(46)Ti(n,p)~(46)Sc 反应截面分别为9334±32和297±10mb,测得的14.62MeV中子~(63)Cu(n,α)~(60)Co 反应截面值为42.3±1.5 mb.单能中子由 T(d,n)~4He 反应获得,中子能量是用铌锆截面比法测定的.在文中还把本文的结果与其他一些作者的数据进行了比较.     

热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响

以14 MeV快中子引起的52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的测量为例,研究热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50Cr(n, γ)51Cr对相应的快中子52Cr(n, 2n)51Cr反应截面测量的影响,在对样品包镉和不包镉两种情况下,分别测量了14 MeV中子引起的52Cr(n,2n)51Cr反应截面.单能中子用T(d, n)4He反应获得,中子通量用监督反应93Nb(n, 2n)92mNb测量,而中子能量通过93 Nb(n, 2n) 92mNb和90Zr(n, 2n) 89m＋gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.     

14 MeV中子(n,p)反应截面的系统学研究

研究中等和重质量核１４ＭｅＶ（ｎ,ｐ）反应截面的系统学特性．在对实验数据进行分析、评价的基础上,给出了系统学经验公式,并计算了一批核素的反应截面,理论计算与实验结果符合较好     

（n，t）反应截面的系统学计算

研究了中等和重质量核的１４ＭｅＶ（ｎ，ｔ）反应截面的系统学特性．在考虑奇偶效应的基础上给出了反应截面的系统学公式和经验参数，利用这套参数计算了一些核素的反应截面，结果与测量值符合较好．并讨论了可能的反应机制和Ｑ值效应．     

14MeV中子（n,p）反应截面的系统学研究

研究了中等和重质量核１４ＭｅＶ（ｎ，ｐ）反应截面的系统学特性，在对实验数据进行分析，评价的基础上，给出了系统学经验公式，并计算了一批核素的反应截面，理论计算与实验结果符合较好。     

14MeV中子（n,a）反应截面的系统学研究

在对实验数据分析,评价的基础上,研究了14MeV中子（n,a)反应截面的系统学特性,给出了截面的系统学公式σn,a=(A^1.3 1)^2aexp[β（N-Z 1）／A],利用给出的公式,计算了从^139La到^180Hf的中等和重质量核的14．7MeV中子的（n,a)截面,为聚变技术的研究提供了一定参考数据。     

^96Zr（n,2n）^96Zr反应截面测量

锆是 D- T聚变堆不可缺少的材料之一 ,详细研究 9 6Zr( n,2 n) 95Zr反应截面 ,对聚变堆的设计、安全运行和维修都有非常重要的意义 .在 1 4Me V能区 ,对这一反应截面 ,曾有许多人进行过测量 ,我们能够收集到的数据 [1～ 7]有分歧 ,所以进一步精确测量 96Zr( n,2 n) 95Zr反应截面是十分重要的 .1实验过程样品照射是在兰州大学 ZF- 30 0 - 型强流中子发生器上进行的 ,以 T( d,n) 4 He反应作中子源 ,平均氘束能量 Ed=1 2 5 ke V,束流强度 Id≈ 2 0 m A,氚—钛靶厚为 0 .9mg/cm2 ,中子产额变化用铀裂变室监督 ,以便对中子注量波动进行修…     

200 MeV内p+60Ni核反应的计算与分析

以现有p+60Ni核反应的实验数据为基础,利用自行研制的大型程序MEND从理论上系统地计算了200MeV能区内p+60Ni核反应的反应截面、弹性散射角分布、能谱和6种轻粒子(n、p、α、d、t、3He)出射的双微分截面.与实验数据及ENDF/B6评价库比较发现,文章理论计算的结果与实验数据基本一致;与ENDF/B6相比,文章增加了3He的计算,将能区上推到了200 MeV,结果更接近实验敷据、更全面.     

^31P（n,p）^31Si反应截面实验测量数据的分析和评价

本文较全面地收集了~(31)P(n,p)~(31)Si反应的实验测量数据,作了认真细致地分析.评价用三次B样条函数进行了拟合处理.对缺实验数据的能区,用理论计算数据作了补充.最后给出了从阈能(0.71Mev)到20Mev的反应截面推荐值.     

类氢离子基态,激发态的电子碰撞电离截面及系统学规律研究

利用扭典波玻恩交换（ＤＷＢＥ）近似方法对类氢离子Ｈｅ＾＋，Ｃ＾５＋，Ｏ＾７＋。Ｎａ＾１０＋，Ａｌ＾１２＋，Ｃｌ＾１６＋，Ｆｅ＾２５＋，Ｃｕ２８＋等离子的基态及激发态的电子碰撞电离截面进行了计算。在此基础上研究了电离截面随入射电子能量和靶电荷变化的系统学规律，首次对类氢等电子系离子给出了精度较高的电离截面拟合公式和相应的拟合参数，对于快速获得大量电离截面以满足一些高技术项目的需要有重要的实用意义。     

用~（90）Zr（n，2n）~（89m＋g）Zr和~（93）Nb（n，2n）~（

叙述了用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比测定Ｄ－Ｔ中子平均能量的方法。用硅探测器对中子平均能量进行监测，测量了６个不同能点的铌锆截面比值，得到了铌锆截面比与中子平均能量的关系曲线。     

14Mev中子的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应截面测量

本文用活化法分别以~(56)Fe(n,P)~(56)Mn和~(63)Cu(n,2n)~(62)Cu反应截面为标准,测量了14.61Mev中子的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应截面,其值分别为190.1±5.3mb和196.3±7.7mb。又以~(27)Al(n,P)~(27)Mg反应截面为标准,测量了14.13Mev、14.61Mev和14.85Mev三个能点的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应戡面,其值分别为116.0±8.7mb、189.4±14.2mb和197.2±14.8mb。活化生成核发射的γ射线用高纯锗(HPGc)γ谱议进行测量。     

n+127 129 135 I反应的理论计算及分析

目的 计算和分析0．01～20MeV的能量范围内n 127 129 135 I反应截面。方法 首先应用微观光学势参数自动调节程序得到一组中子光学势参数，在此基础上对能量在0．01～20MeV的中子入射n 127 129 135 I的反应截面进行理论计算和分析，并与实验数据进行对比。计算与分析基于光学模型、核反应多步过程的半经典理论、激子模型、扭曲波恩近似等核反应理论模型。结果 反应道截面的计算结果与JENDL-3库的计算结果曲线形状及实验数据均符合得很好。结论 理论模型是成功的，并能成为核安全设计的理论依据。     

初道屏蔽效应对氦原子单电离三重微分截面的影响

考虑初道屏蔽效应，计算了不对称几何条件下电子碰撞He（e，2e）反应的三重微分截面，并与BBK模型计算结果、DS3C模型计算结果、已有的CCC理论结果和实验数据做了比较.表明，考虑初道的屏蔽效应成功地修正了BBK模型和DS3C模型，改善了与实验结果的符合程度.     

~3He(~4He)-H_2碰撞体系的相互作用势及微分散射截面的理论研究

运用量子化学从头计算方法,在CCSD(T)/aug-cc-pvtz和CCSD(T)/cc-pvtz理论水平下,计算了3He(4He)-H2相互作用能数据,采用Murrell-Sorbie势函数(M-S势)拟合了3He(4He)原子与H2分子各向异性相互作用势,并用公认精确度较高的密耦方法计算了3He(4He)-H2碰撞体系的微分散射截面,总结了微分散射截面的变化规律。研究表明:拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了3He(4He)-H2体系相互作用的各向异性特征。