反射率极值法监控薄膜淀积的计算机模拟

利用计算机计算薄膜在反射率极值法监控的镀膜系统上淀积时监控片反射率的实时变化并模拟薄膜的实际淀积过程,得出设计膜系在一定制备工艺条件下所获得成膜的膜系结构,根据模拟结果计算的光学特性曲线与实际淀积出的成膜实测值相吻合.     

AM混合相Si：P：H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x射线衍射和红外吸收，对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明，所淀积的是一种微晶－非晶混合相掺P氢化非晶硅膜（AM－Si:P:H)。这种膜具有良好的光电性能，较高的掺杂效率。经退火后，光电性能有所改善，是P－i-n太阳能电池所希望n^ 材料。     

功能覆盖膜对场发射阵列（FEA）电子发射性能的影响

为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（ＦＥＡ）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）以及其它淀积技术。在１０＾－６Ｐａ下测量具有不同覆盖膜的硅ＦＥＡ二极管的Ｉ－Ｖ特性，测量结果表明除Ａｕ和Ｍｏ外，其它覆盖材料都对ＦＥＡ电子发射性能有改进，经ＴａＮ覆盖的ＦＥＡ发射电流最大。由Ｆ－Ｎ曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。     

PECVD多晶硅膜的计算机模拟

在ＬＰＣＶＤ理论模型基础上，通过引进“电子温度”，对ＰＥＣＶＤ多晶硅膜进行了计算机模拟分析。结果表明，频功率和反应室气压是影响ＰＥＣＶＤ淀积速率分布的两个因素，且两者受ｐ＝ｋＷ线性关系的制约，即对于一定的射频功率，总可选择一何适的反应室气压，使淀积速率分布最佳，实验结果与理论分析相吻合。     

直接光CVD法低温生长SiO2薄膜技术及其应用

使用自制的微波激励式真空紫外光化学汽相淀积设备，以硅烷和氧为反气体，在３２－２２０℃的低温下，成功地淀积出了优质实用的ＳｉＯ２薄膜，测试结果表明，淀积膜的组分结构，主要光学及电学特性均与高温生长膜的相符，将该技术应用于某些晶体管及热敏打印元件的制作工艺中，已取得了明显的衫效果。     

无定形氢化碳薄膜的制备方法

无定形氢化碳(a-C∶H)薄膜由于具有许多独特的性质,近年米受到研究工作者们的嘱目。本文详细介绍了 a-C∶H 薄膜的各种制备方法,包括等离子体淀积法、离子束法、溅射法和化学汽相淀积法等,给出了某些典型的实验条件。文中还讨论了制备膜的性质及其与制备条件之间的关系,氢和氧含量以及掺杂对膜特性的影响。最后,展望了 a-C∶H 薄膜的应用前景。     

PECVD法制备SiOxNy膜中组份对电学特性的影响

研究了等离子体增强化学气相淀积法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配双与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ结构进行了电学测试，探讨了膜层中氮、氧含量变化对薄膜电学特性的影响。     

超声喷雾法制备SnO2：F薄膜及其性能研究

用超声喷雾热解淀积技术制备了ＳｎＯ２Ｆ透明导电薄膜，其电阻率达４×１０－４Ωｃｍ，可见光透过率达９１％。研究了衬底温度、Ｆ／Ｓｎ比例对ＳｎＯ２Ｆ薄膜光电特性的影响。ＸＲＤ分析及ＳＥＭ观察表明，ＳｎＯ２Ｆ薄膜为多晶结构，平均粒径约５０ｎｍ。对超声雾化及淀积原理进行了分析，由于溶液的超声雾化微粒均匀性好，载气流量与溶液雾化微粒线度无关，使得超声雾化热解淀积工艺控制相对容易，热解反应类型大多为化学气相淀积，所制备薄膜的均匀性和重复性良好。     

非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究

本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。     

离子注入对多晶金刚石薄膜场发射特性影响的研究

对等离子增强化学气相淀积多晶金刚石薄膜在Ｎ离子注入前后的场发射特性进行研究。研究发现,同一工艺条件下的淀积的多晶金刚石薄膜样口的发展射特性在离子注入前有较大的差异,离子注入后金刚石石薄膜场发射特性的差异基本上得到消除,而且在高场下发射电流密有一定程度的提高,场发射特性得到较大改善。     

凸函数的某些性质及其奇异边值问题的应用

讨论了在区间[a,b]上凸函数的有界变差性，拟弱收敛性，上确界的一致有界性，并应用于一类没有连续性紧性和凹凸性假定下的奇异微分方程的边值问题。     

G----H型磷化剂成膜条件的研究

本文研究一种涂漆前预处理的磷化剂,它可作为钢铁制件涂漆前的防锈保护膜。并从磷化反应历程分析了影响磷化膜性能的因素,以便更好地掌握磷化成膜条件。     

拓扑分子格上的几乎R不定序同态

本文引入了拓扑分子格上的几乎Ｒ不定、几乎Ｒ不定开和几乎Ｒ不定闭序同态的概念，给出了它们的一些特征性质，并且讨论了它们同其他序同态之间的关系。     

Ca,Cu的含量对Bi（Sb）系材料相转变及超导电性的影响

采用空气中固态反应的方法，制备了一系列Ｃａ、Ｃｕ的含量不同的Ｂｉ（Ｓｂ）系超导材料。对这些样品进行了超导了性能测量，Ｘ射线衍射分析以及扫描电镜的形貌观察，系统地研究了Ｂｉ（Ｓｂ）系中Ｃａ、Ｃｕ的含量对材料的相转变及超导性能的影响，发现各义组分中适量的Ｃａ、Ｃｕ的超比例可以促进２２１２相向２２２３相的转变。     

一类并行多值方法的相容性和收敛性

李寿佛 ,苏凯于 1995年构造了一类求解刚性常微分方程的并行多步混合方法 (PHM) [1] ,该方法在不降低计算速度的基础上 ,改善了同阶向后微分公式的稳定性 ;在此基础上将PHM作适当改进 ,构造了一类并行多值方法 ,以便进一步改善其稳定性     

一类互惠模型解的爆破性质

运用上下解方法讨论了一类三种群互惠扩散模型整体解存在的条件、解的爆破性及爆破时间估计．     

关于(F,ρ)-不变凸函数多目标规划的对偶性

给出了(F,ρ)-不变凸函数的一些性质,提出了(F,ρ)-不变凸函数多目标规划的弱对偶定理和直接对偶定理.     

Hermite-Fejer插值算子的加权L2收敛速度

讨论了以第二类 Chebyshev多项式的零点为插值结点组的 Hermite-Fejer插值算子的加权 L2 下的收敛速度 (权函数φ(x) =(1 -x2 )α,α≥ 0 ) ,并证明了此时的估计阶是精确的 .     

放射系衰变图研究

放射系衰变图研究①雷洁李锦于群力（陕西师范大学物理学系，西安７１００６２；第一作者，男，５４岁，教授）放射性衰变是原子核的重要特性．人们很早就发现了４个较长的放射系，绘出了衰变图并研究了它们的特点，总结了放射衰变规律．但是，随着大量放射性核素的发现，...     

M带尺度相似变换

对M带多尺度函数的逼近阶的提升,需要引入M带尺度相似变换(MST).通过研究MST的性质及与M带多尺度函数的逼近阶的关系,利用MST可以对M带多尺度函数的逼近阶进行提升.