液晶的磁旋光特性

为深入了解液晶的磁旋光特性，利用矩阵方法分析研究了液晶的旋光效应，导出了液晶旋光的矩阵表示．通过测量磁场作用下向列型液晶的旋光角及透射比，研究了液晶的磁旋光特性．详细分析了磁场对液晶分子轴旋转和透射比的影响，做出了液晶分子轴旋转角和透射比与磁场强度关系的曲线．通过改变磁场方向进行实验测试．发现液晶的旋光方向与垂直入射液晶盒的磁场方向无关。     

液晶聚苯胺及其衍生物

基于国内外最新研究文献 ,系统论述了新型液晶聚合物———液晶聚苯胺及其衍生物的合成及液晶性 ,并合理解释了它们的聚合物链伸展化、刚性化进而导致溶致或热致液晶性的原因 .指出对于乳液或水溶液化学氧化聚合制得的聚苯胺 ,大分子功能质子酸如樟脑磺酸、十二烷基苯磺酸掺杂是其获得溶致液晶性的唯一途径 .介晶基元邻位环取代聚苯胺是侧链型液晶聚合物 ,具有热致液晶性 .该液晶在 10T的外加磁场中沿磁场平行方向取向 ,有序度参数可达 0 .6 8.N -烷基磺酸取代聚苯胺实质上是自掺杂型聚苯胺 ,其水溶液在室温下显示溶致液晶性 ,具有类似近晶相的光学织构 .聚苯胺及其衍生物的液晶性主要来自于外掺杂或内掺杂后π电子的离域、对离子或侧链的拥挤效应 ,醌式链节的构象规整性也是维持液晶性的重要因素     

电场和磁场对液晶分子取向的影响

该叙述液晶相与它的分子结构，液晶的各向异性，电光效应和液晶应用及电场和磁场对液晶分子取向的影响，并围绕这个问题进行讨论。     

向列型液晶的界面效应强度

本文讨论了向列型液晶扭曲盒在外加磁场的作用下，基板的易取向轴与液晶指向矢的倾角与界面结合强度和磁场强度的关系。     

磁场调制下液晶指向矢偏转特性的研究

液晶具有独特的物理化学特性,体现电、磁各向异性,且光学上类似单轴晶体。当对液晶体系施加磁场,液晶指向矢将随着磁场的大小而发生偏转。利用液晶连续体弹性理论模型,研究了沿面排列的向列相液晶分子在外磁场作用下的光学调制效应,通过差分法数值模拟液晶分子指向矢的偏转特性,并对液晶磁致双折射效应进行了分析研究,为更好地研究液晶型偏振光调制器提供理论基础。     

外场中半无限向列相液晶体系的相变

考虑半无限向列相液晶体系在外加场和衬底非线性作用下的相变特征,包括远离衬底的液晶(体液晶)和表面的液晶的相变情况,得到三维体液晶和表面液晶的相变曲面.研究表明:体液晶的相变只和外磁场和温度有关系,而且发生相变的温度和外磁场是呈线性增大的;表面液晶的相变除了与外磁场和温度有关外,还与衬底和表面液晶的耦合强度,以及衬底的序参数有关系.     

液晶和液晶材料

一提到液晶,也许人们会马上联想到手腕上戴的电子表、日常使用的计算器和文字处理机等。那么,液晶究竟是什么呢? 顾名思义,液晶是一种既非液体又非晶体的有机化合物,它是某种有机物质在一定的温度范围内所呈现的一种中间状态,在这种状态下,由于物质分子排列有特殊的取向,分子运动也有特定的规律,因而液晶既具有液体的流动性和表面张力,又呈现某些晶体的光学性质,液体和晶体     

高分子液晶膜的形成及其氧氮渗透性

应用偏光显微镜、扫描电子显微镜、ＤＳＣ以及测定氧氮渗透性，对乙基纤维素液晶溶液和低分子液晶共混膜在电场下取向膜和非取膜的结构和性能进行研究，结果表明：高分子液晶和低分子液晶在电场下的均发生排列取向，渗透系数提高，渗透比稍微降低；各向同性溶液在电场下不发生取向；撤离电场后，发生部分分解取向，解取向程度与ＭＢＨｐＡ的含量和实验温度有磋。     

模拟研究掺杂稀土氧化物的向列相液晶TEB30A磁光特性

基于掺杂磁性粒子的欧勒-拉格朗日方程及液晶光学理论,通过数值模拟向列相液晶TEB30A掺杂磁性纳米稀土氧化物在外磁场中的透射谱,研究分析液晶样品掺杂磁性稀土氧化物的磁光性质.结果表明,微量磁性稀土氧化物的掺杂,没有改变液晶原有弹性,将液晶的饱和磁矩提高了一个数量级.这一掺杂技术法能实现削弱两底板对液晶分子的控制作用,达到调整液晶分子在两底板的锚定方向,从而使得控制向列相液晶TEB30A的外磁场强度降低.     

用聚合物网络控制液晶分子取向

对在液晶材料中掺入２％的、经可见紫外光固化的聚丙烯酸酯单体进行聚合和在垂直于基片方向上施加一个合适的电场，获取沿摩擦方向一致取向的网络织构及用取向的聚合物网络实现控制液晶分子取向的研究做了报道，并阐述了聚合物网络与液晶的相互作用机理；根据液晶光透射率的计算公式，对实验结果进行了定量分析．     

磁场在膜过滤电解质溶液体系中的应用

将磁场作用于陶瓷膜过滤电解质溶液体系,改变水溶液中离子的水合状态,磁场对膜通量没有影响,但可以提高过滤电解质溶液时的离子透过率;磁场作用方向和膜面流速的改变对离子透过率的影响不明显;增大磁感应强度、提高电解质溶液的浓度、减小膜孔径时,磁场对过滤过程的影响作用更明显。采用膜过滤的方法清洗颗粒表面的离子时,加入磁场的作用可以提高离子洗涤的速度,且颗粒浓度比较低时,清洗速度加快。     

平行排列丝状液晶超短脉冲激励下的弯曲形变

用光学相位延迟法研究平行排列丝状液晶在超短脉冲激光作用下的瞬态弯曲形变，与垂直排列液晶相比，采用平行排列丝液晶可以不考虑取向致流，从而简化实验分析，结果表明，液晶在激光作用下会产生瞬态的弯曲形变，并伴着热效应，前者的弛豫时间为数十毫秒，后者的弛豫时间为数毫秘。     

双偶氮苯掺杂液晶在磁场下的Freedericksz转变

发现掺有机杂质(双偶氮苯)的沿面排列丝状液晶与纯液晶相比,会显著减低在静磁场下发生Freedericksz转变的阈值.而传统的方法则是通过掺入微细的铁粉来降低阈值.这一新现象主要是由于双偶氮苯具有较强的磁化率各向异性,从而导致掺杂液晶的有效磁化率各向异性增大.理论推导的双偶氮苯磁化率各向异性常数要比纯5CB大2个数量级.Freedericksz转变阈值的减低对研究磁场下的非线性光学效应有重大的意义.     

强磁场对半无限Al/Cu固液扩散偶凝固组织的影响

采用半无限Al/Cu扩散偶法,对磁场下Al-Cu合金凝固组织进行研究.结果表明:由于沿扩散方向Cu原子分数逐渐减小,凝固时,沿凝固方向依次生成α-Al胞/枝状晶等组织、Al-Al2Cu共晶组织和Al2Cu过共晶组织;在不同磁感应强度下(0～12 T),各组织发生了明显变化,胞状晶消失,枝晶粗化并发生偏转;共晶组织层间距与磁感应强度呈非线性关系,组织被扭曲;过共晶组织界面形貌变平整;Cu原子扩散距离缩短.利用XRD对α-Al枝晶区进行衍射分析,发现磁场下α-Al(100)晶面峰值强度变弱,(111)晶面变强.理论分析认为,强磁场对熔体流动的抑制作用和磁场下晶体的磁各向异性是导致上述现象的主要原因...     

Ni51 Mn25.5 Ga23.5 单晶大的自发相变应变和磁感生应变

通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。     

液晶取向技术

介绍了液晶光开关的基本原理及其在光通信和信息显示领域的应用.从取向层材料、取向原理、取向工艺等方面综述了几种液晶取向技术:摩擦取向技术、光控取向技术、倾斜蒸镀法以及LB膜法,并阐述其优缺点.最后对未来的取向技术做一个展望.     

Ni51Mn25．5Ga23．5单晶大的自发相变应变和磁感生应变

通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25．5Ga23．5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1．62％的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1．5％且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。     

用微极液晶模型研究液晶的Fredericksz磁场效应

用微极液晶模型和Leslie-Eriksen模型讨论向列型液晶的壁面与磁场综合效应,采用垂直和倾斜二类边界条件,主要结果是：⑴指出有半文献中临界磁场强度公式不妥之处,给出修改效果;⑵导出界面指向矢垂直与倾斜锚定条件下,指向矢角度分布的隐式解析解,并通过数值计算给出界面与磁场综合效应;⑶所得结果与Leslie-Ericksen模型相应结果基本箱符,于是,通过二者之比较可给出两类液晶模型材料系数的联系;⑷讨论有关的数学问题,包括用夹逼方法严格论证临界磁场强度公式,对主方程解的多值性与分叉作剖析等。