复合算子在β_μ(B)空间到β_μ(D)空间上的有界性

给出了复合算子C_φ=f°φ在β_μ(B)空间到β_μ(D)空间上的有界的充分必要条件,以及复合算子C_φ=f°φ在β_(μ,0)(B)空间到β_(μ,0)(D)空间上的有界的充分必要条件.     

S_1IS_2结的Josephson效应

本文采用G—L方程和Schrodinger方程研究了非对称结S IS_2的超导电流和位相之间的类正弦关系.当△φs_1=△φ时,得到了Josephson正弦关系。     

关于分谐波的一些新的量子相干效应

十几年来,超导隧道结中的Josephson效应[l1已获得了广泛应用.JosePhson的基本方程组{J=了声in价,:Ze二,中=-节-F n(1)可以解释大量现象.但自从Da夕e功〔幻、Daitrenko〔81等发现结区有电压差的单个弱连结在微波照射下出现有理数阶(非整数阶)电流阶梯后,对Jos‘P地on方程组本身的正确性的进一步分析是有必要的.一种观点闺认为,方程组(1)是正确的,分谐波效应是由于方程的非线性所引起的自检测效应,因此它与电路中的电容、电感等有关;另一种观点认为,这与Josephson效应的基本方程有关,例如Baratoff闺.我们也认为[.]对基本方程需作必要的推…     

具有非线性传染率的SIS网络传染病模型的稳定性和分支分析

研究了一类具有非线性传染率的SIS网络传染病模型的动力学行为,给出传播阈值λ_c=〈k〉/k(k-1)φ(k).结果表明,当β_0λ_c时,无病平衡点E_0=0局部稳定;当β_0λ_c时,无病平衡点E_0=0不稳定;进一步分析,当β_0=λ_c时,系统在E_0=0处出现Transcritical分支.     

波的有限传播法

§1 问题的提出典则形式的双曲方程(组)的定解问题,例如u∈C~1是双曲方程 ?~2u/?x?y=0 (?)的解,而且适合条件 {u(ay,u)=φ_0(y),u(βy,y)=φ_1(y),φ_0(0)=φ_1(0),y≥0,0<α<β,(?)φ_0,φ_1∈C~1,即使如此简单问题的解也以无穷级数的形式出现。本文通过研究函数方程的近似解法,解决一些类型相当广泛的双曲方程组的定解问题的近似解法。     

激发相干态下电感电容耦合介观电路的量子效应

通过量子化无耦电感电容耦合介观电路,研究了激发相干态下介观电路的量子效应,结果表明,每一回路中电荷、电流的平均值和方均值皆不为零,为回路存在相互关联的量子噪音,且它们决定于相干态、粒子数态参数以及电路参量。     

某广义Euler-Poisson方程的Riemann函数在奇线附近的性质

1.考虑方程其中m,m_1是零或正整数,φ,φ_1是正规函数,并且假定φ(0)≠0,φ_1(0)≠0。我们的导师吴新谋同志,在他的推广超双典型方程的Asgeirsson中量公式的工作中(尚未发表),曾经遇到过这个方程。令φ,φ_1为零,m=m_1,所得到的方程,在Asgeirsson工作中遇到。所考虑的方程属于退缩双典型方程,它的特点是系数含有点线。在此,r=0和s=0     

约瑟夫逊计算机

约瑟夫逊结在接近绝对另度时变成超导体,当有外界磁场作用时,超导效应随即消失,约瑟夫逊结两端便有电压降,撤去磁场时,超导效应又得以恢复,电流通畅无阻。由此可形成二进制码的“1”和“0”态,并     

SISIS结中的电子对隧道效应的某些详细的分析和计算结果

采用Feynman方法分析了超导体－弱连接－超导体－弱连接－超导体结构（SISIS结）中的电子对隧道效应，得到了描述该效应的基本方程组，当两个弱连接结区处于零电压状态时，忽略弱连接结区的电容和电感（如超导桥和点接触的情况），得到了该方程组的严格解。结果表明，在没有任何外部因素（如外电压、外磁场等）影响时，完全由于SISIS结内部的电子对隧道效应，在SISIS结中会出现交流电，这种交变电流用椭圆函数表示。本文给出了这些结论的详细分析和计算结果。通过进一步的讨论还指出，在SISIS结中，并不会伴随着这种用椭圆函数表示的振荡电流的出现而发出电磁辐射。     

平面电路波导滤波器中电抗参量的计算

设计平面电路滤波器必须计算纵向膜片的电抗参量。在12GHZ频段,由于α/λ总大于0.9,故从Konishi给出的曲线中不可能得到所需要的电抗数值。本文利用变分法补充t/λ>0时规一化输入导纳y~(i)的计算公式,并且利用ALGOL60算法语言编成程序,计算出两组电抗值,把曲线适用范围从α/λ=0.6～0.85扩展到0.6～0.98。     

串并联谐振逆变器的设计

采用辅助谐振电感与换能器并联形成串并联谐振逆变器,分析了电路工作原理,讨论了在保证电路电流断续工作情况下辅助谐振电感的选取原则,给出了电路主要参数的设计方法.由于功率管工作在软开关条件下,所以电路工作效率较高.实验表明该设计方案是切实可行的.     

低压电感电路最小点燃电流和电感之间的关系

低压电感电路当电感大于95mH时,最小点燃电流MIC与电源电压无关;当电感小于95mH且电源电压小于20V时,MIC随电源电压不同而呈现不同的直线关系;若电源电压大于20V且电感小于0．2mH时,MIC与电感量无关。本文利用放电电流线性衰减模型和抛物线衰减模型分析了低压电感电路最小点燃电流和电感之间的这种关系,给出数学关系式,并分析了误差原因。     

最优1→3对称型经济实态量子克隆的固态电路实现方案

提出一种最优1→3对称型经济实态量子克隆的固态电路实现方案.在方案中,通过利用磁脉冲控制磁通量、电荷和穿过约瑟夫森结的相位差来实现最优1→3对称型经济实态量子克隆.经济实态量子克隆只需要对比特进行操作,不需要其它辅助操作,实验上简化了量子克隆的实现过程.由于超导比特具有耦合强度强,又没有非线性电感和能量的耗散等优点.相比于腔QED系统,固态系统在实验上便于集成和操作.     

新型有源模拟电感及其应用

基于新型电流模式器件CFTA,设计了一个接地模拟电感和一个浮地模拟电感,其电路的特点是:使用接地电容,有源元件及其输入、输出端数最少.为证实电路工作的可靠性,基于该模拟电感,利用元件替换法,分别设计了电流模式三阶巴特沃斯低通和高通滤波器,其极点频率为100 kHz,通带增益为0.5,计算机仿真表明:所设计的电路正确有效.     

Bernstein算子在C_Ω上的逼近定理

由于对0<α<2, φ~(α/2)是上凸连续函数,所以选取Ω(x)=φ(2)_(α/2)时,便是Berens-Lorentz在[1]中得到的,取Ω(x)=1,它是Lorentz-Schumaker和Ditzian得到的而选取Ω(x)=φ(x)_(β/2)(0<β<α),则是[4]中得到的。因此,本定理可作为     

第Ⅱ类超导体的磁特性

本文试图由分析第Ⅱ类超导体混合态时的磁场分布情况,来说明第Ⅱ类超导体在外磁场高于第Ⅰ类超导体H_0的状态下保持其超导性的性质。文章先从第Ⅱ类超导体与第Ⅰ类超导体的根本区别,即界面能的正负不同来分析第Ⅱ类超导体,从而证明它能够在磁场穿透的情况下保持一种超导区域和正常区域的混合状态使其吉布斯自由能最低而不失去其超导性;再从量子观点出发分析这种磁场穿透区域的最小单位——磁通量子,并由此定出磁场穿透的磁通量子三角格分布;最后,对磁通量子的分布作一些计算,以证明超导——正常混合态可以在外磁场高于第Ⅰ类超导体临界磁场的情形下保持其超导性。最后一部分的计算是作者的一种尝试,是本文的中心内容。     

具有不正确设计阵和散布阵的随机回归系数和参数的G-M估计

考虑随机效应线性模型Y=Xβ+ε,E（β′,ε′）=0,Cov（（β′,ε′）′）=diag（б_1~2,б_2~2）,其中X,V≥o U≥0及A均为已知阵,α,б_1~2和б_2~2为参数,记此模型为 L（Xβ,Aα;б_1~2V,б_2~2U）,在 L（X_0β,Aα;б_1~2V_0,б_2~2U_0）下,假定X_0Aα和X_0β的G-M估计存在,我们求解下列问题:在什么条件下, L（X_0β,Aα; б_1~2V_0,б_2~2U_0）下的每个可估函数ω′_1α,ω′_2β及ω′_1α+ω′_2β的G-M估计也是L（Xβ,Aα;б_1~2V,б_2~2U）下相应待估函数的a）无偏估计;b）G-M估计     

N~-N~+结的累积层效应

集成注入逻辑器件中的控制机理是N~-N~+构成的累积层,这种累积层尚未得到适当的分析。本文的主要目的是导出N~-N~+结的J—V特性,并对N~-N~+结的累积层效应作了详细地分析。分析表明累积层效应与实验结果一致,当累积层的复合时间,τ_(s c)→0时,少子分布从注入极平面开始线性地减小,τ_(s c)→∞时,少子分布是均匀的,在有限的τ_(s c)和高偏置电平下,N~-N~+结的电流随N 中性区宽度W的增大而增大。     

最优宏观吸收截面的控制

1 问题提法考虑如下系统{Lφ+σφ=1/(λ(a))kφ(h,φ)=P其中P为正常数,h是L~2(Ω)中一给定的非负数,a是控制函数,其容许控制集定义为(?)={a∈L~∞(Ω_1)|0≤a(x)≤a(x)≤b(x)<∞,a.e.}a(x),b(x)∈L~∞(Ω_1),λ(a)为Lφ+aφ=1/λ(a)kφ的临界本征值(Ω_1,Ω_2是R~n,R~m中有界可测集,Ω=Ω_1×Ω_2). 现给定γ(正数),求a∈u使得γ(a)=γ且使下面指标泛函取得最小值     

温差驱动下正常金属-量子点-超导体系的发热特性

利用非平衡格林函数方法,研究了量子点与一端正常电极和一端超导电极耦合体系在电极间温差驱动下的发热特性。通过分析发热量随量子点能级、两端电极温度、量子点与电极耦合强度等参数的变化情况,找到了不同能级区域量子点的发热规律和热产生原因。研究发现,在处于超导能隙深处的能级区域,发热为声子库与正常电极间温差产生的热传导能量。在超导能隙附近的能级区域,发热由热传导能量和吸收或放出声子的粒子直接隧穿过程所引起电流产生的热量共同决定。特别是,当正常电极作为热端时,一定参数下此能级区域会出现大的电流诱导制冷效应。此外,通过与电流特性比较,分别找到了超导电极作为冷端和热端时体系工作在理想状态的能级区域。