轻稀土的石墨层间化合物成键性的研究

本文采用扩展到f轨道计算的INDO程序,对轻稀土的石墨层间化合物（REGIC）进行计算,从原子净电荷和Mulliken重叠布居讨论了稀土在REGIC中的电子结构和成键特性,并与碱金属、碱土金属石墨层间化合物（AGIC、AEGIC）进行比较,结果表明稀土与碳层间主要是离子键,且稀土带钢电荷,而碱金属、碱土金属石墨层间化合物听金属带正电荷,同时在REGIC中,稀土与碳层间还有共价成键作用,而AGIC和AEGIC中则没有。     

石墨（0001）表面CO分子吸附的位形

近几年来,人们对石墨(0001)表面(亦称基面)靠范德瓦耳斯力吸附CO分子的表面结构很感兴趣.用低能电子衍射实验结果表明:在温度T<25K时,石墨基面CO分子亚单层吸附层形成鲱骨式的结构,呈(2[3~(1/2)]×[3~(1/2)])30°公度相.CO分子轴线则平行于石墨基面,两者之间的倾角不明显,估计至多不超过5°但从X射线衍射方法绘出石墨基面吸附CO分子单层是呈(2[3~(1/2)]×2[3~(1/2)]R30°的公度相结构.为了说明X射线的实验结果,必须假定CO分子轴线与石墨基面的倾角成26°±12°,或者假定CO分子的取向有序的线度应小于分子质心平移有序的线度.     

Bi—Sr—Ca—Cu—O超导体能带结构的研究

利用EHT近似下的紧束缚能带结构计算方法计算了Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体的能带结构.计算结果表明费米面在a~*b~*面上是封闭的,费米能级上电子态密度的增加和体系转变温度T_c的提高是相一致的,Cu-O面上Cu和O的净电荷有规律的变化说明Cu-O面上Cu和O的离子价态可影响到该体系的超导电性.     

吸附Pb原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构

基于考虑自旋轨道耦合的第一性原理方法,研究了Bi_2Se_3薄膜和吸附铅原子的Bi_2Se_3薄膜的能带结构.计算发现铅原子在Bi_2Se_3薄膜能带中Γ点附近的量子阱态中引起了大的Rashba自旋劈裂.另外,在Bi_2Se_3薄膜能带中Μ点附近也引起了明显Rashba自旋劈裂.吸附铅原子的覆盖率会对以上的Rashba劈裂产生比较大的影响.     

现代能带计算方法的探究

介绍了几种新的线性化能带计算方法，重者着重阐明线性化的基本精神及其在计算上的优势．针对密度泛函理论的不足介绍了相对论密度泛函理论和以此为基础的能带计算方案．     

石墨层间化合物的结构及合成技术

本文从阶结构与化学结构两方面论述了石墨层间化合物的结构特征;按插入剂的状态论述了石墨层间化合物的合成方法;同时阐述了石墨层间化合物的应用前景．     

锯齿型单壁与双壁碳纳米管电子学特性比较研究

采用基于广义梯度近似(GCA)的密度泛函理论中的简化广义梯度近似方法(PBE)分别对(6,0)和(15,0)锯齿型单壁碳纳米管(SWCNT)和双壁碳纳米管(DWCNT)的能带和态密度进行了计算,并对所得结果进行了比较,发现了单壁与双壁碳纳米管之间的电子学异同点.通过比较发现,虽然双壁碳纳米管和单壁碳纳米管具有相似的能带结构,但是双壁碳纳米管的能隙较单壁碳纳米管的能隙要小,这说明双壁碳纳米管的电子输运性能要远优于单壁碳纳米管.     

石墨烯弯曲形变的电子结构和特性的研究

采用密度泛函理论对4种不同弯曲曲率的石墨烯的能带、分子轨道分布、态密度和传输谱进行理论研究,通过能带的计算,分析其得失电子的能力;通过对分子轨道分布和态密度的分析,得出了弯曲石墨烯的电子结构;通过对传输概率的计算,研究了弯曲石墨烯的电子传输性质.得出了弯曲石墨烯中π型分子轨道起重要作用,石墨烯随着弯曲曲率的增加,电子传...     

NaF晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法，计算出ＮａＦ晶体的能带结构。得出了价带位置和能隙宽度，导带的最低点在Г１，该方案计算简便，大大节省计算时间，与实验数据及其它理论计算比较表明，所得结果与实验数据符合较好。     

六方氮化钼电子结构的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用vasp计算程序包,计算六方氮化钼的晶胞参数,在此基础上计算它的能带结构、总态密度和局域态密度,分析了六方氮化钼的电子结构,并阐明了其具有高导电性的原因.     

C31B的合成与表征

以高纯石墨棒为阴极，以填有B4C粉末的高纯石墨棒为阳极，用直流电弧法首次合成了宏观量的C(31)B，并用质谱对其进行了表征．     

PAN基炭纤维的电阻率与炭化温度的关系

对不同炭化温度下制备的PAN基炭纤维的电阻率、乱层石墨微晶择优取向进行了测量，给出了PAN基炭纤维的电阻率随炭化温度及乱层石墨微晶择优取向的变化规律．对这种变化规律从电子结构角度进行了初步探讨．结果表明，C-C原子键上的共价电子向传导电子的转移及结构发展的更完善共同导致了PAN基炭纤维的电阻率随炭化温度的升高而降低．     

硅浅杂质能级的低温陷阱效应

分析了硅浅杂质能级的低温陷阱效应，给出了ｐ型硅中不同注入水平下导带中注入电子与总电子数目之比ｎｏ／ｎＴ的表达，主要结果表明在低注入条件下，浅杂质能级陷阱效应对于低温下双极器件的频率特性有着巨大影响，而在高注入水平下，由于总的注入电子数目大大超过被陷电子数目，从而克服了这一低温陷阱效应，可以忽略。     

高电场下固体电介质中陷阱捕获电子动力学

阐述了采用表面电位测试技术研究固体电介质中陷阱捕获电荷载流子的可能性,并利用它分析在高电场作用下电子填充陷阱的动力学特性.根据电场注入载流子机理的不同,作者分别考虑了热发射和碰撞电离脱阱起作用下的一级捕获动力学方程.新的方程能定性地解释在电场作用下介质中陷阱捕获电子的时间特性,该方程的稳态值表示高电场下陷阱捕获电荷量随电场的变化.经实验研究指出,在电场大于1.5×10~8V/m时,介质中陷阱捕获电子数随电场的增强而迅速下降,这是由于自由电子与陷阱中电子发生碰撞电离脱阱的结果,一旦这种碰撞电离脱阱达到一定程度时,介质便发生电击穿.     

具有相干与压缩关联的非绝热的电子声子耦合系统的状态表示和基态特征(英文)

求出了在电子声子耦合系统中由于电子密度的涨落所导致的非绝热声子对系统的基态,极化子的特征和声子测不准关系的量子修正,在这计算中我们使用了一个表征相干压缩声子和电子有相互关联的新的变分表示式．由此求出的系统基态比无关联时的基态更加稳定,极化子能带变窄的效应受到抑制,由于同电子的非绝热耦合而使声子的测不准关系增量．研究表明具有相干压缩关联的新状态表示对于大压缩特性和强耦合情况特别适合．     

激光损伤过程中导带电子产生机理

价带电子跃迁至导带形成自由电子,长激光脉冲作用时,自由电子吸收能量并传给晶格,使材料温度升高;短激光脉冲作用时,自由电子发生碰撞离化,使导带中电子数目急剧上升,当材料达到一定温度或自由电子达到临界浓度时便发生损伤．随着激光技术的发展,人们不断的完善导带电子的产生机理,以达到计算值与实验结果相一致;激光脉冲越短,越多的光-电子相互作用机制会影响导带电子的产生,雪崩离化、多光子离化、导带电子衰减及导带电子能量分布等相互耦合,导带自由电子的产生过程非常复杂．文中综述了激光损伤过程中导带电子产生的机理模型,并提出了应用于亚皮秒及飞秒激光脉冲的耦合多速率方程．     

膨胀石墨提高AC/PTFE阴极电催化效率的研究

以鳞片石墨为原料,采用化学氧化法组合微波膨化法制备了膨胀石墨.扫描电子显微镜(SEM)观察表明,膨胀石墨的微观形貌与原料粒径有关,由50目鳞片石墨得到的膨胀石墨具有典型的蠕虫状结构,而200目和500目鳞片石墨得到的膨胀石墨由石墨微片构成.将膨胀石墨(EG)与活性炭(AC)按照不同比例混合制备成EG/AC/PTFE复合...     

石墨/ABS树脂导电复合材料的研究

用机械共混法制备电性能优良的丙烯腈/丁二烯/苯乙烯共聚物(ABS)/石墨导电复合材料。研究了石墨含量、偶联剂对复合材料电导率和拉伸强度的影响。同时,使用扫描电镜(SEM)对复合材料的微观特征进行了分析,石墨粒子相互接触形成导电通路。高阻仪和万用表测试分析得出:石墨在ABS中的逾渗滤值约为35%。电子万能试验机测试分析出石墨含量为30%左右时,复合材料拉伸强度最大可达39.1 MPa。     

晶质石墨活化提纯锂离子电池负极材料机理研究

研究了一种新的石墨提纯方法:先焙烧石墨,然后用NaOH,H_2SO_4和HCl处理,并确定了最佳工艺条件.结果表明,这种方法可以使固定碳质量分数为95.12%的晶质石墨提纯到99.76%.     

C_4馏分中水分析的精确度测定

本文以卡尔——费休——库仑滴定电分析法测定C_4馏分中水分含量。选用经改装的J烷取样瓶采样系统采集样品,以苯及浓硫酸在气定温度下溶解和吸收水定量水分为标准样品对方法的准确度进行了测定。测定的准确度相对误差为+15％,精密度标准偏差为8.7。